Способ изготовления полупроводникового прибора со слаболегированными стоками
Полупроводниковые приборы, полевые транзисторы, термическое окисление, ионное легирование, стабильность, радиационная стойкость, пороговое напряжение.
Предложенный способ изготовления полупроводникового прибора со слаболегированными стоками последовательным формированием высоко легированных р+ областей истока-стока имплантацией ионов бора В+ с энергией 30кэВ, концентрацией легирующей примеси (1-2).1020см-3 и слаболегированных р- областей истока-стока имплантацией ионов бора В+ с энергией 10кэВ, дозой 1013 см-2 с последующим проведением быстрого термического отжига, при температуре 1050°С в течение 5 с, в атмосфере азота, позволяет  повысит процент выхода годных приборов и улучшит их надёжность.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с пониженным значением тока подложки и повышенной стойкости к воздействию горячих носителей.
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Гасан
Мустафаев
Абакарович
"Доктор технических наук"
"Профессор"
РОССИЯ
Наталья
Черкесова
Васильевна
"Кандидат физико-математических наук"
"Доцент"
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
КБГУ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова"
1020700739234
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения