Способ измерения переходного контактного сопротивления омического контакта
ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ, ПЕРЕХОДНОЕ КОНТАКТНОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ, СЛОЕВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ, МЕТОД ДЛИННОЙ ЛИНИИ, ПОЛОСКОВАЯ СТРУКТУРА
Изобретение относится к измерительной технике. Область применения – технология изделий мкроэлектроники, в частности контроль контактных сопротивлений омических контактов к полупроводниковым слоям на технологических этапах производства.Способ измерения переходного контактного сопротивления, заключающийся в измерении сопротивления току, протекающему под контактом, расположенным между двумя крайними, через которые подается ток и с которых снимается напряжение, отличающийся тем, что используется набор полосковых омических контактов и измеряется их сопротивление в зависимости от длины полосков, при этом измерение слоевого сопротивления металлизации и измерение слоевого сопротивления полупроводника вне контакта производится отдельными методами.
Метод может быть использован для контроля качества омических контактов в технологии полупроводниковых приборов и изделий микроэлектроники.Метод позволяет:Измерять контактное сопротивления с учетом изменения слоевого сопротивления полупроводника под контактом.
Полушин Н.И.
Зав. лабораторией сверхтвердых материалов
Кандидат технических наук
Филонов М.Р.
Проректор по науке и инновациям
90.27.34
Измерения электрических и магнитных величин
61.13.21
Химические процессы
59.13.19
Технология и оборудование для сборки узлов, устройств и приборов
01.04.00
Chemical sciences
Михаил
Кондаков
Николаевич
предложена идея метода, проведен обзор современных методов измерения контактных сопротивлений омических контактов
Алексей
Черных
Владимирович
предложен технологический подход создания тестовых структур, предложен способ обработки экспериментальных данных
Сергей
Диденко
Иванович
руководитель работ по созданию детекторов ядерных излучений на основе широкозонных полупроводников
Николай
Полушин
Иванович
описание принципа измерения по новому методу, разработка измерительного стенда
Сергей
Черных
Владимирович
предложена конструкуция тестового элемента, проведена математическая обработка данных
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
МИСиС, НИТУ "МИСиС"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
1027739439749
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения