Способ изготовления полупроводникового прибора
полевой транзистор, ток утечки, кремниевая подложка
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.
Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат 5382534 США, МКИ H01L 21/265], в котором с помощью ионной имплантации в подложке между участками полевого окисла создаются два слоя - для установления порогового напряжения и для предотвращения эффекта смыкания. В этих слоях вскрываются две параллельные канавки, стенки и дно которых легируются соответственно наклонной и вертикальной ионной имплантацией. В таких структурах образуются механические напряжения, которые ухудшают параметры приборов.Известен способ изготовления полупроводникового прибора [Пат 5144394 США, МКИ H01L 29/06], в котором контактные области истока и стока полевого транзистора на поверхности кремниевой Si-подложки формируют с использованием процессов ионного легирования и диффузии, р-n переходы на внутренних границах указанных областей являются границами канала полевого транзистора. Для изоляции отдельных транзисторных структур используют слой толстого полевого окисла.
Хасанов А..И.
Ст. преп. кафедры
Кандидат физико-математических наук
Саидов З. А.
Ректор
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
01.01.UR
PHYSICS, MATHEMATICAL
Гасан
Мустафаев
Абакарович
Автор
Асламбек
Хасанов
Идрисович
Автор
Арслан
Мустафаев
Гасанович
Автор
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет"
1032001202903
Организация
Министерство регионального развития Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения