Установка для получения (Se,S) – содержащих пленок методом фотостимулированной селенизации
вакуумные ловушки рабочее давление газа квазизамкнутый объем фотостимуляция
Изобретение относится к технологии получения (Se,S) содержащих полупроводниковых пленок и может быть использовано для формирования однородных по толщине и составу пленок. Установка для получения однородных по толщине и составу (Se,S) содержащих полупроводниковых пленок методом фотостимулированной селенизации, на гибких полиимидных подложках при пониженных температурах рекристаллизационного отжига, включающая в себя рабочий объем с подключенной к нему системой высоковакуумной откачки и установленного в нем квазизамкнутого реактора оригинальной конструкции. 
Квазизамкнутый реактор состоит из реакционного объема, снабженного резистивным нагревателем, с размещенной в нем стойкой, в несквозном туннеле в которой установлена термопара и почти плотно установленной на стойке цилиндрическим полым держателем, отличающийся тем, что подложкодержатель и источник легколетучей компоненты (Se,S) закреплены на разъемной конструкции, которая помещается на стойке держателя, а для проведения процессов фотостимулированной селенизации сверху квазизамкнутого объема расположена крышка с выточенным в нем пазом для установки в ней кварцевого окна с системой крепления и источником оптического излучения. Источник оптического излучения состоит из корпуса с теплоотражателем и трех установленных по кругу галогенных ламп. 
Изобретение позволяет получать пленки, например, CuGaSe2, со структурой халькопирита на поверхности полиимидной подложки при пониженных температурах рекристаллизационного отжига потому, что при синтезе пленки проводилась фотостимуляция поверхности интегральным оптическим излучением длина волны которой определялась оптической шириной запрещенной зоны CuSe2, GaSe2 и CuGaSe2, за счет повышения температуры в зоне рекристаллизации вследствие дополнительного выделения тепла
Изобретение позволяет получать пленки CuGaSe2 со структурой халькопирита однородной толщины, на поверхности полиимидной подложки при пониженных температурах рекристаллизационного отжига потому, что при росте пленки проводилась фотостимуляция поверхности пленки интегральным оптическим излучением длина волны которой определялась оптической шириной запрещенной зоны CuSe2, GaSe2 и CuGaSe2, за счет повышения температуры в зоне рекристаллизации вследствие дополнительного выделения тепла.
Тонкопленочная технология на основе (Se,S) содержащих полупроводников, позволяет значительно снизить расход и стоимость используемых материалов и является менее энергозатратной.
Эффективность преобразования солнечной энергии структур, на основе (Se,S) содержащих полупроводниковых пленок достигает величин η ≈ 21,7 – 22,3  % что является одним из самых высокий показателей эффективности для всех типов тонкопленочных солнечных элементов
Тимур
Гаджиев
Мажлумович
Генеральный директор
Кандидат физико-математических наук
Старший научный сотрудник
J-7960-2018
36801839600
0000-0002-3076-594X
РОССИЯ
Тимур
Гаджиев
Мажлумович
Генеральный директор
РОССИЯ
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
01.03.UB
PHYSICS, APPLIED
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
01.03.SY
OPTICS
Тимур
Гаджиев
Мажлумович
Научное руководство НИОКР
РОССИЯ
Марат
Алиев
Алиевич
Разработка конструкторской документации
РОССИЯ
Арслан
Алиев
Маратович
изготовление и проведение испытательных работ
РОССИЯ
ФОНД СОДЕЙСТВИЯ ИННОВАЦИЯМ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ООО "МИП "ЭнЭко"
Общество с ограниченной ответственностью "Малоеинновационное предприятие "ЭнЭко"
1200500014406
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Общества с ограниченной ответственностью