Маска для взрывной фотолитографии
взрывная фотолитография маска для фотолитографии
Областью применения предлагаемой полезной модели является микроэлектроника, а также может быть использована при изготовлении ряда электронных приборов, например, для формирования контакта Шоттки, металлизации из слабоподдающихся травлению материалов.
Результатом предлагаемой полезной модели является расширение возможности использования маски для нанесения рабочих слоев с помощью магнетронного распыления.
Указанный результат достигается тем, что в отличие от известной маски для взрывной фотолитографии состоящей из слоя резиста для взрывной литографии, фоторезиста с рисунком на обрабатываемой пластине, в предлагаемой маске для взрывной фотолитографии, между слоем резиста для взрывной литографии и фоторезиста вводится  дополнительный слой алюминия, толщиной  0,2 <= d <= 0,3 мкм.
Микроэлектроника.
Андрей
Демидов
Александрович
гнс
Доктор физико-математических наук
Доцент
B-8234-2012
7004500139
140403
0000-0002-8639-3575
РОССИЯ
Олег
Федонин
Николаевич
Ректор
РОССИЯ
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Николай
Брюхно
Александрович
0,25
РОССИЯ
Маргарита
Котова
Юрьевна
0,25
РОССИЯ
Алексей
Малаханов
Алексеевич
0,25
РОССИЯ
Владимир
Пугачев
Игоревич
0,25
РОССИЯ
ЗАО "Группа Кремний Эл"
Закрытое акционерное общество "Группа Кремний Эл"
1023202741781
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Непубличные акционерные общества
ФГБОУ ВО "БГТУ"
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Брянский государственный технический университет"
1023201058627
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения