Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе GaInAsSb
преобразование лазерного излучения фотоэлектрический преобразователь преобразование солнечного излучения каскадный элемент термофотоэлектрические системы жидкофазная эпитаксия
Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на основе GaInAsSb включает осаждение на подложке n-GaSb в изотермическом режиме жидкофазной эпитаксии слоев n-GaInAsSb и p-GaSb с толщинами, соответственно, (2-5) мкм и не более 0.5 мкм. Формирование эмиттерного слоя p-GaxIn1-xAsySb1-y с концентрацией акцепторной примеси (1-5)х10^19 ат/см3 и толщиной (0,20-0,35) мкм осуществляют локальной диффузией цинка из газовой фазы через защитную диэлектрическую маску по периметру фотоэлектрического преобразователя с одновременным легированием широкозонного окна GaSb до концентрации акцепторной примеси (1∙10^19-3.10^20) ат/см3, а также постростовое уменьшение толщины широкозонного окна до (0,1-0,2) мкм на фоточувствительной поверхности селективным анодным окислением через маску из фоторезиста при сохранении толщины подконтактных областей. Состав GaxIn1-xAsySb1-y, охватывающий диапазон 0,8-0,99, у=0,18-0,01, задается длиной волны падающего инфракрасного излучения (теплового, лазерного или солнечного). Способ позволяет улучшить рабочие характеристики фотоэлектрического преобразователя и снизить уровень утечек.
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых приборов на основе соединений АIIIBV, способных эффективно преобразовывать падающее излучение (солнечное, тепловое, лазерное) высокой плотности.
Вячеслав
Андреев
Михайлович
главный научный сотрудник
Доктор технических наук
Член-корреспондент РАН
C-1054-2014
7401665569
РОССИЯ
Сергей
Иванов
Викторович
Директор
РОССИЯ
44.41.35
Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Владислав
Васильев
Изосимович
РОССИЯ
Владимир
Хвостиков
Петрович
РОССИЯ
Светлана
Сорокина
Валерьевна
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
1037804006998
СЕРГЕЙ
ИВАНОВ
ВИКТОРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения