Фотоприемник
МДП транзистор фотоприемник фоточувствительный элемент
Изобретение относится к микроэлектронике, датчикам лучистой энергии и устройствам получения изображения в широком спектральном диапазоне. Фотоприемник содержит фоточувствительный элемент, связанный с ним воедино МДП транзистор. В качестве фоточувствительного элемента используется зеркальная металлическая пластина с высоким коэффициентом отражения, которая имеет с обратной стороны узкий выступ, контактная площадь которого с затвором МДП транзистора во много раз меньше площади пластины, а на затвор подается напряжение смещения, держащее транзистор в приоткрытом состоянии.
Изобретение может применяться в научной аппаратуре, устройствах автоматики, в приборах ночного видения.
Сергей
Гаврилов
Александрович
Г. н. с.
Доктор технических наук
Профессор
A-8266-2014
7102677239
37731
0000-0002-2967-272X
РОССИЯ
Сергей
Гаврилов
Александрович
Проректор
РОССИЯ
44.41.29
Установки прямого преобразования химической энергии в электрическую
31.15.33
Электрохимия
47.09.48
Наноматериалы для электроники
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Олег
Мызгин
Александрович
оформление текста заявки
РОССИЯ
Николай
Алексеев
Васильевич
проведение патентного поиска, корректировка текста заявки
РОССИЯ
Николай
Боргардт
Иванович
постановка задачи
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
МИЭТ;  Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; НИУ МИЭТ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
1027739615584
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения