Программа для ЭВМ 'Программа для расчета cтатических характеристик резонансно-туннельных диодов на основе GaN'
Статические характеристики Резонансное туннелирование GaN Уравнение Шредингера Уравнение Пуассона
Пользователем задаются: толщины слоев, значения поляризационных зарядов на гетерограницах, степень легирования, значения эффективной массы и диэлектрической проницаемости квантовой ямы, значения разрыва зоны проводимости для барьерных слоев, температура. Далее программа решает стационарную систему уравнений Шредингера и Пуассона с открытыми граничными условиями для заданной гетероструктуры. Полученная вольт-амперная характеристика записывается в выходной текстовый файл. Программа распараллелена с помощью технологии OpenMP. Тип ЭВМ: IBM PC. ОС: Windows ХР и выше, Linux.
Программа предназначена для расчета вольт-амперных характеристик GaN резонансно-туннельных диодов (РТД) с учетом межэлектронного взаимодействия, поляризационных зарядов на гетерограницах. Область применения программы: оптимизация статических характеристик GaN РТД.
Николай
Каргин
Иванович
Проректор
Доктор технических наук
Профессор
A-7044-2014
9636205200
РОССИЯ
Николай
Каргин
Иванович
Проректор
РОССИЯ
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
Константин
Гришаков
Сергеевич
РОССИЯ
Николай
Каргин
Иванович
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
НИЯУ МИФИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЯДЕРНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИФИ"
1037739366477
ВЛАДИМИР
ШЕВЧЕНКО
ИГОРЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения