Способ контрастирования слоя нитрида кремния на двуокиси кремния в растровой электронной микроскопии
растровая электронная микроскопия методы контроля сечений многослойных структур контрастирующие покрытия
Изобретение относится к растровой электронной микроскопии, к методам контроля поперечных сечений многослойных структур полупроводниковых чипов интегральных схем. При реализации способа контрастирования слоя нитрида кремния на двуокиси кремния производится путем нанесения на поверхность образца контрастирующего покрытия из платиносодержащего слоя, осажденного в системе фокусированного ионного пучка из паров металлоорганического соединения платины при падении ионного пучка под углом 10-15 градусов к поверхности образца. Технический результат заключается в увеличении контрастности слоя нитрида кремния по отношению к слою двуокиси кремния в электронной микроскопии.
Методы контроля поперечных сечений многослойных структур полупроводниковых чипов интегральных схем.
Владимир
Козлов
Алексеевич
руководитель сектора
Отсутствует
Отсутствует
-
-
-
-
РОССИЯ
Сергей
Гаврилов
Александрович
Проректор
РОССИЯ
47.13.11
Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Николай
Алексеев
Васильевич
РОССИЯ
Николай
Боргардт
Иванович
РОССИЯ
Александр
Румянцев
Владимирович
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИЭТ"; НИУ МИЭТ;МИЭТ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
1027739615584
ВЛАДИМИР
БЕСПАЛОВ
АЛЕКСАНДРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения