Способ получения монокристаллического SiC политипа 4H
нейроморфные модули, многоуровневая мемристорная логика
Изобретение относится к технологии получения монокристаллического карбида кремния (SiC). Задачей предлагаемого изобретения является создание способа получения слитка монокристаллического SiC политипа 4H, обеспечивающего технический результат, заключающийся в повышении стабильности осуществления процесса выращивания слитка монокристаллического SiC политипа 4H и улучшении воспроизводимости процесса роста слитков монокристаллического SiC политипа 4H, и тем самым позволяющий повысить качество слитков, а так же в снижении затрат на проведение способа. Способ получения монокристаллического SiC политипа 4H, при котором размещают ростовой тигль с помещенными внутри него источником карбида кремния, пластиной затравочного монокристалла SiC с формообразователем, а также источником соединения церия, в пространстве камеры роста, нагревают ростовой тигль в инертной газовой атмосфере до температур, достаточных для сублимации источника карбида кремния при наличии осевых градиентов температур и переноса летучих кремнийсодержащих соединений от источника карбида кремния к пластине затравочного монокристалла и рост слитка монокристаллического SiC в присутствии соединения церия, отличающийся тем, что в качестве соединения церия используют твердый раствор карбидов тантала и церия с содержанием церия от 0,5 до 1,5% (масс.). Соединение церия в виде твердого раствора карбидов тантала и церия наносят в виде пленки твердого раствора на внутренние поверхности ростового тигля или внутренние поверхности формообразователя
получение слитка монокристаллического SiC политипа 4H
Наталья
Андреева
Владимировна
в.н.с. НОЦ "НТ"
Кандидат физико-математических наук
Доцент
-
-
-
РОССИЯ
Виктор
Тупик
Анатольевич
Проректор по научной работе
РОССИЯ
29.19.19
Методы исследования кристаллической структуры и динамики решетки
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Дмитрий
Авров
Дмитриевич
разработка способа
РОССИЯ
Юрий
Быков
Олегович
разработка способа
РОССИЯ
Наталья
Шаренкова
Викторовна
разработка способа
РОССИЯ
Наталья
Андреева
Владимировна
разработка способа
РОССИЯ
Наталья
Латникова
Михайловна
разработка способа
РОССИЯ
Андрей
Лебедев
Олегович
разработка способа
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
1027806875381
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения