Способ изготовления полупроводникового прибора
полупроводники, полевой транзистор, изолирующий область
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением напряжения пробоя изолирующих областей. Изобретение обеспечивает повышение значений напряжения пробоя изолирующих областей, повышение технологичности, улучшение параметров приборов, повышение качества и увеличение процента выхода годных. В способе изготовления полупроводникового прибора на подложке кремния n-типа проводимости формируют карман р-типа путем имплантации ионов магния с энергией 150 кэВ, дозой 1*1014 см-2, с последующей термообработкой при температуре 700-750°С в течение 5-15 мин в атмосфере водорода.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с повышенным значением напряжения пробоя изолирующих областей.
Хасанов А.И.
Зав. кафедрой
Кандидат физико-математических наук
Саидов З. А.
Ректор
29.19.31
Полупроводники
01.03.UH
PHYSICS, ATOMIC, MOLECULAR & CHEMICAL
Арслан
Мустафаев
Гасанович
Соавтор
Асламбек
Хасанов
Идрисович
Автор
Гасан
Мустафаев
Абакарович
Соавтор
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет"
1032001202903
Организация
Министерство регионального развития Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения