Способ определения профиля распределения концентрации основных носителей заряда в полупроводниковых гетероструктурах
концентрация полупроводниковая гетероструктура
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых гетероструктур для контроля профиля распределения концентрации основных носителей заряда по глубине, а также для анализа структур, оказавшихся у потребителя. Задачей изобретения является создание способа измерения профиля распределения концентрации основных носителей заряда в полупроводниковых структурах, позволяющего получить технический результат, заключающийся в повышении точности определения концентрации носителей заряда. Способ определения профиля распределения концентрации основных носителей заряда по глубине в полупроводниковых гетероструктурах, при котором на образце полупроводниковой гетероструктуры проводят измерения емкости, , измеряют зависимость емкости от напряжения в нестационарном режиме и зависимость тангенса угла диэлектрических потерь от напряжения, далее осуществляют пересчёт нестационарной вольт-фарадной характеристики в локальный профиль распределения концентрации основных носителей заряда по глубине гетероструктуры путем дифференцирования нестационарной вольт-фарадной характеристики по напряжению в области «окна профилирования»,  и получают искомый профиль распределения концентрации основных носителей заряда по глубине гетероструктуры
может быть использовано в технологии изготовления полупроводниковых гетероструктур для контроля профиля распределения концентрации основных носителей заряда по глубине, а также для анализа структур, оказавшихся у потребителя.
Георгий
Яковлев
Евгеньевич
ассистент кафедры МНЭ СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
O-8906-2015
57188697042
837296
https://etu.ru/ru/fakultety/fakultet-elektroniki/sostav-fakulteta/kafedra-mikroelektroniki/sostav-kafedry/yakovlev-g-e
0000-0002-7182-7561
РОССИЯ
Виктор
Тупик
Анатольевич
Проректор по научной работе
РОССИЯ
29.19.31
Полупроводники
01.03.UB
PHYSICS, APPLIED
Георгий
Яковлев
Евгеньевич
разработка способа
РОССИЯ
Василий
Зубков
Иванович
разработка способа
РОССИЯ
Анна
Соломникова
Васильевна
разработка способа
РОССИЯ
СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
1027806875381
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения
СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
1027806875381
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения