Вертикально-излучающий лазер
полупроводник вертикально-излучающий лазер одномодовый режим поляризация излучения быстродействие квантовая яма распределенный брэгговский отражатель токовая апертура
Вертикально-излучающий лазер на подложке GaAs с топологией кристалла в виде тройной меза-структуры включает нижний полупроводниковый распределенный брэгговский отражатель (РБО), нижний внутрирезонаторный контактный слой n-типа c нижним электрическим контактом n-типа, нижнюю композиционную брэгговскую решетку n-типа, оптический резонатор с активной областью в центре, содержащей квантовые ямы и барьеры, верхнюю композиционную брэгговскую решетку n-типа с селективно-окисленной токовой апертурой, верхний внутрирезонаторный контактный слой р-типа с электрическим контактом р-типа, фазокорректирующий слой р-типа, верхний диэлектрический РБО, примыкающий к верхнему внутрирезонаторному контактному слою непосредственно в светоизлучающей области. Нижний РБО образован не менее, чем 35 парами чередующихся пар слоев из AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs (0,90≤x≤0,94 и 0,12≤y≤0,20). Количество пар чередующихся слоев из р-AlxGa1-xAs/р-AlyGa1-yAs в верхней композиционной решетке р-типа больше количества пар чередующихся слоев из n-AlxGa1-xAs/n-AlyGa1-yAs в нижней композиционной решетке n-типа. Селективно-окисленная токовая апертура имеет ромбовидную форму и характерный размер 1,5-2,5 мкм. Наряду с этим активная область состоит из по меньшей мере пяти слоев квантовых ям, выполненных из InxGa1-xAs 0,1≤x≤0,15 толщиной 4-10 нм. Вторая меза, включающая селективно-окисленную токовую апертуру и активную область, имеет характерный диаметр 30-40 мкм.
Технической проблемой, решаемой в рамках предложенной полезной модели, является расширение арсенала средств для генерирования лазерного излучения в компактных квантовых стандартах частоты.
Технический результат заключается в расширении арсенала лазерных источников для компактных квантовых стандартов частоты, основанных на эффекте когерентного пленения населенности в атомах 133Cs.
Полезная модель относится к лазерам с вертикальным резонатором и может быть использовано для создания полупроводниковых вертикально-излучающих лазеров (ВИЛ), работающих на длине волны, соответствующей D1 линии 133Cs, и используемых в качестве источников лазерного излучения для компактных квантовых стандартов частоты, основанных на эффекте когерентного пленения населенности в атомах 133Cs.
29.33.15
Оптические квантовые генераторы и усилители (лазеры)
Сергей
Блохин
Анатольевич
"Кандидат физико-математических наук"
"Отсутствует"
"D-1678-2014"
"6701373717"
"152070"
"0000-0002-5962-5529"
РОССИЯ
Николай
Малеев
Анатольевич
"Кандидат физико-математических наук"
"Отсутствует"
"D-7873-2014, AAN-6340-2020"
"40461011800"
"37410"
"0000-0003-2500-1715"
РОССИЯ
Михаил
Бобров
Александрович
"Отсутствует"
"Отсутствует"
"E-3227-2014"
"40461011800"
"743628"
"нет данных"
РОССИЯ
Алексей
Блохин
Анатольевич
"Отсутствует"
"Отсутствует"
"E-3263-2014"
"57215015016"
"751532"
"нет данных"
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
1037804006998
СЕРГЕЙ
ИВАНОВ
ВИКТОРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения