Нитрид-галлиевый транзистор с полевой пластиной
Нитрид галлия Транзистор
Структура транзистора на основе нитрида галлия, включающего последовательные слои оксида кремния, нитрида кремния, титана и золота. Согласно заявленной полезной модели между гетероструктурой и нитридом кремния расположен дополнительный слой диэлектрика (оптимальными являются оксид кремния, нитрид кремния, оксид алюминия) различных толщин (выбирается исходя из требуемых значений ёмкости сток-затвор), наносимый магнетронным распылением в вакууме в одном технологическом процессе с нанесением затвора.
Структура может быть применена для создания СВЧ приборов.
Станислав
Шостаченко
Алексеевич
Инженер
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
I-4853-2014
56588000900
5994-7058
РОССИЯ
Станислав
Шостаченко
Алексеевич
Инженер
РОССИЯ
47.45.99
Прочие элементы СВЧ-техники
02.02.EU
COMMUNICATION
Станислав
Шостаченко
Алексеевич
РОССИЯ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
СЕРГЕЙ
ПОЛЯКОВ
ГЕННАДЬЕВИЧ
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
Станислав
Шостаченко
Алексеевич
Физическое лицо
РОССИЯ