Изолятор Фарадея на постоянных магнитах с высокой напряженностью магнитного поля
ИЗОЛЯТОР ФАРАДЕЯ, СТЕПЕНЬ ИЗОЛЯЦИИ, ПОСТОЯННОЕ МАГНИТНОЕ ПОЛЕ ВЫСОКОЙ НАПРЯЖЕННОСТИ, МОЩНОЕ ЛАЗЕРНОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
Изобретение относится к оптической технике и может быть использовано как элемент оптической развязки на эффекте Фарадея для лазеров с высокой средней мощностью излучения.Магнитная система разработанного изолятора Фарадея содержит последовательно расположенные на ее оси центральный постоянный магнит с намагниченностью, ориентированной вдоль оси магнитной системы, два боковых постоянных магнита, намагниченности которых лежат в плоскости, перпендикулярной оси магнитной системы, и ориентированы в противоположных направлениях к оси системы и от нее, а также магнитопроводы, расположенные вдоль оси магнитной системы на внутренней поверхности боковых постоянных магнитов, при этом между магнитопроводами и центральным постоянным магнитом расположены области боковых постоянных магнитов.
Может быть использовано при создании лазерных систем.
Хазанов Е.А.
зам.директора
Доктор физико-математических наук
Глявин М.Ю.
зам. директора
29.33.15
Оптические квантовые генераторы и усилители (лазеры)
29.33.17
Методы управления оптическим излучением
01.03.SY
OPTICS
Евгений
Миронов
Александрович
Расчет параметров устройств, необходимых для реализации заявленных характеристик.
Олег
Палашов
Валентинович
формулировка задач
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ИПФ РАН
Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук"
1025203020193
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения