Программа численного моделирования эффективности сбора наведенного тока в полупроводниковых структурах
EBIС моделирование наведенного тока полупроводники диффузионная длина ширина ОПЗ
Программа Программа предназначена для моделирования эффективности сбора наведенного электронным пучком тока (EBIC) в полупроводниковых структурах типа барьера Шоттки или pn-перехода. Данная методика позволяет определить основные геометрические параметры полупроводниковой структуры и диффузионную длину неравновесных носителей заряда.
Данная программа обеспечивает следующий функционал:  моделирование наведенного тока с учетом геометрии структуры и параметров полупроводника; поиск следующих параметров модели из экспериментальных данных: толщина контакта металла (tm), ширина области пространственного заряда (wопз), доля индуцированных электрон-дырочных пар (η/Ei) и диффузионная длина неравновесных носителей заряда (LD); расчет доверительных интервалов и погрешности рассчитанных параметров.
Исследование дефектов в полупроводниках
Александр
Поляков
Яковлевич
Заведующий лабораторией
Кандидат технических наук
Отсутствует
нет
7201781040
нет
0000-0001-6898-6126
РОССИЯ
Елена
Босова
Владимировна
Главный специалист ОПКиАНД по доверенности №10 от 08.11.2023 г.
РОССИЯ
29.03.77
Моделирование физических явлений
29.19.31
Полупроводники
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
Антон
Васильев
Андреевич
РОССИЯ
Николай
Матрос
Романович
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
МИСиС, НИТУ "МИСиС"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
1027739439749
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения