Гетероструктурный инфракрасный светоизлучающий диод
светоизлучающий диод гетероструктура полупроводник брегговский отражатель
Гетероструктурный инфракрасный светоизлучающий диод включает подложку-носитель с металлическим отражателем, слой отражателя на основе широкозонного слоя Al0.9Ga0.1As, брегговский отражатель, многослойную светоизлучающую AlGaAs/GaAs гетероструктуру, верхний электрод на поверхности гетероструктуры, световыводящую поверхность гетероструктуры и нижний электрод на тыльной поверхности подложки-носителя. Гетероструктурный инфракрасный светоизлучающий обладает сниженными оптическими потерями.
Изобретение относится к электронной технике, в частности, к полупроводниковым приборам и может быть использовано при разработке и изготовлении светоизлучающих диодов и различных устройств на их основе.
Вячеслав
Андреев
Михайлович
главный научный сотрудник
Доктор технических наук
Член-корреспондент РАН
C-1054-2014
7401665569
РОССИЯ
Сергей
Иванов
Викторович
Директор
РОССИЯ
44.41.35
Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Александра
Малевская
Вячеславовна
РОССИЯ
Вячеслав
Андреев
Михайлович
РОССИЯ
Николай
Калюжный
Александрович
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
1037804006998
СЕРГЕЙ
ИВАНОВ
ВИКТОРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения