«Синтез нелегированных плёнок монокристаллического алмаза методом CVD без травления подложек»
МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКАЯ АЛМАЗНАЯ ПЛЕНКА, БОРИРОВАННАЯ ПОДЛОЖКА, ГОМОЭПИТАКСИАЛЬНАЯ СТРУКТУРА
На начальном этапе CVD процесса алмазная подложка подвергается воздействию плазмы чистого водорода, вызывающей её травление. Это травление неоднородно, что приводит к образованию так называемых ямок травления. В задаче гомоэпитаксии нелегированного алмаза на легированной подложке травление алмазной подложки в водородной плазме приводит к двум нежелательным последствиям:
1. Из-за ямок травления граница раздела легированной подложки и эпитаксиальной плёнки становится неровной, что приводит к неоднородности электрического поля в ней.
2. Травление легированной алмазной подложки приводит к загрязнению газовой смеси и, в дальнейшем, растущего эпитаксиального материала, легирующей примесью.
	Для устранения этих недостатков предлагается использовать два приёма:
1. Перед установкой в реактор легированная алмазная подложка должна быть пройти предварительную подготовку, которая заключается в стравливании с полированной поверхности подложки адсорбированных примесей и повреждённого полировкой алмазного слоя методом сухого ионно-реактивного травления. Этот процесс осуществляется в специальном реакторе обычно в плазме аргона и/или кислорода и позволяет избавиться от стадии очистки подложке в плазме чистого водорода.
2. Выбор режима на начальном этапе CVD процесса, в частности состава газовой смеси, таким образом, чтобы избежать травления подложки с одной стороны и осаждения сажи с другой.
Может использоваться при разработке инновационных методов синтеза монокристаллических алмазных полупроводниковых материалов и гетероструктур изолятор-полупроводник-проводник.
Анатолий
Красильников
Витальевич
Директор
Доктор физико-математических наук
Член-корреспондент РАН
-
-
-
-
РОССИЯ
Анатолий
Красильников
Витальевич
Директор
РОССИЯ
61.31.40
Неорганические углеродные соединения
29.19.11
Дефекты кристаллической структуры
02.05.QG
MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS
01.04.FI
CRYSTALLOGRAPHY
Роман
Хмельницкий
Абрамович
Автор
РОССИЯ
Николай
Родионов
Борисович
Автор
РОССИЯ
Александр
Трапезников
Геннадьевич
Автор
РОССИЯ
Валентина
Родионова
Петровна
Автор
РОССИЯ
ГОСКОРПОРАЦИЯ "РОСАТОМ"
ГОСУДАРСТВЕННАЯ КОРПОРАЦИЯ ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ "РОСАТОМ"
1077799032926
Организация
Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
Государственные корпорации
Частное учреждение "ИТЭР-Центр"
Частное учреждение Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом" "Проектный центр ИТЭР"
1107799034617
Организация
Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
Частные учреждения