Программа моделирования высокотемпературного равновесия собственных точечных дефектов и паровой фазы CdTe
область гомогенности зарядовые состояния точечные дефекты CdTe
Программа предназначена для расчетов концентрации заряженных собственных точечных дефектов в CdTe.
Программа обеспечивает выполнение следующих функций: выбор параметров модели дефектообразования; выбор температурного режима; численное решение уравнения электронейтральности в CdTe с учетом заряженных дефектов; расчет области гомогенности, концентрации собственных точечных дефектов в различных зарядовых состояниях и подвижных носителей заряда; сохранение результатов в памяти ЭВМ.
Используется для моделирования характеристик полупроводникового материала CdTe
Сергей
Юрчук
Юрьевич
Доцент
Кандидат физико-математических наук
Доцент
B-1507-2014
6507750073
8414-8762
https://orcid.org/0000-0001-6435-3823
0000-0001-6435-3823
РОССИЯ
Михаил
Филонов
Рудольфович
Проректор по науке и инновациям
РОССИЯ
47.09.29
Полупроводниковые материалы
01.03.UB
PHYSICS, APPLIED
Сергей
Юрчук
Юрьевич
Разработка алгоритма, графического интерфейса, кода программы и отладка программы
РОССИЯ
Светлана
Кобелева
Петровна
Подготовка теоретической модели перераспределения зарядовых состояний дефектов и расчета области гомогенности, тестирование программы
РОССИЯ
МИСиС, НИТУ "МИСиС"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
1027739439749
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения
МИСиС, НИТУ "МИСиС"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
1027739439749
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения