Резистивный материал на основе нанокомпозитов со структурой «ядро в оболочке», состава Mo2C/LaCoO3:Ni,Zn,Sr для SMD-резисторов с низким ТКС
МИКРОЭЛЕКТРОНИКА ЧИП-РЕЗИСТОРЫ НИЗКИЙ ТКС РЕЗИСТИВНЫЕ ПАСТЫ
Толстоплёночные резисторы стали популярны в 70-х годах прошлого века, как и большинство SMD (устройства для поверхностного монтажа) резисторов этого типа. Резистивный слой получают нанесением на керамическую подложку полужидких резистивных паст, состоящих из стеклянной фриты, резистивного порошка и органического связующего, с последующим отжигом при температурах 650-850 °С.
Распространёнными резистивными материалами для толстоплёночных резисторов являются, соединения олова, рутения, серебра и палладия. Для прецизионных резисторов, пригодны только резистивные материалы на основе рутения и его соединений, так как они характеризуются предельно низким уровнем ТКС ± (50–100) ppm °С–1 для диапазона удельных сопротивлений от 1 Ом до 5 МОм в широком диапазоне рабочих температур.
Предложенное техническое решение заключается в синтезе композита с кристаллическим ядром карбида молибдена и оболочкой на основе кобальтата лантана допированного элементами  Ni,Zn,Sr. В результате получен резистивный материал на основе нанокомпозитов со структурой «ядро в оболочке», состава Mo2C/LaCoO3:Ni,Zn,Sr для SMD-резисторов с низким ТКС.
Новые чип резисторы без использования благородных металлов с низким ТКС.
Евгений
Галашов
Николаевич
Ведущий специалист
Отсутствует
Отсутствует
—
35106993000
791721
https://opf.nsu.ru/ru/content/%D0%B3%D0%B0%D0%BB%D0%B0%D1%88%D0%BE%D0%B2-%D0%B5%D0%B2%D0%B3%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B9-%D0%BD%D0%B8%D0%BA%D0%BE%D0%BB%D0%B0%D0%B5%D0%B2%D0%B8%D1%87-0
0000-0001-7764-6158
РОССИЯ
Дмитрий
Чуркин
проректор по научно-исследовательской деятельности
РОССИЯ
47.09.48
Наноматериалы для электроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Евгений
Галашов
Николаевич
РОССИЯ
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ, НГУ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НОВОСИБИРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
1025403658565
МИХАИЛ
ФЕДОРУК
ПЕТРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ, НГУ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НОВОСИБИРСКИЙ НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
1025403658565
МИХАИЛ
ФЕДОРУК
ПЕТРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения