Многослойная магнитная пленка с взаимодействием Дзялошинского-Мория и способ управления асимметричностью движения доменных границ в ней
индуцированный импульс постоянное магнитное поле шероховатость немагнитного слоя толщина слоев ассиметричность движения доменные границы межслоевое взаимодействие Дзялошинского-Мория многослойная магнитная плёнка наноструктуры
Заявляемая группа изобретений относится к области электроники и наноэлектроники и может быть использована в устройствах спинтроники, таких как магнитные диоды на основе доменных границ и сдвиговые регистры.
Поставленная проблема решается тем, что:
1).	многослойная магнитная пленка с взаимодействием Дзялошинского-Мория, содержит подложку, на которой сформирована среда из немагнитного слоя с сильной спин-орбитальной связью и ферромагнитного слоя.  При этом многослойная магнитная пленка типа «подложка/B/X1/Y/X2» с перпендикулярной магнитной анизотропией содержит полупроводниковую подложку из Si с ориентацией (111), буферный слой B из Cu толщиной 1-5 нм, немагнитный слой X1 из Pd толщиной 3-15 нм, который имеет среднеквадратичную шероховатость 0,25-0,8 нм и средний радиус островка 8,5-12,2 нм, ферромагнитный слой Y из Co толщиной 0,5-15 нм и немагнитный слой X2 из Pd толщиной 0,5-5 нм;
2).	способ управления асимметричностью движения доменных границ в многослойной магнитной пленке с перпендикулярной магнитной анизотропией и взаимодействием Дзялошинского-Мория по п.1, включает  воздействие магнитным полем на указанную многослойную магнитную пленку, посредством которого задают направление движения доменных границ.   При этом  постоянное магнитное поле, определяющее направление движения доменных границ, прикладывают в плоскости многослойной магнитной пленки, а однонаправленное движение доменных границ осуществляют под действием индуцированного импульса магнитного поля, приложенного перпендикулярно плоскости многослойной магнитной пленки.
Технический результат выражается в следующем:
	возможность реализации в пленках с перпендикулярной магнитной анизотропией, имеющих более тонкую ширину доменной границы и высокую скорость движения доменных границ, что увеличивает плотность записи информации и скорость чтения/записи устройств хранения данных и работы логических устройств на основе магнитных пленок;
	возможность управления асимметричностью однонаправленного движения доменных границ в пленках с перпендикулярной магнитной анизотропией и взаимодействием Дзялошинского-Мория;
	снижение трудоемкости путем изготовления пленок, в которых отсутствуют отверстия сложной формы.
Разработка может быть использована в устройствах спинтроники, таких как магнитные диоды на основе доменных границ и сдвиговые регистры.
Тэруо
Оно
Заведующий лабораторией
Доктор физико-математических наук
Профессор
https://publons.com/researcher/3712408/teruo-ono/
"-"
https://www.scl.kyoto-u.ac.jp/~onoweb/
ЯПОНИЯ
Светлана
Гончарова
Николаевна
Директор департамента сопровождения научной деятельностью
РОССИЯ
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
Александр
Давыденко
Вячеславович
РОССИЯ
Алексей
Козлов
Гаврилович
РОССИЯ
Николай
Черноусов
Николаевич
РОССИЯ
Александр
Турпак
Алексеевич
РОССИЯ
Алексей
Огнев
Вячеславович
РОССИЯ
Александр
Самардак
Сергеевич
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФГАОУ ВО "ДАЛЬНЕВОСТОЧНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ", ДАЛЬНЕВОСТОЧНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ, ФГАОУ ВО ДВФУ, ДВФУ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ДАЛЬНЕВОСТОЧНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
1022501297785
НИКИТА
АНИСИМОВ
ЮРЬЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения