Способ управления составом расплава в активной зоне тепловой камеры кристаллизационной установки
ШИМ-сигнал осаждение ионы кристаллизация расплав термоэлектронная эмиссия
Изобретение относится к способам управления процессом выращивания монокристаллов сапфира, граната и других оксидных кристаллов  из расплавов.  
В способе управления составом расплава в активной зоне тепловой камеры кристаллизационной установки, включающем резистивный нагрев шихты, размещенной в кристаллизационном контейнере, при температуре выше 1700  0С  в интервале времени Т1 на нагреватель подают отрицательный потенциал, а на контейнер подают положительный потенциал, в результате чего внутри камеры возникает направленный ускоренный поток электронов и происходит ионизация продуктов испарения шихты, загруженной в контейнер. Затем в интервале времени Т2 отрицательный потенциал прикладывают к лодочке, а положительный потенциал к нагревателю, при этом в атмосфере нагревательной камеры нейтральные атомы и молекулы, ионизованные в интервал времени Т1 до катионов, под действием электростатического поля движутся в направлении от нагревателя к контейнеру и возвращаются в расплав, что обеспечивает неизменность состава расплава шихты, при этом Т1 = 10 Т1 min , где
Т1min= 2L/v т.к. средняя скорость равноускоренного движения равна  v/2 где:
L –расстояние  между  нагревателем и контейнером;
v=√(2e/m U),где e и m-заряд и масса электрона,
а длительность периода Т2 более 103 Т1.
Промышленная применимость предлагаемого способа выращивания монокристаллов сапфира, граната и других оксидных кристаллов производится  из расплавов  в специальных тепловых камерах при высоких температурах.
Ольга
Алексеева
Анатольевна
директор
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
C-2310-2014
57212404093
РОССИЯ
Елена
Иванова
Сергеевна
Ученый секретарь
РОССИЯ
29.19.19
Методы исследования кристаллической структуры и динамики решетки
29.15.39
Методика и техника ядерно-физического эксперимента
01.03.UI
PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
02.11.OA
INSTRUMENTS & INSTRUMENTATION
Владимир
Федоров
Анатольевич
РОССИЯ
Владимир
Каневский
Михайлович
РОССИЯ
Евгений
Антонов
Вячеславович
РОССИЯ
Вячеслав
Карайченцев
Георгиевич
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФНИЦ «Кристаллография и фотоника» РАН
Федеральное государственное учреждение  «Федеральный научно-исследовательский центр «Кристаллография и фотоника» Росийской академии наук»
1037739548747
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения