Способ вакуумного эпитаксиального выращивания легированных слоёв германия
германий, сублимация, легирование, моногерман,
Изобретение относится к технологии эпитаксии легированных слоёв германия, основанной на сочетании в одной вакуумной камере одновременных осаждения германия из германа и сублимации германия с легирующим элементом с поверхности источника легированного германия, разогретого электрическим током, и может быть использовано для производства полупроводниковых структур.
изготовление полупроводниковых структур
Шенгуров В.Г.
ведущий научный сотрудник
Иванченко М.В.
Проректор по научной работе
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
Вадим
Чалков
Юрьевич
выращивание структур и их исследование
Владимир
Шенгуров
Геннадьевич
общее руководство, анализ и исследование структур
Сергей
Денисов
Александрович
выращивание структур и их исследование
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского».
1025203733510
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения