Способ формирования пустот в ионных кристаллах
ФОРМИРОВАНИЕ ПУСТОТ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ
Способ формирования пустот в ионных кристаллах KBr, в котором на поверхность пластины кристалла KBr особой чистоты кладут навеску из Mg особой чистоты и помещают пластину в кварцевую трубку, откачивают до давления 10-2÷10-3 Па, нагревают до температуры T1 = 450÷520°С, затем производят отжиг в течение времени τ1 = 5÷15 часов, после этого производится охлаждение до температуры Т2 = 20÷22°С и выдержка в течение τ2 = 2÷3 часов, затем в области диффузии Mg в данных пластинах генерируют импульсы растягивающих напряжений амплитудой не менее 50 МПа.
ФОРМИРОВАНИЕ ПУСТОТ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ
Кузин А.Г.
инженер
Прудников П.В.
проректор по научной работе
29.19.11
Дефекты кристаллической структуры
01.03.UB
PHYSICS, APPLIED
Олег
Савенко
Михайлович
Экспериментально обосновал основные признаки формулы изобретения
Александр
Кузин
Геннадьевич
предложил все признаки формулы изобретения
ФГБОУ ВО "ОмГУ им. Ф.М. Достоевского"
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского"
1025500532947
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения