Арсенид-галлиевый операционный усилитель
Арсенид-галлиевый операционный усилитель усилитель
Изобретение относится к области аналоговой микроэлектроники и может быть использовано в структуре аналого-цифровых интерфейсов и IP-модулей систем автоматики, связи и телекоммуникаций, допускающих работу в условиях высоких температур.
Технический результат: создание схемы арсенид-галлиевого операционного усилителя на p-n-p биполярных и nJFet полевых транзисторах, работающего по выходу в режиме класса АВ при сравнительно низкоомных сопротивлениях нагрузки.
Арсенид-галлиевый операционный усилитель содержит первый (1) и второй (2) входы, входной дифференциальный каскад (3), первый (4) и второй (5) транзисторы входного дифференциального каскада (3), статический режим которых устанавливается по токовому входу (6) первым (7) источником опорного тока, связанным с первой (8) шиной источника питания, первый (9) токовый выход входного дифференциального каскада (3), связанный со второй (10) шиной источника питания через второй (11) источник опорного тока и подключенный к истоку первого (12) выходного полевого транзистора, второй (13) токовый выход входного дифференциального каскада (3), соединенный со второй (10) шиной источника питания через третий (14) источник опорного тока и подключенный к истоку второго (15) выходного полевого транзистора, затвор которого связан с затвором первого (12) выходного полевого транзистора, токовое зеркало (16), вход которого соединен со стоком первого (12) выходного полевого транзистора, а выход подключен к стоку второго (15) выходного полевого транзистора, причем неинвертирующий токовый выход (17) токового зеркала (16) согласован с первой (8) шиной источника питания. Первый (4) и второй (5) транзисторы входного дифференциального каскада (3) выполнены в виде арсенид-галлиевых p-n-p транзисторов, токовое зеркало (16) реализовано на первом (18) и втором (19) арсенид-галлиевых биполярных транзисторах, эмиттеры которых подключены к неинвертирующему токовому выходу (17) токового зеркала (16), база первого (18) арсенид-галлиевого биполярного транзистора соединена с базой второго (19) арсенид-галлиевого биполярного транзистора и подключена к коллектору первого (18) арсенид-галлиевого биполярного транзистора, который является входом токового зеркала (16), выход токового зеркала (16) соединен с базой первого (20) выходного биполярного транзистора, коллектор которого подключен ко второй (10) шине источника питания, а эмиттер соединен с неинвертирующим токовым выходом (17) токового зеркала (16), подключен к базе второго (21) выходного биполярного транзистора и через токостабилизирующий двухполюсник (22) связан с первой (8) шиной источника питания, коллектор второго (21) выходного биполярного транзистора соединен со второй (10) шиной источника питания, а эмиттер связан с потенциальным выходом устройства (23) и истоком выходного (24) полевого транзистора с управляющим p-n переходом, затвор которого соединен со входом токового зеркала (16), а сток подключен к первой (8) шине источника питания, причем затворы первого (12) и второго (15) выходных полевых транзисторов связаны со второй (10) шиной источника питания.
электронные устройства автоматики, вычислительной техники, систем связи и телекоммуникаций, предприятия и организации, занимающиеся созданием и производством высокотемпературной аналоговой электронной компонентной базы для радиотехнических устройств, в т.ч. на основе арсенид-галлиевых транзисторов.
Анна
Бугакова
Витальевна
Доцент, младший научный сотрудник УНИ ДГТУ (после оформления будет старший научный сотрудник)
Кандидат технических наук
Отсутствует
E-6820-2014
56543776600
818017
0000-0001-9255-0015
РОССИЯ
Максим
Минкин
Сергеевич
Начальник Управления научных исследований
РОССИЯ
47.41.33
Усилители
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Дмитрий
Клейменкин
Владимирович
РОССИЯ
Илья
Фролов
Владимирович
РОССИЯ
Владислав
Чумаков
Евгеньевич
РОССИЯ
Николай
Прокопенко
Николаевич
РОССИЯ
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «ДОНСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
1026103727847
БЕСИК
МЕСХИ
ЧОХОЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения