Способ травления карбида кремния
плазма охлаждаемый подложкодержатель пиллары микромаскирование
Изобретение относится к технологии микроэлектроники, в частности, к методам плазмохимического травления. Может быть использовано при создании заземляющих контактов силовой электроники на основе SiC.
Изобретение направлено на создание способа травления карбида кремния в низкотемпературной индуктивно-связанной плазме в смеси газов гексафторида серы, кислорода и аргона, при котором дополнительно охлаждают подложкодержатель до температуры в диапазоне [25; -50] ºС, что позволяет избежать эффекта микромаскирования во время процесса травления.
Силовая электроника, микроэлектроника
Алексей
Боровков
Иванович
Проректор по цифровой трансформации
Кандидат технических наук
Доцент
G-3055-2011
840090300
6567
РОССИЯ
Виталий
Сергеев
Владимирович
Первый проректор
РОССИЯ
47.13.19
Прочие технологические процессы и оборудование в производстве радиоэлектронной аппаратуры
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Артём
Осипов
Арменакович
РОССИЯ
Екатерина
Ендиярова
Вячеславовна
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФГАОУ ВО СПБПУ,СПБПУ,ФГАОУ ВО "СПБПУ", САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ПЕТРА ВЕЛИКОГО
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ПЕТРА ВЕЛИКОГО"
1027802505279
АНДРЕЙ
РУДСКОЙ
ИВАНОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения