Способ определения профиля распределения концентрации основных носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах
СВЧ-электроника Дельта-легированный слой квантовая яма InGaAs/GaAs
Технический результат заключается в повышении точности определения концентрации носителей заряда. В способе на поверхности полупроводниковой гетероструктуры проводят измерения емкости и дополнительно осуществляют травление для каждого функционального слоя структуры, измеряют зависимость емкости от напряжения в нестационарном режиме и зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от напряжения, определяют «окно профилирования» на заданной глубине, при котором максимально-допустимое значение тангенса угла диэлектрических потерь имеет значение 0.2, далее осуществляют пересчёт нестационарной вольт-фарадной характеристики в локальный профиль распределения концентрации основных носителей заряда по глубине гетероструктуры путем дифференцирования нестационарной вольт-фарадной характеристики по напряжению в области «окна профилирования». После чего путем суперпозиции локальных профилей распределения концентрации основных носителей заряда совмещают их с учетом сдвига вглубь по координате каждого локального профиля на соответствующую глубину травления и получают искомый профиль распределения концентрации основных носителей заряда по глубине гетероструктуры.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых гетероструктур для контроля профиля распределения концентрации основных носителей заряда по глубине, а также для анализа структур, оказавшихся у потребителя.
Георгий
Яковлев
Евгеньевич
ассистент кафедры МНЭ СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
O-8906-2015
57188697042
837296
https://etu.ru/ru/fakultety/fakultet-elektroniki/sostav-fakulteta/kafedra-mikroelektroniki/sostav-kafedry/yakovlev-g-e
0000-0002-7182-7561
РОССИЯ
Виктор
Тупик
Анатольевич
Проректор по научной работе
РОССИЯ
29.19.31
Полупроводники
01.03.UB
PHYSICS, APPLIED
Георгий
Яковлев
Евгеньевич
РОССИЯ
Василий
Зубков
Иванович
РОССИЯ
Анна
Соломникова
Васильевна
РОССИЯ
СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
1027806875381
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения
СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
1027806875381
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения