Расчет распределения электрического поля, формируемого в ниобате лития инжектированным электронным зарядом.
периодические доменные структуры ниобат лития
Программа предназначена для компьютерного исследования процесса образования периодических доменных структур в ниобате лития при прямой записи электронным лучом двумерных массивов квадратов субмикронных размеров. Подобные структуры являются основой для реализации преобразователей оптической частоты, обладающих высокой эффективностью. Программа служит для расчета трехмерного распределения электрического поля в зависимости от параметров электронного луча (ускоряющее напряжение, доза облучения) и схемы облучения (размера квадратов и периодов их следования). Полученные при моделировании данные позволяют выявлять особенности распределения электрического поля, отвечающие за управляемое формирование доменных структур с требуемыми характеристиками.
Программа может применяться для интерпретации результатов экспериментов и планирования дальнейших исследований рассматриваемого процесса.
Вадим
Сироткин
Владимирович
зав.лаб.
Кандидат физико-математических наук
Старший научный сотрудник
C-1084- 2017
7005229491
РОССИЯ
ДМИТРИЙ
РОЩУПКИН
ВАЛЕНТИНОВИЧ
ДИРЕКТОР
РОССИЯ
29.19.35
Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики
01.03.UB
PHYSICS, APPLIED
Вадим
Сироткин
Владимирович
Разработал алгоритм и код программы.
РОССИЯ
ИПТМ РАН
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ПРОБЛЕМ ТЕХНОЛОГИИ МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И ОСОБОЧИСТЫХ МАТЕРИАЛОВ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
1035006105166
ДМИТРИЙ
РОЩУПКИН
ВАЛЕНТИНОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения