Способ создания интерфейса для интеграции монокристаллических оксидов с германием
ОКСИДНЫЕ МАТЕРИАЛЫ ГЕТЕРОЭПИТАКСИЯ МОЛЕКУЛЯРНО-ЛУЧЕВАЯ ЭПИТАКСИЯ ГЕРМАНИЙ СПИНТРОНИКА
В РИД описан способ улучшения кристаллического качества пленок оксидных материалов, синтезируемых на монокристаллическом германии ориентации (001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Описываемый метод является развитием подхода формирования поверхностных фаз на интерфейсе германий/оксид и позволяет получать монокристаллические эпитаксиальные пленки оксидных материалов на германии без включений кристаллитов нежелательной ориентации. Данное изобретение позволяет улучшить технические характеристики изготавливаемых с использованием оксидных материалов устройств наноэлектроники и спиновой электроники. В частности, избежать пробоя оксидного слоя, приводящего к потере функциональности устройства.
Микро- и наноэлектроника, спинтроника
Вячеслав
Демин
Александрович
Заместитель Главного ученого секретаря Центра
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
35860534
-
-
-
РОССИЯ
Сергей
Гиенко
Юрьевич
Начальник управления
РОССИЯ
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.19.31
Полупроводники
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Дмитрий
Аверьянов
Валерьевич
РОССИЯ
Иван
Соколов
Сергеевич
РОССИЯ
Андрей
Токмачев
Михайлович
РОССИЯ
Вячеслав
Сторчак
Григорьевич
РОССИЯ
Правительство России
Правительство Российской Федерации
Организация
-
-
НИЦ "Курчатовский институт"
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
1027739576006
Организация
Правительство Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения