Способ формирования золотого гальванического покрытия для полупроводниковых устройств
золотое гальваническое покрытие, затравочный слой, травление
В ноу-хау предложен способ создания гальванического покрытия золотом, в процессе которого снятие слоев титана в затравочном гальваническом слое Ti-Au-Ti происходит за счет сухого травления в хлорсодержащей плазме.
Способ формирования золотого гальванического покрытия для полупроводниковых устройств
Вячеслав
Демин
Александрович
Заместитель Главного ученого секретаря Центра
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
-
-
-
-
РОССИЯ
Илья
Еремин
Игоревич
Главный ученый секретарь Центра
РОССИЯ
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
47.09.29
Полупроводниковые материалы
29.19.31
Полупроводники
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Юлия
Храповицкая
Владимировна
30%
РОССИЯ
Игорь
Черных
Анатольевич
35%
РОССИЯ
Максим
Занавескин
Леонидович
35%
РОССИЯ
Правительство России
Правительство Российской Федерации
Организация
-
-
НИЦ "Курчатовский институт"
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
1027739576006
Организация
Правительство Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения