Способ изготовления тонкопленочного транзистора
дефектность отжиг тонкопленочный транзистор низкий плотность дефектов аморфный кремний
Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления тонкопленочного транзистора включает процессы формирования активных областей, слоя аморфного кремния и отжиг, при этом слой аморфного кремния формируют на подложке кремния Si после обработки обратной стороны подложки ионами аргона Ar с энергией 90 кэВ, дозой 1013 см-2, толщиной 240 нм, осаждением в водород-аргоновой плазме при отношении концентраций Н/Ar - 32%, температуре 300°С, давлении 0,27 Па, скорости осаждения 0,17 нм/с. Технический результат: обеспечение возможности снижения дефектности, обеспечения технологичности, улучшения параметров приборов, повышения качества и увеличения процента выхода годных приборов.
Использование: для изготовления аморфного кремния с низкой плотностью дефектов.
61.31.47
Кремний и его соединения
Асламбек
Хасанов
Идрисович
"Кандидат физико-математических наук"
"Доцент"
РОССИЯ
ФИПС
ФИПС
1067757741479
Организация
Федеральные министерства, федеральные службы и федеральные агентства, руководство деятельностью которых осуществляет Президент Российской Федерации, федеральные службы и федеральные агентства, подведомственные этим федеральным министерствам
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЧЕЧЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АХМАТА АБДУЛХАМИДОВИЧА КАДЫРОВА"
1032001202903
ЗАУРБЕК
САИДОВ
АСЛАНБЕКОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения