Арсенид-галлиевый операционный усилитель на основе «перегнутого» каскода
Арсенид-галлиевый операционный усилитель усилитель на основе «перегнутого» каскода
Предполагаемое изобретение относится к области радиотехники и может использоваться в качестве базового функционального узла многих  устройств автоматики, вычислительной техники, систем связи и приборостроения, в т.ч. работающих при высоких температурах.
Технический результат: создание схемы прецизионного операционного усилителя с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля и повышенным коэффициентом усиления по напряжению в рамках совмещенного GaAs технологического процесса, разрешающего использовать только p-n-p биполярные и nJFet полевые транзисторы. 
Арсенид-галлиевый операционный усилитель на основе «перегнутого» каскода содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, а также потенциальный выход (3) устройства, входной дифференциальный каскад (4) с первым (5) и вторым (6) токовыми выходами и токовым входом (7) для установления статического режима, который связан с первой (8) шиной источника питания через первый (9) источник опорного тока, причем первый (1) и второй (2) входы устройства соединены с затворами соответствующих входных полевых транзисторов входного дифференциального каскада (4), первый (10) выходной биполярный транзистор промежуточного каскада, эмиттер которого соединен с первым (5) токовым выходом входного дифференциального каскада (4) и через первый (11) токостабилизирующий резистор подключен ко второй (12) шине источника питания, второй (13) выходной биполярный транзистор промежуточного каскада, эмиттер которого соединен со вторым (6) токовым выходом входного дифференциального каскада (4) и через второй (14) токостабилизирующий резистор связан со второй (12) шиной источника питания, причем база первого (10) выходного биполярного транзистора промежуточного каскада соединена с базой второго (13) выходного биполярного транзистора промежуточного каскада, второй (15) источник опорного тока, включенный между коллектором второго (13) выходного биполярного транзистора промежуточного каскада и первой (8) шиной источника питания, буферный усилитель (16), выход которого связан с выходом устройства (3). В схему введены третий (17) и четвертый (18) источники опорного тока, а также первый (19) и второй (20) дополнительные биполярные транзисторы, причем база первого (19) дополнительного биполярного транзистора соединена с коллектором первого (10) выходного биполярного транзистора промежуточного каскада и через третий (17) источник опорного тока подключена к первой (8) шине источника питания, база второго (20) дополнительного биполярного транзистора соединена с коллектором второго (13) выходного биполярного транзистора промежуточного каскада, коллектор второго (20) дополнительного биполярного транзистора соединен со входом буферного усилителя (16) и связан с первой (8) шиной через четвертый (18) источник  опорного тока, коллектор первого (19) дополнительного биполярного транзистора  согласован с общей шиной источников питания, объединенные эмиттеры первого (19) и второго (20) дополнительных биполярных транзисторов соединены с базами первого (10) и второго (13) выходных биполярных транзисторов промежуточного каскада и связаны со второй (12) шиной источника питания через последовательно соединенные дополнительный резистор (21) и два параллельно включенных p-n перехода (22), реализованных на биполярных транзисторах, у которых коллекторы соединены с базой.
электронные устройства автоматики, вычислительной техники, систем связи и телекоммуникаций, предприятия и организации, занимающиеся созданием и производством высокотемпературной аналоговой электронной компонентной базы для радиотехнических устройств, в т.ч. на основе арсенид-галлиевых транзисторов.
Анна
Бугакова
Витальевна
Доцент, младший научный сотрудник УНИ ДГТУ (после оформления будет старший научный сотрудник)
Кандидат технических наук
Отсутствует
E-6820-2014
56543776600
818017
0000-0001-9255-0015
РОССИЯ
Максим
Минкин
Сергеевич
Начальник Управления научных исследований
РОССИЯ
47.41.33
Усилители
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Марсель
Сергеенко
Алексеевич
РОССИЯ
Владислав
Чумаков
Евгеньевич
РОССИЯ
Николай
Прокопенко
Николаевич
РОССИЯ
Анна
Бугакова
Витальевна
РОССИЯ
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «ДОНСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
1026103727847
БЕСИК
МЕСХИ
ЧОХОЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения