Безрезистивный арсенид-галлиевый операционный усилитель с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля
Безрезистивный арсенид-галлиевый операционный усилитель систематической составляющей напряжения смещения нуля
Предполагаемое изобретение относится к области радиотехники и может использоваться в качестве базового функционального узла многих  устройств автоматики, вычислительной техники, систем связи и приборостроения, в т.ч. работающих при высоких температурах.
Технический результат: 
- разработка схемы ОУ, которая реализуется в рамках совмещенного GaAs технологического процесса, позволяющего создавать только p-n-p биполярные и nJFet полевые транзисторы с управляющим p-n переходом, 
- создание схемы ОУ с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля, что не реализуется в схеме ОУ-прототипа,
- построение схемы ОУ без применения интегральных резисторов, которые неудовлетворительно работают при высоких температурах. Заявляемая схема может также реализовываться на других широкозонных полупроводниках (GaN, SiC).
Безрезистивный арсенид-галлиевый операционный усилитель с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, а также потенциальный выход (3), первый (4) входной биполярный транзистор, база которого подключена к первому (1) входу устройства, второй (5) входной биполярный транзистор, база которого подключена ко второму (2) входу устройства, первый (6) токостабилизирующий двухполюсник, включенный между первой (7) шиной источника питания и объединенными эмиттерами первого (4) и второго (5) входных биполярных транзисторов, первый (8) и второй (9) биполярные транзисторы токового зеркала, эмиттеры которых соединены друг с другом, база первого (8) биполярного транзистора токового зеркала соединена с коллектором этого транзистора и подключена к коллектору первого (4) входного биполярного транзистора и к базе второго (9) биполярного транзистора токового зеркала, коллектор второго (5) входного биполярного транзистора соединен с коллектором второго (9) биполярного транзистора токового зеркала и базой выходного биполярного транзистора (10), коллектор выходного биполярного транзистора (10) связан со второй (11) шиной источника питания, а его эмиттер соединен с первой (7) шиной источника питания через второй (12) токостабилизирующий двухполюсник. Между коллектором первого (4) входного биполярного транзистора и второй (11) шиной источника питания включен первый (13) дополнительный источник опорного тока, между коллектором второго (5) входного биполярного транзистора и второй (11) шиной источника питания включен второй (14) дополнительный источник опорного тока, объединенные эмиттеры первого (8) и второго (9) биполярных транзисторов токового зеркала связаны с эмиттером выходного биполярного транзистора (10), причем первый (6) и второй (12) токостабилизирующие двухполюсники, первый (13) и второй (14) дополнительные источники опорного тока выполнены на арсенид-галлиевых полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, а численные значения токов первого (6) токостабилизирующего двухполюсника, первого (13) и второго (14) дополнительных источников опорного тока приблизительно в (2) раза меньше тока второго (12) токостабилизирующего двухполюсника.
электронные устройства автоматики, вычислительной техники, систем связи и телекоммуника-ций, предприятия и организации, занимающиеся созданием и производством высокотемпера-турной аналоговой электронной компонентной базы для радиотехнических устройств, в т.ч. на основе арсенид-галлиевых транзисторов.
Анна
Бугакова
Витальевна
Доцент, младший научный сотрудник УНИ ДГТУ (после оформления будет старший научный сотрудник)
Кандидат технических наук
Отсутствует
E-6820-2014
56543776600
818017
0000-0001-9255-0015
РОССИЯ
Максим
Минкин
Сергеевич
Начальник Управления научных исследований
РОССИЯ
47.41.33
Усилители
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Дмитрий
Клейменкин
Владимирович
РОССИЯ
Марсель
Сергеенко
Алексеевич
РОССИЯ
Николай
Прокопенко
Николаевич
РОССИЯ
Илья
Фролов
Владимирович
РОССИЯ
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «ДОНСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
1026103727847
БЕСИК
МЕСХИ
ЧОХОЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения