Способ непрерывного выращивания полупроводниковых пленок алмаза
алмаз сублимация электрическое поле подложка
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения пленок алмаза большой площади на подложках из кремния. При нагреве мелкодисперсного алмазного порошка в среде вакуума и в присутствии внешнего электрического поля на поверхности перемещаемой относительно содержащего порошок контейнера подложки, содержащей тонкий слой на углеродной фольге, наблюдается появление твердого слоя, который диагностируется как алмаз.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения пленок алмаза большой площади на подложках из кремния.
Николай
Колесников
Николаевич
зам. директора
Доктор технических наук
Доцент
T-1911-2017
7005685582
РОССИЯ
Александр
Левченко
Алексеевич
директор
РОССИЯ
29.19.31
Полупроводники
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.15
Фазовые равновесия и фазовые переходы
29.19.11
Дефекты кристаллической структуры
29.19.04
Структура твердых тел
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
Сергей
Брантов
Константинович
исполнитель
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ИФТТ РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук
1025003915243
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения