Композиция для химико-механического полирования поверхности полупроводниковых материалов
Получение бездефектных поверхностей материалов Шероховатость Композиция Обработка Химико-механическое полирование Полупроводники
Изобретение относится к водной композиции для химико-механического полирования (ХМП) поверхности полупроводниковых материалов, в частности Ge, GaAs, PbTe, CdSb, InAs, ZnAs2 и др. Техническим результатом изобретения является получение бездефектных зеркально гладких (нано - и субнаношероховатых) поверхностей полупроводниковых материалов без царапин и сколов и улучшения качества подложек в различных производственных процессах при изготовлении элементной базы. Композиция для химико - механического полирования поверхности полупроводниковых материалов содержит наноразмерные частицы коллоидного диоксида кремния, моноэтаноламин, 20 - 30% раствор перекиси водорода; глицерин и дистиллированную вода, при следующем соотношении компонентов в мас. %: указанные частицы коллоидного диоксида кремния – 5 - 30; моноэтаноламин – 5,5 - 10; перекиси водорода (20 - 30%) – 3 – 4; глицерин – 2 - 4; дистиллированная вода – остальное. Применение предложенной композиции позволит получать зеркально и геометрически ровные, кристаллически совершенные (без микро - наноцарапин, микротрещин, сколов, механических микропримесей, участков травления и других дефектов) поверхности полупроводниковых материалов, исключить растрескивания материала из-за низкого механического давления на него, а также эрозии и коррозии поверхности материала, в связи с применением нетоксичных добавок, снизить расход и стоимость композиции в разы или на порядок меньше, по сравнению с применяемыми аналогами.
Изобретение относится к водной композиции для химико-механического полирования (ХМП) поверхности полупроводниковых материалов, в частности Ge, GaAs, PbTe, CdSb, InAs, ZnAs2 и др. Направления использования: полупроводниковая электроника, оптоэлектроника, акустоэлектроника, ВТСП-электроника, оптика и другие.
Антон
Мантузов
Викторович
Научный руководитель
Отсутствует
Отсутствует
-
-
РОССИЯ
Евгений
Артемов
Александрович
Генеральный директор
РОССИЯ
31.15.31
Растворы
31.15.37
Химия коллоидов. Дисперсные системы
29.19.11
Дефекты кристаллической структуры
29.19.31
Полупроводники
01.03.UH
PHYSICS, ATOMIC, MOLECULAR & CHEMICAL
01.04.DW
CHEMISTRY, APPLIED
01.04.EE
CHEMISTRY, ORGANIC
01.04.EI
CHEMISTRY, PHYSICAL
01.04.FI
CRYSTALLOGRAPHY
Евгений
Артемов
Александрович
Контроль за проведением и подготовкой  НИОКР. Изучение и интерпретация научных, физико-химических процессов и полученных результатов обработки новых материалов.
РОССИЯ
Антон
Мантузов
Викторович
Разработка, ведение и контроль научной, инновационной и экспериментальной деятельности.
РОССИЯ
Максим
Зарезов
Александрович
Планирование и проведение экспериментов, обобщение научно-технической информации и результатов.
РОССИЯ
Надежда
Зарезова
Викторовна
Проведение экспериментов, подбор и анализ научно-технической информации, оформление результатов.
РОССИЯ
ФОНД СОДЕЙСТВИЯ ИННОВАЦИЯМ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ООО «АЕМТИ»
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "АЕМ ТЕХНОЛОДЖИС"
1207700504263
ЕВГЕНИЙ
АРТЕМОВ
АЛЕКСАНДРОВИЧ
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Общества с ограниченной ответственностью