Материалы для терморезистора
устройства регулирования и управления Датчики температуры Измерительные устройства Терморезистор
Изобретение относится к электронной техники и может быть использовано для изготовления датчиков температуры в измерительных системах и устройств регулирования и управления. Изобретение служит для создания терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления работающих при низких температурах 100-300о Кельвина. 
Материал
терморезистора с отрицательным
температурным коэффициентом сопротивления,
отличающийся тем, что выполнен из
манганата свинца, полученного путем
смешивания исходных компонентов оксида
свинца PbO и оксида марганца Mn2O3,
взятых в пропорции, отвечающей химической
формуле 6PbO7Mn2O3.
Может быть использовано для изготовления датчиков температуры в измерительных системах и устройств регулирования и управления.
Александр
Сигов
Сергеевич
Зав. кафедрой
Доктор физико-математических наук
Академик
L-4103-2017
35557510600
РОССИЯ
Александр
Рагуткин
Викторович
Проректор по инновационному развитию
РОССИЯ
29.19.25
Взаимодействие проникающего излучения с твердыми телами
29.19.39
Ферромагнетики
29.19.31
Полупроводники
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Александр
Буш
Андреевич
Разработка материала для терморезистора
РОССИЯ
Владислав
Козлов
Игоревич
Разработка материала для терморезистора
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
РТУ МИРЭА
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «МИРЭА – Российский технологический университет»
1037739552740
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения