Радиационно-стойкий и низкотемпературный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах
Радиационно-стойкий и низкотемпературный операционный усилитель на комплементарных полевых транзисторах
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного JFet операционного усилителя без управляемых токовых зеркал, который обеспечивает малые значения систематической составляющей напряжения смещения нуля, а также повышенные коэффициент усиления по напряжению и коэффициент ослабления входных синфазных сигналов.Краткое техническое описание: в соответствии с формулой изобретения предлагается структу-ра радиационно-стойкого и низкотемпературного операционного усилителя (ОУ) на комплемен-тарных полевых транзисторах с управляющим p-n переходом, в котором отсутствуют JFet токо-вые зеркала, являющиеся основным источником статических погрешностей в JFET ОУ
Область практического использования: электронные устройства автоматики и связи, предприятия и организации, занимающиеся разработкой и производством аналоговой электронной компонентной базы, в т.ч. предназначенной для обработки сигналов датчиков в условиях воздействия низких температур и радиации.
Бутырлагин Н.В.
доцент
Кандидат технических наук
Месхи Б. Ч.
ректор
47.41.29
Фильтры
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Анна
Бугакова
Витальевна
25%
Николай
Прокопенко
Николаевич
25%
Владислав
Чумаков
Евгеньевич
25%
Алексей
Жук
Андреевич
25%
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
Донской государственный технический университет; ДГТУ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет"
1026103727847
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения