Способ увеличения объемной электропроводности оксидного сегнетоэлектрического материала
Оксидные сегнетоэлекрики ниобат лития танталат лития восстановительный отжиг
Изобретение относится к обработке материалов и может быть использовано для увеличения объёмной электропроводности оксидных сегнетоэлектрических материалов, в частности, ниобата и танталата лития. Кристаллы этих материалов имеют широкое применение в системах точного позиционирования, сенсорах, лазерных, акустических, акустооптических и других устройствах, где используются электрооптические и пьезоэлектрические свойства этих материалов.
Техническим результатом, на достижение которого направлено изобретение, является повышение эффективности увеличения объёмной электропроводности, сокращение времени восстановительного отжига и снижение требований по качеству атмосферы восстановительного отжига (остаточное давление атмосферы до 2 Па, без дополнительного контроля количества паров кислорода и воды) при отсутствии легирования материала сегнетоэлектрика.
Технический результат достигается следующим образом.
Способ увеличения объемной проводимости оксидного сегнетоэлектрического материала заключается в отжиге в печи пластин оксидного сегнетоэлектрического материала в бескислородной атмосфере. Отличие способа в том, что в рабочую камеру печи на расстоянии от 0,2 до 1 мм симметрично сверху и снизу от пластины оксидного сегнетоэлектрического материала помещают кремниевые пластины толщиной от 0,25 до 1 мм.
При этом в качестве пластин оксидного сегнетоэлектрического материала используют пластины ниобата лития LiNbO3 или танталата лития LiTaO3.
Также выдержку во время отжига производят в температурном интервале 600-1140 °C в течение 1-6 часов.
Кроме того, кремниевые пластины изолируют от пластины оксидного сегнетоэлектрического материала и рабочей камеры печи с помощью сапфировых прокладок.
Изобретение относится к обработке материалов и может быть использовано для увеличения объёмной электропроводности оксидных сегнетоэлектрических материалов, в частности, ниобата и танталата лития. Кристаллы этих материалов имеют широкое применение в системах точного позиционирования, сенсорах, лазерных, акустических, акустооптических и других устройствах, где используются электрооптические и пьезо-электрические свойства этих материалов.
Дмитрий
Киселев
Александрович
Заведующий лабораторией
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
A-4359-2014
16687092400
180280
https://www.researchgate.net/profile/Dmitry-Kiselev-3
0000-0003-1047-3007
РОССИЯ
Елена
Босова
Владимировна
Главный специалист ОПКиАНД по доверенности №29-312 от 03.02.2021
РОССИЯ
29.19.35
Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
Андрей
Турутин
Владимирович
Очистка кремния от оксидов методом жидкого химического травления
РОССИЯ
Юрий
Пархоменко
Николаевич
Измерение электропроводности опытных образцов
РОССИЯ
Максим
Чичков
Владимирович
Экспозиция и травление плёночного фоторезиста
РОССИЯ
Дмитрий
Киселев
Александрович
Исследование доменной структуры опытных образцов методами атомно-силовой микроскопии
РОССИЯ
Александр
Кислюк
Михайлович
Проведение восстановительных отжигов. Оформление патента
РОССИЯ
Александр
Темиров
Анатольевич
Нанесение плёночных электродов методом магнетронного напыления
РОССИЯ
Михаил
Малинкович
Давыдович
Математическое моделирование процесса восстановительного отжига
РОССИЯ
Андрей
Шпортенко
Сергеевич
Подготовка образцов к измерению электропроводности, нанесение плёночного фоторезиста
РОССИЯ
Роман
Жуков
Николаевич
Оформление чертежа, проведение отжигов для окисления кремния
РОССИЯ
Татьяна
Ильина
Сергеевна
Съёмка сканов пьезоэлектрического отклика опытных образцов при помощи атомно-силового микроскопа
РОССИЯ
Илья
Кубасов
Викторович
Подготовка заготовок пластин ниобата и танталата лития. Раскрой, очистка пластин
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
МИСиС, НИТУ "МИСиС"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
1027739439749
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения