Преобразователь магнитного поля с функционально интегрированной структурой
Сенсор, магнитное поле
Изобретение посвящено проблеме создания высокоточных сенсоров магнитного поля с чувствительностью до долей нанотесла. Создание таких приборов резко расширит область их применения особенно в медицине. Высокая чувствительность и координатное разрешение сенсора достигается применением функционально интегрированной структуры в конструкции сенсора и возможностью минимизировать уровень шумов при использовании последовательного соединения цепочки пиксель сенсора магнитного поля.
Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано при создании различного типа сенсоров, в частности магнитного поля.
Леонов А.В.
Научный руководитель
Кандидат физико-математических наук
Иванов Д. Н.
Генеральный директор
47.33.31
Интегральные микросхемы
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Дмитрий
Иванов
Николаевич
Участие в создании изобретения
Алексей
Леонов
Владимирович
Руководитель работы
ФОНД СОДЕЙСТВИЯ ИННОВАЦИЯМ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ООО "РЕФОРМ"
Общество с ограниченной ответственностью "РЕФОРМ"
1197746439417
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Общества с ограниченной ответственностью