Способ изготовления трехмерной микросборки
вертикальная коммутация торцевая коммутация многоуровневая микросборка трехмерная микросборка
Изобретение относится к производству электронных средств, а именно к технологии производства многокристальных модулей и микросборок на основе коммутационных подложек с бескорпусными микросхемами и пассивными компонентами. Задачей изобретения является повышение плотности вертикальной коммутации, эффективности распределения и отвода тепла от электронных компонентов различного исполнения микросборки при сниженных затратах на производство. Технический результат достигается за счёт одновременного применения бескорпусных микросхем и пассивных компонентов, использования модульного принципа сборки отдельных функциональных узлов, герметизации сборки компаундом с малым температурным коэффициентом линейного расширения и высокой теплопроводностью на основе фосфазеновой модифицированной диановой смолы и размещения межуровневой коммутации на боковых сторонах микросборки методом химического и электрохимического осаждения проводящего металла непосредственно на поверхность компаунда, без использования вакуумных процессов формирования адгезионных слоёв металлизации. Модульный принцип в изготовлении микросборки заключается в создании унифицированных уровней в виде коммутационных подложек с элементами и компонентами, имеющих согласующиеся друг с другом периферийные выводы для вертикальной коммутации. Нижний уровень микросборки играет роль единого основания, объединяя все сигналы выше лежащих уровней и обеспечивая быстрый функциональный контроль за счет размещенных на его нижней грани контактных площадок. Вертикальные соединения, расположенные по торцам уровней, позволяют задействовать под коммутацию между уровнями боковые стенки изделия, не создавая при этом ограничений для внедрения других типов вертикальной коммутации и обеспечивая за счёт большей однородности структуры микросборки снижение уровня термомеханических нагрузок, уменьшение паразитных сопротивлений, индуктивностей и емкостей. Проводники на боковых гранях микросборки хорошо поддаются контролю и могут быть сформированы на сборках любой высоты без привязки к аспектному соотношению между нормами вертикальной коммутации и толщиной уровня.
Метод изготовления трехмерных многоуровневых микросборок с торцевой вертикальной коммутацией уровней.
47.13.11
Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
47.13.13
Технология и оборудование для производства радиодеталей и компонентов
47.13.19
Прочие технологические процессы и оборудование в производстве радиоэлектронной аппаратуры
Игорь
Беляков
Андреевич
"Отсутствует"
"Отсутствует"
"AAC-6613-2019"
"57207986482"
"1177331"
"0000-0002-5374-9029"
РОССИЯ
Денис
Вертянов
Васильевич
"Кандидат технических наук"
"Отсутствует"
"E-2533-2014"
"55803490100"
"747801"
"0000-0002-2195-7122"
РОССИЯ
Райымбек
Жумагали
Нуржанулы
"Отсутствует"
"Отсутствует"
"HKE-2461-2023"
"-"
"-"
"0000-0003-0227-143X"
КАЗАХСТАН
Михаил
Кочергин
Дмитриевич
"Отсутствует"
"Отсутствует"
"HKE-0769-2023"
"-"
"-"
"0000-0002-4893-2929"
РОССИЯ
Сергей
Тимошенков
Петрович
"Доктор технических наук"
"Профессор"
"U-7471-2017"
"6701370245"
"1947-0541"
"0000-0001-5411-1804"
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИЭТ"; НИУ МИЭТ;МИЭТ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
1027739615584
ВЛАДИМИР
БЕСПАЛОВ
АЛЕКСАНДРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения