Арсенид-галлиевый операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля
Арсенид-галлиевый операционный усилитель усилитель с малым напряжением смещения нуля
Предполагаемое изобретение относится к области радиотехники и может использоваться в качестве базового функционального узла (операционного усилителя) многих  устройств автоматики, вычислительной техники, систем связи и приборостроения.
Технический результат: создание схемы операционного усилителя, которая реализуется в рамках совмещенного GaAs технологического процесса, позволяющего создавать только p-n-p биполярные и nJFet полевые транзисторы, а также разработка схемы ОУ с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля без применения токовых зеркал на n-p-n или nJFet транзисторах.
Арсенид-галлиевый операционный усилитель с малым напряжением смещения нуля содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, а также выход (3) устройства, входной дифференциальный каскад (4) на полевых транзисторах с первым (5) и вторым (6) токовыми выходами, согласованными с первой (7) шиной источника питания, общая истоковая цепь (8) входного дифференциального каскада (4) соединена со второй (9) шиной источника питания через первый (10) источник опорного тока, первый (5) токовый выход дифференциального каскада (4) соединен с эмиттером первого (11) выходного биполярного p-n-p транзистора, второй (6) токовый выход входного дифференциального каскада (4) соединен с эмиттером второго (12) выходного биполярного p-n-p транзистора,  коллектор первого (11) выходного биполярного p-n-p транзистора связан со входом буферного усилителя (13) и через второй (14) источник опорного тока подключен ко второй (9) шине источника питания, причем выход буферного усилителя (13) является выходом (3) устройства, базы первого (11) и второго (12) выходных биполярных p-n-p транзисторов объединены и подключены к цепи смещения потенциалов (15), первый (16) и второй (17) вспомогательные резисторы. Коллектор второго (12) выходного биполярного p-n-p транзистора соединен с эмиттером дополнительного биполярного транзистора (18), база которого подключена ко входу буферного усилителя (13), а коллектор соединен со второй (9) шиной источника питания, первый (10) источник опорного тока выполнен в виде двух идентичных и параллельно-включенных первого (19) и второго (20) элементарных источников опорного тока, каждый из которых выполнен на первом (21) дополнительном полевом транзисторе, затвор которого подключен ко второй (9) шине источника питания, а исток связан со второй (9) шиной источника питания через первый (22) дополнительный резистор, второй (14) источник опорного тока идентичен первому (19) и второму (20) элементарным источникам опорного тока, эмиттер первого (11) выходного биполярного p-n-p транзистора соединен с затвором второго (23) дополнительного полевого транзистора, сток которого соединен с первой (7) шиной источника питания, а исток подключен к эмиттеру первого (11) биполярного p-n-p транзистора через второй (17) вспомогательный резистор, эмиттер второго (12) выходного биполярного p-n-p транзистора соединен с затвором третьего (24) дополнительного полевого транзистора, сток которого подключен к первой (7) шине источника питания, а исток соединен с эмиттером второго (12) выходного биполярного p-n-p транзистора через первый (16) вспомогательный резистор,  кроме этого, эмиттер второго (12) выходного биполярного p-n-p транзистора соединен с затвором четвертого (25) дополнительного полевого транзистора и через третий (26) вспомогательный резистор подключен к эмиттеру второго (12) выходного биполярного p-n-p транзистора, эмиттер первого (11) выходного биполярного p-n-p транзистора соединен с затвором пятого (27) дополнительного полевого транзистора, сток которого подключен к первой (7) шине источника питания, а исток соединен с эмиттером первого (11) выходного биполярного p-n-p транзистора через четвертый (28) вспомогательный резистор.
электронные устройства автоматики, вычислительной техники, систем связи и телекоммуникаций, предприятия и организации, занимающиеся созданием и производством высокотемпературной аналоговой электронной компонентной базы для радиотехнических устройств, в т.ч. на основе арсенид-галлиевых транзисторов.
Анна
Бугакова
Витальевна
Доцент, младший научный сотрудник УНИ ДГТУ (после оформления будет старший научный сотрудник)
Кандидат технических наук
Отсутствует
E-6820-2014
56543776600
818017
0000-0001-9255-0015
РОССИЯ
Максим
Минкин
Сергеевич
Начальник Управления научных исследований
РОССИЯ
47.41.33
Усилители
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Владислав
Чумаков
Евгеньевич
РОССИЯ
Илья
Фролов
Владимирович
РОССИЯ
Марсель
Сергеенко
Алексеевич
РОССИЯ
Николай
Прокопенко
Николаевич
РОССИЯ
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «ДОНСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
1026103727847
БЕСИК
МЕСХИ
ЧОХОЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения