Способ создания двумерных ферромагнитных материалов EuGe2 и GdGe2 на основе германена
СПИНТРОНИКА, МИКРОЭЛЕКТРОНИКА, ГЕРМАНЕН, МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ, ДВУМЕРНЫЙ ФЕРРОМАГНЕТИЗМ
Изобретение относится к областям формирования тонких пленок, микро- и наноэлектроники, спинтроники. В изобретении описан способ получения двумерных ферромагнитных материалов, а именно EuGe2 и GdGe2 кристаллической модификации hP3 со структурой интеркалированного европием (гадолинием) многослойного германена. Пленки EuGe2 и GdGe2 формируются методом молекулярно-лучевой эпитаксии в условиях сверхвысокого вакуума
Микро- и наноэлектроника, спиновая электроника, изготовление спинового транзистора.
Демин В.А.
Директор-координатор по направлению природоподобные технологии
Кандидат физико-математических наук
Николаенко А.В.
Заместитель директора - главный ученый секретарь Центра
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.19.39
Ферромагнетики
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Иван
Соколов
Сергеевич
25%
Дмитрий
Аверьянов
Валерьевич
25%
Вячеслав
Сторчак
Григорьевич
25%
Андрей
Токмачёв
Михайлович
25%
Правительство России
Правительство Российской Федерации
Организация
-
-
НИЦ "Курчатовский институт"
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
1027739576006
Организация
Правительство Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения