Реактор для плазмохимической обработки полупроводниковых структур
травление технологических материалов обработка полупроводниковых структур
Задача изобретения заключается в создании плазмохимического реактора для высокоскоростного травления кремния, диэлектрических и полупроводниковых материалов на подложках большого диаметра (200-300 мм), а также высокоскоростного травления кварца, алмазоподобных пленок, карбида кремния и других материалов на глубину до 100 мкм и выше, где требуется высокая удельная ВЧ мощность на единицу поверхности для обеспечения высоких скоростей травления 1-5 мкм/мин.
Изобретение относится к области микроэлектроники, в частности к реакторам высокоплотной и высокочастотной плазменной обработки, и может быть использовано в производстве полупроводниковых приборов и интегральных схем.
Вадим
Одиноков
Васильевич
Заместитель генерального директора по науке
Доктор технических наук
Профессор
-
-
РОССИЯ
Михаил
Бирюков
Георгиевич
Генеральный директор
РОССИЯ
47.13.11
Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Владимир
Долгополов
Миронович
РОССИЯ
Павел
Иракин
Александрович
РОССИЯ
Константин
Логунов
Владимирович
РОССИЯ
Павел
Афонин
Евгеньевич
РОССИЯ
Илья
Иванов
Александрович
РОССИЯ
МИНПРОМТОРГ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1047796323123
ДЕНИС
МАНТУРОВ
ВАЛЕНТИНОВИЧ
Организация
Министерство промышленности и торговли Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
АО НИИТМ
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт точного машиностроения"
1027700037749
Организация
Приватизированные предприятия
Непубличные акционерные общества