Способ изготовления полупроводникового прибора
электроды полевой транзистор пониженные значении дефектности слой аморфного кремния полупроводники
Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления полупроводниковых приборов включает процессы формирования активных областей полевого транзистора и электродов к ним, подзатворного оксида, слой аморфного кремния при этом формируют фоторазложением молекул дисилана Si2H6 при воздействии луча эксимерного лазера энергией 140 мДж/импульс, давление в реакционной камере 2,66⋅10-5 Па, скорости осаждения из газовой фазы слоя аморфного кремния 3,5 нм/с при расходе дисилана Si2H6 20 см3/мин, температуре подложки 400°С и последующей термообработке при температуре 550°С в течение 30 мин, в атмосфере аргона. Технический результат: обеспечение возможности снижения дефектности, улучшения технологичности, улучшения параметров приборов, повышения качества и увеличения процента выхода годных приборов.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления слоя аморфного кремния с пониженным значением дефектности.
29.19.31
Полупроводники
Асламбек
Хасанов
Идрисович
"Кандидат физико-математических наук"
"Доцент"
РОССИЯ
ФИПС
ФИПС
1067757741479
Организация
Федеральные министерства, федеральные службы и федеральные агентства, руководство деятельностью которых осуществляет Президент Российской Федерации, федеральные службы и федеральные агентства, подведомственные этим федеральным министерствам
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЧЕЧЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АХМАТА АБДУЛХАМИДОВИЧА КАДЫРОВА"
1032001202903
ЗАУРБЕК
САИДОВ
АСЛАНБЕКОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения