Способ настройки эпитаксиального выращивания в вакууме легированных слоёв кремния и резистивный испарительный блок для его осуществления
кремний, сублимация, легирование, молекулярно-лучевая эпитаксия
Группа изобретений относится к технологии изготовления полупроводниковых структур для приборов электронной техники и может быть использовано для регулирования степени легирования при эпитаксиальном выращивании в вакууме легированных слоёв кремния путём задействования теплообменного ресурса дополнительного изменения температуры нагретых резистивных источника паров кремния и источника паров легирующего элемента при неизменных, но различных степенях их резистивного нагрева (при постоянном расходе электрической энергии).
изготовление полупроводниковых структур
Шенгуров В.Г.
ведущий научный сотрудник
Иванченко М.В.
Проректор по научной работе
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
Владимир
Шенгуров
Геннадьевич
общее руководство, анализ и исследование структур
Вадим
Чалков
Юрьевич
выращивание структур и их исследование
Сергей
Денисов
Александрович
выращивание структур и их исследование
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского».
1025203733510
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения