Устройство наноструктурирования поверхности диэлектрической подложки с помощью ближнепольной литографии
излучение, модель, подложка
Полезная модель относится к устройствам лазерного наноструктурирования поверхности с использованием массива упорядоченных диэлектрических мезомасштабных фокусирующих устройств, формирующих максимумы распределения интенсивности лазерного поля, где происходит формирование структур с масштабами, меньшими длины волны исходно используемого излучения.

Технический результат – использование предлагаемой полезной модели позволяет создать простое устройства получения упорядоченных наноразмерных структур на поверхности диэлектрической подложки большой площади с помощью ближнепольной литографии с высоким качеством лазерного наноструктурирования поверхности диэлектрической подложки.

Поставленная задача достигается тем, что в устройстве наноструктурирования поверхности диэлектрической подложки с помощью ближнепольной литографии, состоящем из диэлектрической подложки, на поверхности которой размещена ближнепольная маска в виде слоя диэлектрических фокусирующих устройств и лазера, облучающего лазерным излучением слой диэлектрических фокусирующих устройств с формированием упорядоченной структуры рельефа на диэлектрической подложке, отличается тем, что каждое диэлектрическое фокусирующее устройство выполнено в форме фазовой дифракционной решетки из прозрачного материала с относительным коэффициентом преломления по отношению к окружающей среде и находящемся в диапазоне от 1,2 до 1,7, высотой и шириной основания фазового профиля не менее λ/2, где λ – длина волны облучающего ближнепольную маску лазерного излучения. Кроме того, фазовая дифракционная решетка имеет треугольный профиль. Кроме того, фазовая дифракционная решетка имеет прямоугольный профиль.
Полезная модель относится к устройствам лазерного наноструктурирования поверхности с использованием массива упорядоченных диэлектрических мезомасштабных фокусирующих устройств, формирующих максимумы распределения интенсивности лазерного поля, где происходит формирование структур с масштабами, меньшими длины волны исходно используемого излучения.
Игорь
Минин
Владиленович
Заведующий лаботорией
Доктор технических наук
Профессор
AAI-7854-2020
6701599489
РОССИЯ
Александр
Карпик
Петрович
Ректор
РОССИЯ
29.31.01
Общие вопросы
01.03.SY
OPTICS
Игорь
Минин
Владиленович
50%
РОССИЯ
Олег
Минин
Владиленович
50%
РОССИЯ
СГУГиТ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий"
1025401493061
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения