СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОПРОВОДЯЩЕГО СЛОЯ НА ОСНОВЕ ОКСИДА ГРАФЕНА И УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК
углеродные нанотрубки графен лазерное излучение электропроводность наноэлектроника биоэлектроника интеллектуальные носимые устройства
Изобретение относится к области электротехники, в частности, к способам создания электропроводящих материалов на основе углеродных наноматериалов, и может быть использовано для создания электропроводников в сенсорике, микроэлектронике и источниках электрической энергии. Технической проблемой изобретения является разработка способа формирования электропроводящего слоя на основе ОГ и УНТ, с обеспечением увеличения интенсивности лазерного излучения и минимизацией длительности импульсов лазерного излучения, с обеспечением соединения (сваривания) углеродных наноматериалов (ОГ и УНТ) в единую структуру посредством воздействия лазерного излучения (сварки). Технический результат заключается в увеличении термической стойкости из-за отсутствия полимерного связующего в составе электропроводящего слоя, улучшении твёрдости и электропроводности формируемых слоёв за счет формирования контактов между УНТ в присутствии ОГ в процессе сварки. Для достижения вышеуказанного технического результата способ формирования электропроводящего слоя на основе ОГ и УНТ включает следующие операции: окислительную обработку УНТ, изготовление суспензии ОГ и УНТ, формирование слоя путём нанесения суспензии ОГ и УНТ на нагретую подложку и облучение сформированного слоя из ОГ и УНТ лазерным излучением в импульсном режиме.
Созданный РИД может быть использован в учебном процессе физического факультета СГУ для подготовки бакалавров и магистров по направлению «Радиофизика» при реализации дисциплин учебного плана «Введение в физику наноструктур», «Технология электронных наноустройств», «Физика конденсированного состояния», «Физические основы работы наносистемной техники» и для выполнения курсовых и дипломных работ, для подготовки бакалавров по направлению «Конструирование и технология электронных средств» при реализации дисциплин учебного плана «Физические основы наноэлектроники», «Теория конденсированного состояния» и выполнения НИР и дипломных работ.
Ольга
Глухова
Евгеньевна
Заведующая кафедрой
Доктор физико-математических наук
Профессор
C-5497-2013
55900629900
33028
https://www.sgu.ru/person/gluhova-olga-evgenevna
0000-0002-5670-2058
РОССИЯ
Алексей
Чумаченко
Николаевич
Ректор
РОССИЯ
29.19.25
Взаимодействие проникающего излучения с твердыми телами
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
47.09.48
Наноматериалы для электроники
01.03.UB
PHYSICS, APPLIED
01.03.UI
PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY
Ольга
Глухова
Евгеньевна
20%
РОССИЯ
Александр
Герасименко
Юрьевич
20%
РОССИЯ
Юрий
Шаман
Петрович
20%
РОССИЯ
Артем
Куксин
Викторович
20%
РОССИЯ
Евгений
Кицюк
Павлович
20%
РОССИЯ
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
ФГБОУ ВО "СГУ имени Н.Г.Чернышевского", Саратовский университет, СГУ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н. Г. Чернышевского"
1026402674935
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения