Арсенид-галлиевый операционный усилитель с повышенным коэффициентом усиления и малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля
Арсенид-галлиевый операционный усилитель усилитель с повышенным коэффициентом усиления малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля
Предполагаемое изобретение относится к области радиотехники и может использоваться в качестве базового аналогового узла многих  устройств автоматики, вычислительной техники, систем связи и приборостроения, в т.ч. работающих при высоких температурах.
Технический результат: создание схемы прецизионного операционного усилителя с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля и повышенным коэффициентом усиления по напряжению в рамках совмещенного GaAs технологического процесса, разрешающего использовать только nJFet полевые и p-n-p биполярные транзисторы. 
Арсенид-галлиевый операционный усилитель с повышенным коэффициентом усиления и малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля содержит первый (1) и второй (2) входы, а также потенциальный выход (3) устройства, входной дифференциальный каскад (4) с первым (5) и вторым (6) токовыми выходами, общий токовый вход которого (7) для установления статического режима транзисторов связан с первой (8) шиной источника питания через первый (9) источник опорного тока, первый (10) выходной транзистор промежуточного каскада, эмиттер которого соединен с первым (5) токовым выходом входного дифференциального каскада (4) и через первый (11) токостабилизирующий резистор подключен ко второй (12) шине источника питания, второй (13) выходной транзистор промежуточного каскада, эмиттер которого соединен со вторым (6) токовым выходом входного дифференциального каскада (4) и через второй (14) токостабилизирующий резистор связан со второй (12) шиной источника питания, причем база первого (10) выходного транзистора промежуточного каскада соединена с базой второго (13) выходного транзистора промежуточного каскада, токовое зеркало (15) промежуточного каскада, выходной транзистор (16), эмиттер которого соединен с выходом устройства (3) и через второй (17) источник опорного тока связан со второй (12) шиной источника питания, а коллектор соединен с первой (8) шиной источника питания. В схему введены первый (18) и второй (19) дополнительные биполярные транзисторы, объединенные эмиттеры которых соединены с затвором дополнительного полевого транзистора (20) и через дополнительный резистор (21) подключены к объединенным базам первого (10) и второго (13) выходных транзисторов промежуточного каскада, которые соединены с истоком дополнительного полевого транзистора (20), сток дополнительного полевого транзистора (20) подключен ко второй (12) шине источника питания, база первого (18) дополнительного биполярного транзистора соединена с коллектором первого (10) выходного транзистора промежуточного каскада и через третий (22) источник опорного тока соединена с первой (8) шиной источника питания, база второго (19) дополнительного биполярного транзистора соединена с базой второго (13) выходного транзистора промежуточного каскада и через четвертый (23) источник опорного тока связана с первой (8) шиной источника питания, коллектор первого (18) дополнительного биполярного транзистора соединен с первой (8) шиной источника питания через пятый (24) источник опорного тока и связан со входом токового зеркала (15) промежуточного каскада, неинвертирующий выход которого подключен к выходу (3) устройства, а инвертирующий выход соединен с коллектором второго (19) дополнительного биполярного транзистора и базой выходного транзистора (16) и через шестой (25) источник опорного тока соединен с первой (8) шиной источника питания.
электронные устройства автоматики, вычислительной техники, систем связи и телекоммуникаций, предприятия и организации, занимающиеся созданием и производством высокотемпературной аналоговой электронной компонентной базы для радиотехнических устройств, в т.ч. на основе арсенид-галлиевых транзисторов.
Анна
Бугакова
Витальевна
Доцент, младший научный сотрудник УНИ ДГТУ (после оформления будет старший научный сотрудник)
Кандидат технических наук
Отсутствует
E-6820-2014
56543776600
818017
0000-0001-9255-0015
РОССИЯ
Максим
Минкин
Сергеевич
Начальник Управления научных исследований
РОССИЯ
47.41.33
Усилители
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Владислав
Чумаков
Евгеньевич
РОССИЯ
Николай
Прокопенко
Николаевич
РОССИЯ
Дмитрий
Клейменкин
Владимирович
РОССИЯ
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «ДОНСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
1026103727847
БЕСИК
МЕСХИ
ЧОХОЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения