Методика экспериментального определения однородности твердых полупроводниковых материалов. № ГСССД МЭ 276–2019.
однородность образцов термоэдс полупроводники
Представлена методика экспериментального определения однородности твердых полупроводниковых материалов неразрушающим методом, основанном на измерении термоэдс в различных точках образца. Физической основой этого метода является зависимость величины термоэдс от концентрации носителей заряда, определяемой составом полупроводника и его дефектностью. Измерение термоэдс в разных точках образца позволяет по разбросу величины термоэдс судить об его однородности. Выполнен анализ неопределенности измерений термоэдс. Приведены примеры оценки однородности полупроводниковых образцов халькогенидов редкоземельных элементов.
Экспериментальное определения однородности твердых полупроводниковых материалов неразрушающим методом
Сулейман-гаджи
Каллаев
Нурул-исланович
гнс
Доктор физико-математических наук
Отсутствует
E-8671-2014
6602631089
163906
РОССИЯ
Акай
Муртазаев
Курбанович
директор
РОССИЯ
29.19.03
Теория конденсированного состояния
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
Садык
Лугуев
Магомедович
Идея методики, проектирование, создание действующей установки
РОССИЯ
Наталия
Лугуева
Васильевна
описание методики, поиск и анализ литературных источников, анализ неопределенности измерений термоэдс, проведение исследований по оценке однородности полупроводниковых образцов халькогенидов редкоземельных элементов
РОССИЯ
ФАНО России
Федеральное агентство научных организаций
5137746009462
Организация
Правительство Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ИФ ДФИЦ РАН
Институт физики им. Х.И. Амирханова - обособленное подразделение Федерального государственного бюджетного учреждения науки Дагестанского федерального исследовательского центра Российской академии наук
1020502464421
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Структурные подразделения обособленных подразделений юридических лиц