Способ выращивания монокристаллов Ga2O3 из раствора в расплаве
РОСТ МОНОКРИСТАЛЛОВ, РАСТВОР-РАСПЛАВНАЯ КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ, ОКСИД ГАЛЛИЯ
Достигаемый результат при использовании ноу-хау: Получение монокристаллических оптических элементов Ga2O3 для использования в оптоэлектронных и полупроводниковых приборах.Краткое описание: Разработан способ поверхностного выращивания высококачественных монокристаллов прозрачного полупроводника Ga2O3 из раствора в расплаве на основе системы Bi2O3-ZnO-CdO-MoO3-WO3-Na2O. Приведены методики синтеза прекурсоров, режимы выращивания кристаллов и методики получения оптических элементов. Изготовлены монокристаллические оптические элементы Ga2O3 диаметром 40 мм и толщиной 5 мм. Приведены результаты измерений электрических и оптических характеристик элементов.
Создание тонкопленочных полевых транзисторов, барьеров Шоттки с обратными напряжениями вплоть до нескольких кВ и датчиков УФ диапазона на основе Ga2O3. Использование Ga2O3 для фотокаталитического расщепления высокоомных соединений и молекул воды, для получения водорода в водородной энергетики.
Галашов Е. Н.
н. с.
Чуркин Д. В.
проректор по научно-исследовательской деятельности
31.15.17
Кристаллохимия и кристаллография
01.04.FI
CRYSTALLOGRAPHY
Виталий
Московских
Анатольевич
40 %
Арсений
Галашов
Евгеньевич
20 %
Евгений
Галашов
Николаевич
40 %
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
Новосибирский государственный университет; НГУ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Новосибирский национальный исследовательский государственный университет"
1025403658565
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения