Дифференциальный операционный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
Дифференциальный операционный усилитель на полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании для различных JFET техпроцессов (Si, SiC, GaN, GaAs и др.) работоспособного (при воздействии радиации и криогенных температур) операционного усилителя, который обеспечивает малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля, а также повышенный коэффициент усиления по напряжению.Краткое техническое описание: в соответствии с формулой изобретения предлагается структура радиационно-стойкого и низкотемпературного операционного усилителя (ОУ) на комплементарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом. Рассматриваемый ОУ имеет симметричную активную нагрузку во входном каскаде и отрицательную обратную связь по синфазному сигналу, которые минимизируют влияние второго каскада усиления на систематическую составляющую напряжения смещения нуля.
электронные устройства автоматики и связи, предприятия и организации, занимающиеся разработкой и производством аналоговой электронной компонентной базы, в т.ч. предназначенной для обработки сигналов датчиков в условиях воздействия низких температур и радиации.
Бутырлагин Н.В.
доцент
Кандидат технических наук
Месхи Б. Ч.
ректор
47.41.29
Фильтры
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Николай
Прокопенко
Николаевич
40%
Анна
Бугакова
Витальевна
35%
Владислав
Чумаков
Евгеньевич
25%
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
Донской государственный технический университет; ДГТУ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет"
1026103727847
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения