Способ изготовления полупроводникового прибора
слой нитрида области стока и истока ток утечки полевой транзистор полупроводниковый прибор
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов. Способ согласно изобретению осуществляют следующим образом: формируют области стока и истока, электрода затвора, барьерного слоя нитрида титана, при этом барьерный слой нитрида титана TiN формируют ВЧ-распылением при подводимой мощности в 1 кВт и давлении азота 10 Па со скоростью нанесения 10 нм/мин, толщиной 150 нм, с последующим отжигом в атмосфере азота при температуре 600°С в течение 10 мин. Изобретение обеспечивает снижение значений тока утечки, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным значением тока утечки.
29.19.31
Полупроводники
Асламбек
Хасанов
Идрисович
"Кандидат физико-математических наук"
"Доцент"
РОССИЯ
ФИПС
ФИПС
1067757741479
Организация
Федеральные министерства, федеральные службы и федеральные агентства, руководство деятельностью которых осуществляет Президент Российской Федерации, федеральные службы и федеральные агентства, подведомственные этим федеральным министерствам
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЧЕЧЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АХМАТА АБДУЛХАМИДОВИЧА КАДЫРОВА"
1032001202903
ЗАУРБЕК
САИДОВ
АСЛАНБЕКОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения