Топология верхних уровней металлизации с массивами мемристивных устройств для интеграции в тестовые структуры и функциональные блоки микросхемы энергонезависимой резистивной памяти
МИКРОСХЕМЫ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ РЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ, ТОПОЛОГИЯ ТЕСТОВЫХ СТРУКТУР, ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ МАРШРУТ, ФУНКЦИОНАЛЬНЫЕ БЛОКИ МИКРОСХЕМЫ
Топология содержит: тестовые структуры для контроля технологических параметров используемых слоев и контактов; контур отдельных мемристивных устройств; массив мемристивных устройств, объединенных в 16-битное слово; массивы мемристивных устройств кросс-бар 8×8 для ячеек памяти 1M с неуправляемыми шинами и 1D1M с управляющими диодами; массив мемристивных устройств кросс-бар для ячеек памяти высокой плотности 1Т1М с управляющими транзисторами в составе банка памяти 32×8 бит; массив мемристивных устройств для дифференциальных ячеек памяти 4T2M повышенной надежности. Мемристивные устройства формируются между 3 и 4 уровнями металлизации путем нанесения методом магнетронного распыления нижних электродов, слоя рабочего оксида, верхних электродов, защитного слоя SiO2, вакуумного напыления контактных площадок. Площадь кристалла – 10×10 мм2 и обеспечивает его монтаж в металлокерамический корпус марки 5134.64-6.
Топология предназначена для контроля параметров технологии изготовления функциональных блоков микросхемы энергонезависимой резистивной памяти КМОП КНИ с топологическими размерами 0,35 мкм и четырьмя уровнями металлизации для межсоединений на основе интеграции в слои металлизации мемристивных устройств (МУ) со структурой «металл-оксид-металл», демонстрирующих адаптивное изменение сопротивления под действием электрического поля или тока. Дополнительно топология может быть использована для исследования применения МУ в системах нейроморфных вычислений.
Михайлов А.Н.
Заведующий лабораторией
Кандидат физико-математических наук
Иванченко М.В.
Проректор по научной работе
47.33.37
Приборы функциональной микроэлектроники
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
47.33.31
Интегральные микросхемы
02.10.00
Nano-technology
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Евгений
Грязнов
Геннадьевич
разработка топологии с использованием библиотеки топологических элементов и проведение моделирования
Алексей
Михайлов
Николаевич
разработка и оптимизация отдельных топологических решений в части функционального назначения тестовых структур
Дмитрий
Королев
Сергеевич
разработка и оптимизация топологических решений в части пространственно-геометрического расположения совокупности элементов и связей между ними
Юрий
Макарычев
Константинович
оптимизация конструктивных вариантов тестовых структур и топологических решений с учетом требований, предъявляемых к конструкторской документации
Иван
Антонов
Николаевич
разработка топологических решений в части оптимизации технологии осаждения тонкопленочной структуры
Александр
Шарапов
Николаевич
оптимизация конструктивных вариантов тестовых структур с учетом результатов измерения их электрофизических параметров
Министерство образования Нижегородской области
Министерство образования Нижегородской области
1035205388624
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Учреждения
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского».
1025203733510
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения