Арсенид-галлиевый операционный усилитель для работы в широком диапазоне температур
Арсенид-галлиевый операционный усилитель усилитель для работы в широком диапазоне температур
Предполагаемое изобретение относится к области радиотехники и может использоваться в качестве базового функционального узла многих  устройств автоматики, вычислительной техники, систем связи и приборостроения, в т.ч. работающих при высоких температурах.
Технический результат: 
- создание схемы ОУ с двухтактным выходным каскадом класса АВ, которая реализуется в рамках совмещенного GaAs технологического процесса, разрешающего использовать только p-n-p биполярные и nJFet полевые транзисторы,
- создание схемы ОУ с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля, что не реализуется в схеме ОУ-прототипа.
	Арсенид-галлиевый операционный усилитель для работы в широком диапазоне температур содержит первый (1) и второй (2) входы устройства, входной дифференциальный каскад (3) на первом (4) и втором (5) входных полевых транзисторах, общая истоковая цепь которых (6) связана с первой (7) шиной источника питания через первый (8) источник опорного тока, первый (9) токовый выход входного дифференциального каскада (3), который соединен с эмиттером согласующего (10) биполярного p-n-p транзистора и подключен ко второй (11) шине источника питания через второй (12) источник опорного тока, цепь смещения потенциалов (13), связанная с базой согласующего (10) биполярного p-n-p транзистора, третий (14) источник опорного тока, включенный между коллектором согласующего (10) биполярного p-n-p транзистора и первой (7) шиной источника питания, выходной биполярный p-n-p транзистор (15), база которого соединена с коллектором согласующего (10) биполярного p-n-p транзистора, коллектор связан с первой (7) шиной источника питания, а эмиттер подключен к потенциальному выходу устройства (16), вспомогательный биполярный p-n-p транзистор (17). Первый (8) источник опорного тока выполнен в виде двух идентичных и параллельно включенных первого (19) и второго (20) дополнительных источников опорного тока, каждый из которых реализован на основе  выходного полевого транзистора (21), затвор которого соединен с истоком через согласующий резистор (22), второй (12) источник опорного тока выполнен на основе двух идентичных и параллельно включенных третьего (23) и четвертого (24) дополнительных источников опорного тока, схемы которых идентичны схемам первого (19) и второго (20) дополнительных источников опорного тока, третий (14) источник опорного тока выполнен по схеме, которая идентична схемам первого (19), второго (20), третьего (23) и четвертого (24) дополнительных источников опорного тока, которые реализованы на выходных полевых транзисторах (21) и согласующих резисторах (22), причем выход третьего (14) источника опорного тока связан с коллектором согласующего (10) биполярного p-n-p транзистора через цепь смещения потенциалов, выполненную на вспомогательном биполярном p-n-p транзисторе (17), объединенные коллектор и база которого соединены с затвором дополнительного полевого транзистора с управляющим pn-переходом (25), сток которого подключен ко второй (11) шине источника питания, а исток связан с потенциальным выходом устройства (16).
электронные устройства автоматики, вычислительной техники, систем связи и телекоммуникаций, предприятия и организации, занимающиеся созданием и производством высокотемпературной аналоговой электронной компонентной базы для радиотехнических устройств, в т.ч. на основе арсенид-галлиевых транзисторов
Анна
Бугакова
Витальевна
Доцент, младший научный сотрудник УНИ ДГТУ (после оформления будет старший научный сотрудник)
Кандидат технических наук
Отсутствует
E-6820-2014
56543776600
818017
0000-0001-9255-0015
РОССИЯ
Максим
Минкин
Сергеевич
Начальник Управления научных исследований
РОССИЯ
47.41.33
Усилители
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Дмитрий
Клейменкин
Владимирович
РОССИЯ
Владислав
Чумаков
Евгеньевич
РОССИЯ
Марсель
Сергеенко
Алексеевич
РОССИЯ
Николай
Прокопенко
Николаевич
РОССИЯ
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «ДОНСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
1026103727847
БЕСИК
МЕСХИ
ЧОХОЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения