Высоковольтный нитрид-галлиевый транзистор нормально-закрытого типа
каскодный транзистор силовая электроника нитрид галлия
Полезная модель относится к высоковольтным транзисторам нормально-закрытого типа. Прибор изготавливается на основе GaN/AlGaN гетероструктуры. Обеспечивается пороговое напряжение 1В и более. Это достигается тем, что в предлагаемой конструкции транзистора, включающей последовательные буферный слой GaN, спейсерный слой AlN, барьерный слой AlGaN, слой p-GaN под электродом затвора и контактные электроды, добавляется дополнительный стоп-слой AlN между барьерным слоем AlGaN и слоем p-GaN. Это обеспечивает точный контроль порогового напряжения и малые значения токов утечки в затвор.
Изготовление нитрид-галлиевых схем для преобразования электрической энергии
Владимир
Беспалов
Александрович
Г. н. с.
Доктор технических наук
Профессор
P-6799-2015
57196985488
44925
-
РОССИЯ
Сергей
Гаврилов
Александрович
Проректор
РОССИЯ
47.33.29
Дискретные полупроводниковые приборы
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Владимир
Егоркин
Ильич
Разработка общей концепции изобретения
РОССИЯ
Максим
Журавлёв
Николаевич
Разработка технологического маршрута изготовления
РОССИЯ
Валерий
Земляков
Евгеньевич
Изготовление опытных образцов
РОССИЯ
Ольга
Кухтяева
Борисовна
Проведение измерений параметров готового транзистора
РОССИЯ
Владимир
Капаев
Васильевич
Подбор параметров приборных слоёв в соответствии с имеющимися технологическими возможностями
РОССИЯ
Владимир
Беспалов
Александрович
Разработка технологического подхода для увеличения порогового напряжения транзистора
РОССИЯ
АО "ЗНТЦ"
Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр"
1107746582052
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Непубличные акционерные общества
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИЭТ"; НИУ МИЭТ;МИЭТ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
1027739615584
ВЛАДИМИР
БЕСПАЛОВ
АЛЕКСАНДРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения