Разработка и создание новых СВЧ транзисторов с высокой удельной мощностью на основе нитрида галлия
СВЧ транзистор Алмазный теплоотвод Гетероструктура Поликристаллический алмаз GaN
В настоящее время широкое распространение получили приборы на основе гетеропереходной эпитаксиальной структуры (далее - ГЭС) типа AlGaN/GaN, InAlGaN/GaN и другие. Однако мощность изготовленных таким способом приборов ограничивается теплопроводностью гетероэпитаксиальных и переходных слоев, тепловым сопротивлением на границах, и в существенной мере — теплопроводностью подложки, на которой они изготовлены.  Недостатком таких структур является ограниченный и неравномерный отвод тепла из-за расположения теплоотвода только в области стока, а также сложная конфигурация теплоотвода. 
Нами разработан и создан новый СВЧ транзистор с высокой удельной мощностью на основе нитрида галлия с равномерным отводом тепла из рабочей зоны.
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано в качестве активных структур при изготовлении сверхвысокочастотных приборов и приборов силовой электроники.
Вадим
Седов
Станиславович
старший научный сотрудник
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
S-2320-2016
54387527700
0000-0001-9802-1106
РОССИЯ
Андрей
Синогейкин
Гелиевич
Генеральный директор
РОССИЯ
47.45.99
Прочие элементы СВЧ-техники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Александр
Алтахов
Сергеевич
Синтез пластин поликристаллического алмаза. Определение оптимальных режимов роста для достижения необходимых параметров.
РОССИЯ
Иван
Майборода
Олегович
Эпитаксиальный рост слоев нитридных полупроводников.
РОССИЯ
Максим
Занавескин
Леонидович
Изготовление образцов гетероэпитаксиальных структур, измерения электрических и тепловых свойств
РОССИЯ
ФОНД СОДЕЙСТВИЯ ИННОВАЦИЯМ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ООО "ВАНДЕР ТЕХНОЛОДЖИС"
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ВАНДЕР ТЕХНОЛОДЖИС"
1127746711355
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Общества с ограниченной ответственностью