«Программа для расчета схемы экспозиции при электронно-лучевой литографии с коррекцией эффекта близости» (Proximity)
электронный микроскоп эффект близости Литография
Программа Proximity предназначена для расчета схем экспозиции при электронно-лучевой литографии с коррекцией эффекта близости. При выполнении электронно-лучевой литографии возникает паразитный эффект, связанный с переоблучением резиста обратно-рассеянными электронами. Данный эффект близости приводит к падению разрешения литографии и возникновению нежелательных артефактов в проявленных масках. Для компенсации эффекта близости используется метод последовательных приближений с учетом заданного радиального профиля электронного пучка. Скорректированная схема представляет собой изображение в градациях серого, которое может быть использовано в качестве схемы для выполнения электронной литографии.
Программа может быть использована для повышения качества электронно-литографической обработки материалов и устройств
Константинос
Стомпос
Руководитель лаборатории
Кандидат химических наук
Отсутствует
P-6677-2016
-
ГРЕЦИЯ
Елена
Лебедева
Витальевна
Начальник Управления научных исследований
РОССИЯ
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
Юрий
Капитонов
Владимирович
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
1037800006089
НИКОЛАЙ
КРОПАЧЕВ
МИХАЙЛОВИЧ
Организация
Правительство Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения