Способ создания эпитаксиальных гетероструктур EuO/Si с атомно-резким интерфейсом
СПИНТРОНИКА, МОНООКСИД ЕВРОПИЯ, МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ, ФЕРРОМАГНЕТИЗМ, ИНТЕРФЕЙС
В изобретении описан способ получения тонких пленок монокристаллического монооксида европия на кремнии без использования буферного слоя. Синтез пленок осуществляется методом молекулярно-лучевой эпитаксии в условиях сверхвысокого вакуума при низких температурах пластины кремния. Приведенные в изобретении параметры роста позволяют добиться высокого кристаллического совершенства пленок с сохранением атомно-резкой границы раздела между пленкой и кремнием. Синтезированные пленки могут быть использованы при создании спиновых фильтров, инжекторов спин-поляризованного тока и других компонентов спиновой наноэлектроники.
Микро- и наноэлектроника, спиновая электроника
Демин В.А.
Директор-координатор по направлению природоподобные технологии
Кандидат физико-математических наук
Николаенко А.В.
Заместитель директора - главный ученый секретарь Центра
29.19.04
Структура твердых тел
29.19.39
Ферромагнетики
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Иван
Соколов
Сергеевич
25%
Андрей
Токмачёв
Михайлович
25%
Дмитрий
Аверьянов
Валерьевич
25%
Вячеслав
Сторчак
Григорьевич
25%
Правительство России
Правительство Российской Федерации
Организация
-
-
НИЦ "Курчатовский институт"
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
1027739576006
Организация
Правительство Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения