Способ изготовления полупроводникового прибора
полевой транзистор, радиационной стойкость, окисление затвора
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенной радиационной стойкостью. В способе изготовления полупроводникового прибора после окисления затвора производят диффузию золота с обратной стороны кремниевой пластины концентрацией 3*1015-1*1016 см-3, при температуре 930-950°С, с последующим термическим отжигом при температуре 600°С в течение 35 минут. Затем формируют полевые транзисторы и электроды стока, истока и затвора по стандартной технологии. Золото компенсирует быстрые ловушки на границе раздела и создают дополнительные акцепторные состояния на границе раздела в близи валентной зоны, способствует диффузионному залечиванию дефектов.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора путем диффузии золота с обратной стороны кремниевой пластины концентрацией 3*1015-1*1016 см-3, при температуре 930-950°С, с последующим термическим отжигом при температуре 600°С в течение 35 минут, позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность
Хасанов А..И.
Ст. преп. кафедры
Кандидат физико-математических наук
Саидов З. А.
Ректор
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
01.01.UR
PHYSICS, MATHEMATICAL
Асламбек
Хасанов
Идрисович
Автор
Арслан
Мустафаев
Гасанович
Исполнитель
Гасан
Мустафаев
Абакарович
Исполнитель
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет"
1032001202903
Организация
Министерство регионального развития Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения