Двухспектральный фотодиод для средеволнового инфракрасного излучения
двухспектральный фотоприемник, двухспектральное фотоприемное устройство, двухспектральный фотодиод
Двухспектральный фотодиод содержит полупроводниковую подложку из n-InAs, прозрачную для излучения в длинноволновой области рабочего спектра фотодиода и две гетроструктуры, выращенные на ее противоположных сторонах. Каждая из гетероструктур, содержит не менее 2-х эпитаксиальных слоев, выращенных из полупроводника А3В5, например, InAs, InAsSb или InAsSbP, которые имеют разные типы проводимости (т.е. каждая гетероструктура содержит p-n переход).
В приборах газового анализа для одновременного детектирования излучения в опорном и измерительном каналах; в пирометрах отношения для одновременного детектирования излучения в разных диапазонах длин волн.
Матвеев Б.А.
Главный научный сотрудник
Доктор физико-математических наук
Ременный М. А.
Генеральный директор
59.35.29
Приборы для измерения состава и физико-химических свойств газов
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Борис
Матвеев
Анатольевич
Научный руководитель
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ООО "ИОФФЕЛЕД"
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ИОФФЕЛЕД"
1057811356580
МАКСИМ
РЕМЕННЫЙ
АНАТОЛЬЕВИЧ
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Общества с ограниченной ответственностью