СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДВОЙНОГО Т-ОБРАЗНОГО ЗАТВОРА С ПОЛЕВЫМИ ЭЛЕКТРОДАМИ ДЛЯ СВЧ ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
Т-ОБРАЗНЫЙ ЗАТВОР СВЧ ТРАНЗИСТОР НИТРИД ГАЛЛИЯ
СПОСОБ ФОРМИРОВАНИЯ ДВОЙНОГО Т-ОБРАЗНОГО ЗАТВОРА С ПОЛЕВЫМИ ЭЛЕКТРОДАМИ ДЛЯ СВЧ ТРАНЗИСТОРА НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ
Разработка технологии изготовления СВЧ транзисторов
Вячеслав
Демин
Александрович
Заместитель Главного ученого секретаря Центра
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
-
-
-
-
РОССИЯ
Илья
Еремин
Игоревич
Главный ученый секретарь Центра
РОССИЯ
29.19.01
Общие вопросы
47.09.29
Полупроводниковые материалы
29.19.31
Полупроводники
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Юлия
Храповицкая
Владимировна
20%
РОССИЯ
Александр
Андреев
Александрович
20%
РОССИЯ
Юлия
Грищенко
Викторовна
20%
РОССИЯ
Игорь
Черных
Анатольевич
20%
РОССИЯ
Максим
Занавескин
Леонидович
20%
РОССИЯ
Правительство России
Правительство Российской Федерации
Организация
-
-
НИЦ "Курчатовский институт"
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
1027739576006
Организация
Правительство Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения