Способ увеличения микроволнового магниторезистивного эффекта в сверхрешетке (CoFe)/Cu
коэффициент отражения системы хранения и считывания информации наноструктура сверхрешетка Микроволновой гигантский магниторезистивный эффект
Использование: для получения микроволнового гигантского магниторезистивного эффекта в отражении от сверхрешетки типа (CoFe)/Cu. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют выращивание образца сверхрешетки на подложке из стекла Corning методом магнетронного напыления так, чтобы толщина слоя меди обеспечивала антипараллельное упорядочение спинов в соседних слоях CoFe, помещение образца в поперечное сечение прямоугольного волновода, полностью перекрывая это сечение, при этом магнитное поле прикладывают в плоскости сверхрешетки перпендикулярно направлению распространения волн, осуществление падения электромагнитных волн в диапазоне частот от 26 до 38 ГГц на образец, измерение коэффициента отражения микроволн R и его зависимости от магнитного поля с помощью панорамного измерителя амплитудно-частотных характеристик при комнатной температуре, расчет относительного изменения коэффициента отражения в магнитном поле по заданной математической формуле, при этом используют подложку, толщина которой кратна толщине четвертьволновой пластины, причем электромагнитная волна сначала падает на диэлектрическую подложку, затем на сверхрешетку по схеме - генератор-подложка-металл сверхрешетки. Технический результат: увеличение эффекта микроволнового гигантского магниторезистивного эффекта
Для применения при изготовлении высокопроизводительных систем считывания и хранения информации, сенсорных систем, а именно, магниторезистивных считывающих головок, ячеек памяти, сенсоров спиновых клапанов, обладающих высокой чувствительностью, за счет сильного эффекта микроволнового гигантского магнитосопротивления в отражении, наблюдаемого (установленного) в наноструктуре.
Анатолий
Ринкевич
Брониславович
Главный научный сотрудник, заведующий лабораторией
Доктор физико-математических наук
Член-корреспондент РАН
I-5296-2013
7006056394
http://www.imp.uran.ru/?q=ru/user_card&sotrudnik=100000
РОССИЯ
Николай
Мушников
Варфоломеевич
Директор
РОССИЯ
50.10.33
Читающие устройства
50.11.29
Магнитные запоминающие устройства
50.09.37
Датчики и преобразователи
02.02.AC
AUTOMATION & CONTROL SYSTEMS
02.02.ES
COMPUTER SCIENCE, HARDWARE & ARCHITECTURE
Ольга
Немытова
Владимировна
РОССИЯ
Анатолий
Ринкевич
Брониславович
РОССИЯ
Евгений
Кузнецов
Александрович
РОССИЯ
Дмитрий
Перов
Владимирович
РОССИЯ
Михаил
Миляев
Анатольевич
РОССИЯ
Владимир
Устинов
Васильевич
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ИФМ УрО РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики металлов имени М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук
1026604945245
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения