Фотоэлектрический преобразователь
гетероструктура полупроводник брегговский отражатель фотоэлектрический преобразователь
Изобретение относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может быть использовано для создания фотоэлектрических преобразователей лазерного и светодиодного излучения. Фотоэлектрический преобразователь выполнен на основе полупроводниковой гетероструктуры, включающий фронтальный широкозонный слой полупроводника, узкозонный фотоактивный с p-n переходом слой, тыльный широкозонный слой, на тыльной поверхности которого выполнено диэлектрическое зеркальное покрытие, отражающее лучи, падающие на него под углами, превышающими угол полного отражения от границы широкозонного слоя с диэлектрическим слоем, выполненным из материала с минимальным коэффициентом преломления. Диэлектрическое покрытие выполнено ситообразным с расстоянием между круглыми отверстиями, в 10-20 раз превышающим диаметр отверстий, заполненных слоями омических контактов к упомянутому тыльному широкозонному слою с толщиной контактных слоев, установленной равной толщине диэлектрического покрытия, на поверхности которого нанесены слои металлического зеркала. Изобретение обеспечивает увеличение КПД фотоэлектрического преобразования излучения.
Изобретение относится к полупроводниковой оптоэлектронике и может быть использовано для создания фотоэлектрических преобразователей (ФЭП).
Вячеслав
Андреев
Михайлович
главный научный сотрудник
Доктор технических наук
Член-корреспондент РАН
C-1054-2014
7401665569
РОССИЯ
Сергей
Иванов
Викторович
Директор
РОССИЯ
44.41.35
Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Вячеслав
Андреев
Михайлович
РОССИЯ
Николай
Калюжный
Александрович
РОССИЯ
Сергей
Минтаиров
Александрович
РОССИЯ
Федор
Солдатенков
Юрьевич
РОССИЯ
Алексей
Блохин
Анатольевич
РОССИЯ
Мария
Нахимович
Валерьевна
РОССИЯ
Александра
Малевская
Вячеславовна
РОССИЯ
Светлана
Левина
Андреевна
РОССИЯ
Максим
Шварц
Зиновьевич
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
1037804006998
СЕРГЕЙ
ИВАНОВ
ВИКТОРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения