Способ получения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута
Теллурид висмута Термоэлектрики
Способ получения термоэлектрического материала на основе теллурида висмута  формулы Bi 2-xInxTe 2,7Se0,3 , где х = 0,01или 0,04 или 0,05, относится к технологии получения полупроводникового низкотемпературного термоэлектрического материала электронного типа проводимости и может быть использован при создании высокоэффективных термоэлектрических генераторных и охлаждающих модулей. Способ характеризуется тем, что  легирование индием материала  Bi2Te2,7Se0,3 осуществляют на стадии сольвотермально-микроволнового синтеза.  Для чего смешивают раствор окиси висмута Bi2O3 в  этиленгликоле, содержащим KOH в соотношении 1 г щелочи на 16 мл этиленгликоля, с раствором, полученным путем растворения оксида теллура и гидроселенита натрия в этиленгликоле, содержащем щелочь из расчета 1г КОН на 80 мл этиленгликоля при температуре раствора 80-100°С. Затем в полученную смесь добавляют нитрат индия в стехиометрическом соотношении в соответствии с формулой Bi 2-xInxTe 2,7Se0,3 , где х = 0,01или 0,04 или 0,05,  и выдерживают при температуре 90°С в течение 1 часа до получения прозрачного, желтоватого раствора, который  затем подвергают  сольвотермальному-микроволновому синтезу в течение 5 мин при температуре 185°С. Остужают суспензию порошка  Bi 2-xInxTe 2,7Se0,3 ,  где х = 0,01или 0,04 или 0,05, естественным образом до комнатной температуры. Затем  порошок отделяют центрифугированием, промывают 3 раза изопропиловым спиртом, 1 раз ацетоном. Высушивают в вакуумном сушильном шкафу при температуре 100°С в течение часа и  компактируют в графитовой пресс-форме искровым плазменным спеканием при температуре 400°С и давлении 40 МПа в течение 2 минут.
Изобретение относится к технологии получения полупроводникового низкотемпературного термоэлектрического материала электронного типа проводимости и может быть использовано при создании высокоэффективных термоэлектрических генераторных и охлаждающих модулей.
Алексей
Васильев
Евгеньевич
-
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
O-5497-2017
57216186840
РОССИЯ
Алексей
Васильев
Евгеньевич
-
РОССИЯ
31.17.15
Неорганическая химия
29.19.31
Полупроводники
01.03.UB
PHYSICS, APPLIED
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
Алексей
Васильев
Евгеньевич
40%
РОССИЯ
Олег
Иванов
Николаевич
30%
РОССИЯ
Максим
Япрынцев
Николаевич
30%
РОССИЯ
ФОНД СОДЕЙСТВИЯ ИННОВАЦИЯМ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
Алексей
Васильев
Евгеньевич
Физическое лицо
РОССИЯ