Синтез нелегированных плёнок монокристаллического алмаза методом CVD без травления подложек
монокристаллический алмаз травления легированной алмазной подложки легированная алмазная подложка гомоэпитаксиальное наращивание
На начальном этапе CVD процесса алмазная подложка подвергается воздействию плазмы чистого водорода, вызывающей её травление. Это травление неоднородно, что приводит к образованию так называемых ямок травления. В задаче гомоэпитаксии нелегированного алмаза на легированной подложке травление алмазной подложки в водородной плазме приводит к двум нежелательным последствиям:
-	Из-за ямок травления граница раздела легированной подложки и эпитаксиальной плёнки становится неровной, что приводит к неоднородности электрического поля в ней.
-	Травление легированной алмазной подложки приводит к загрязнению газовой смеси и, в дальнейшем, растущего эпитаксиального материала, легирующей примесью.
	Для устранения этих недостатков предлагается использовать два приёма:
1. Перед установкой в реактор легированная алмазная подложка должна быть пройти предварительную подготовку, которая заключается в стравливании с полированной поверхности подложки адсорбированных примесей и повреждённого полировкой алмазного слоя методом сухого ионно-реактивного травления. Этот процесс осуществляется в специальном реакторе обычно в плазме аргона и/или кислорода и позволяет избавиться от стадии очистки подложке в плазме чистого водорода.
2. Выбор режима на начальном этапе CVD процесса, в частности состава газовой смеси, таким образом, чтобы избежать травления подложки с одной стороны и осаждения сажи с другой.
Синтез монокристаллических алмазных пленок на легированных алмазных подложках
Николай
Родионов
Борисович
начальник сектора
Доктор физико-математических наук
Старший научный сотрудник
-
-
РОССИЯ
Анатолий
Красильников
Витальевич
директор
РОССИЯ
55.09.37
Абразивные и алмазные материалы
61.31.40
Неорганические углеродные соединения
02.05.QG
MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS
01.04.FI
CRYSTALLOGRAPHY
Валентина
Родионова
Петровна
участие в выработке технического решения, подготовка подложек
РОССИЯ
Николай
Родионов
Борисович
организация творческого процесса, участие в выработке технического
 решения
РОССИЯ
Александр
Трапезников
Геннадьевич
участие в выработке технического решения, синтез нелегированных пленок
РОССИЯ
Роман
Хмельницкий
Абрамович
разработка и обоснование технического решения, тестирование метода
РОССИЯ
ГОСКОРПОРАЦИЯ "РОСАТОМ"
ГОСУДАРСТВЕННАЯ КОРПОРАЦИЯ ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ "РОСАТОМ"
1077799032926
Организация
Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
Государственные корпорации
Частное учреждение "ИТЭР-Центр"
Частное учреждение Государственной корпорации по атомной энергии "Росатом" "Проектный центр ИТЭР"
1107799034617
Организация
Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
Частные учреждения