Способ получения порошка карбида кремния политипа 4H
порошок карбида кремния карбид кремния получения монокристаллического SiC
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC – широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем, в частности, синтеза порошка карбида кремния, используемого в качестве источника при выращивании монокристаллов карбида кремния. В способе получения порошка карбида кремния, включающем размещение смеси порошков углерода и диоксида кремния в вакуумной печи, их термообработку в атмосфере инертного газа с целью синтеза порошка карбида кремния, с последующим отжигом избыточного углерода на воздухе, соотношение исходных компонентов в смеси составляет C:SiO2 ≥ 3,2 (мол.), а термообработку осуществляют в две стадии. После первой стадии, которая осуществляется в течение 4-5 часов при температуре 1600–1700 оС и давлении аргона 0,02–0,03 МПа, вакуумную печь охлаждают и разгерметизируют, а синтезированный порошок карбида кремния извлекают и смешивают с порошком оксида алюминия в соотношении SiC:Al2O3 = 10-20 (мол.). Полученную смесь загружают в вакуумную печь, после чего проводят вторую стадию термообработки в течение 1-20 часов при температуре 1900–2000 оС и давлении 0,02–0,05 МПа. Способ позволяет обеспечить технический результат, заключающийся в повышении политипной однородности порошка карбида кремния 4H-политипа до 100%, при снижении затрат на его проведение.
для изготовления интегральных микросхем, в частности, синтеза порошка карбида кремния, используемого в качестве источника при выращивании монокристаллов карбида кремния
Наталья
Андреева
Владимировна
в.н.с. НОЦ "НТ"
Кандидат физико-математических наук
Доцент
-
-
-
РОССИЯ
Виктор
Тупик
Анатольевич
Проректор по научной работе
РОССИЯ
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.19
Методы исследования кристаллической структуры и динамики решетки
28.23.33
Аппаратная реализация интеллектуальных систем
28.23.37
Нейронные сети
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Дмитрий
Авров
Дмитриевич
РОССИЯ
Наталья
Андреева
Владимировна
РОССИЯ
Юрий
Быков
Олегович
РОССИЯ
Наталья
Латникова
Михайловна
РОССИЯ
Дмитрий
Висицкий
Витальевич
РОССИЯ
Андрей
Лебедев
Олегович
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
1027806875381
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения