Способ формирования тонкопленочных резисторов на основе сильнолегированного нитрида галлия
аммиачно молекулярная-лучевая эпитаксия тонкопленочные резисторы
Разработанное ноу-хау относится к области микроэлектроники и может быть успешно использовано в технологии изготовления СВЧ транзисторов и МИС на основе нитрида галлия. Предлагаемая технология позволяет решить критическую проблему воспроизводимости резистивных свойств тонкопленочных резисторов при напылении магнетронным методом, а также их устойчивости к внешним воздействиям
разработка и производство микроэлектронных устройств
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.03.39
Лабораторная электроника
Евгения
Колобкова
Михайловна
"Отсутствует"
"Отсутствует"
РОССИЯ
Иван
Куликов
Валерьевич
"Отсутствует"
"Отсутствует"
"-"
"-"
"-"
"-"
РОССИЯ
Иван
Езубченко
Сергеевич
"Отсутствует"
"Отсутствует"
РОССИЯ
Юлия
Грищенко
Викторовна
"Отсутствует"
"Отсутствует"
"K-2741-2014"
РОССИЯ
Александр
Андреев
Александрович
"Отсутствует"
"Отсутствует"
РОССИЯ
Максим
Занавескин
Леонидович
"Кандидат физико-математических наук"
"Отсутствует"
"D-6170-2014"
"-"
"-"
"-"
РОССИЯ
Игорь
Черных
Анатольевич
"Кандидат физико-математических наук"
"Отсутствует"
"H-4458-2014"
"35781658000"
"-"
"-"
РОССИЯ
Правительство России
Правительство Российской Федерации
Организация
-
-
НИЦ "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
1027739576006
МАРАТ
КАМБОЛОВ
АРКАДЬЕВИЧ
Организация
Правительство Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения