Способ изготовления фотопреобразователя
ФОТОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ, ПОЛУПРОВОДНИКИ, ГЕТЕРОСТРУКТУРА А3В5, АНТИОТРАЖАЮЩЕЕ ПОКРЫТИЕ, ТЫЛЬНЫЙ ОМИЧЕСКИЙ КОНТАКТ
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности, к способу изготовления фотопреобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую энергию. Способ изготовления фотопреобразователя включает формирование меза-структуры из фоточувствительной полупроводниковой гетероструктуры А3В5, нанесение антиотражающего покрытия, формирование диэлектрического покрытия на периферии фоточувствительной области и на боковой поверхности меза-структуры,  формирование шин омического контакта на фронтальной поверхности гетероструктуры и контактной площадки на боковой поверхности меза-структуры, покрытой слоем диэлектрика,  формирование тыльного омического контакта. Изобретение позволяет увеличить быстродействие фотопреобразователя.
Изобретение может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую энергию.
Андреев В.М.
зав. лабораторией
Доктор технических наук
Иванов С. В.
Директор
44.41.35
Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
02.00.00
Engineering and Technology
Максим
Шварц
Зиновьевич
Ответственный исполнитель
Виктор
Емельянов
Михайлович
Исполнитель
Наталья
Ильинская
Дмитриевна
Исполнитель
Александра
Малевская
Вячеславовна
Исполнитель
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
1037804006998
СЕРГЕЙ
ИВАНОВ
ВИКТОРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения