Способ изготовления полупроводникового прибора
полевой транзистор, плотность ДЕФЕКТОВ, оксид кремния
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженной плотностью дефектов.
Предложен способ изготовления полупроводникового прибора, включающий формирование поверх слоя оксида кремния нелегированного поликремния со скоростью 10 нм/мин при температуре 650°С, при расходе силана 10 см3/мин и водорода 22 л/мин, толщиной 400 нм и проведением ионного внедрения азота с энергией 1215 кэВ, дозой 5*1016-2*1017 см-2 при температуре подложки 100°С, с последующей термообработкой при температуре 450°С в течение 30 мин в форминг-газе.
Хасанов А.И.
Зав. кафедрой
Кандидат физико-математических наук
Саидов З. А.
Ректор
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
01.01.UR
PHYSICS, MATHEMATICAL
Асламбек
Хасанов
Идрисович
Автор изобретения
Гасан
Мустафаев
Абакарович
Соавтор
Арслан
Мустафаев
Гасанович
Соавтор
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет"
1032001202903
Организация
Министерство регионального развития Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения