«Технологическая инструкция получения низкотемпературных ТЭМ на основе халькогенидов висмута и сурьмы методом ВДРР»
низкотемпературные термоэлектрические материалы халькогениды висмута и сурьмы высокодисперсионное распыление расплава
Технологическая инструкция устанавливает содержание, порядок и правила выполнения комплекса технологических операций по получению низкотемпературных ТЭМ) на основе халькогенидов висмута и сурьмы методом высокодисперсионного распыления расплава
РИД может быть использован для получения низкотемпературных ТЭМ на основе халькогенидов висмута и сурьмы методом ВДРР.
Борис
Барканов
Петрович
Заместитель главного конструктора РФЯЦ-ВНИИЭФ - начальник научно-конструкторского отделения
Доктор технических наук
Отсутствует
-
-
РОССИЯ
Валентин
Костюков
Ефимович
Директор
РОССИЯ
53.41.37
Получение полупроводниковых соединений
47.09.29
Полупроводниковые материалы
02.05.PZ
METALLURGY & METALLURGICAL ENGINEERING
Марк
Криворучко
Муратович
проведение контроля синтезированного материала
РОССИЯ
Дмитрий
Никулин
Сергеевич
разработка технологического процесса, подбор и отработка состава термоэлектрического материала, подбор оптимального уровня легирования
РОССИЯ
ГОСКОРПОРАЦИЯ "РОСАТОМ"
ГОСУДАРСТВЕННАЯ КОРПОРАЦИЯ ПО АТОМНОЙ ЭНЕРГИИ "РОСАТОМ"
1077799032926
Организация
Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
Государственные корпорации
ФГУП "РФЯЦ - ВНИИЭФ"
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ УНИТАРНОЕ ПРЕДПРИЯТИЕ "РОССИЙСКИЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ ЯДЕРНЫЙ ЦЕНТР - ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ ФИЗИКИ"
1025202199791
ВАЛЕНТИН
КОСТЮКОВ
ЕФИМОВИЧ
Организация
Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом"
Федеральные государственные унитарные предприятия