Полупроводниковый электролюминесцентный источник света
электролюминесцентный источник света полупроводник светодиод гетероструктура оптическое излучение внешняя квантовая эффективность
Полупроводниковый электролюминесцентный источник света содержит подложку GaAs и излучающую p-n-гетероструктуру AlGaInAs, включающую  AlGaInAs изотипную  с подложкой фотолюминесцентную структуру (FS), к которой примыкает  AlGaAs электролюминесцентная p-n структура (ES). FS и ES содержат соответственно активные области с множественными квантовыми ямами, выполненными из InyGa1-yAs-AlxGa1-xAs в FS и из  AlxGa1 xAs в ES. К активным областям с обеих сторон прилегают ограничивающие слои из AlхGa1-хAs с концентрацией Al в ES и FS большей, чем в слоях активных областей в FS и в ES. К ограничивающим слоям прилегают барьерные AlхGa1-хAs слои с концентрацией Al в ES и FS, превышающей концентрацию Al в ограничивающих слоях ES и FS. При этом концентрации Al слоях активной области ES установлены превышающими концентрации Al в ограничивающих слоях FS. Два фронтальных слоя в ES выполнены с типом проводимости, противоположным типу проводимости подложки и остальных слоев гетероструктуры, выполненных изотипными с подложкой. Установлены соотношения толщин между  ограничивающими и барьерными слоями в FS и ES. Полупроводниковый электролюминесцентный источник света обеспечивает увеличение внешнего квантового выхода излучения при величине внутренней квантовой эффективности близкой к 100% в фотолюминесцентной части структуры.
Изобретение относится к полупроводниковым электролюминесцентным источникам света на основе гетероструктур и предназначено для увеличения внешней квантовой эффективности излучения в гетероструктурах с активными излучающими областями, применяемыми для прямого преобразования электроэнергии в оптическое излучение, в частности в светодиодах, и может быть использовано в полупроводниковой промышленности для увеличения эффективности оптических излучателей.
Николай
Калюжный
Александрович
ведущий научный сотрудник
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
A-7567-2014
26027489200
0000-0001-8443-4663
РОССИЯ
Сергей
Иванов
Викторович
Директор
РОССИЯ
44.41.35
Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
Николай
Калюжный
Александрович
"Кандидат физико-математических наук"
"Отсутствует"
"A-7567-2014"
"26027489200"
"0000-0001-8443-4663"
РОССИЯ
Николай
Давидюк
Юрьевич
"Кандидат физико-математических наук"
"Отсутствует"
"E-6517-2014"
"-"
"-"
РОССИЯ
Вячеслав
Андреев
Михайлович
"Доктор технических наук"
"Член-корреспондент РАН"
"C-1054-2014"
"7401665569"
"20559"
"0000-0001-9927-3719"
РОССИЯ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
ВАЛЕРИЙ
ФАЛЬКОВ
НИКОЛАЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
1037804006998
СЕРГЕЙ
ИВАНОВ
ВИКТОРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения