Способ изготовления полупроводникового прибора
полевой транзистор кристаллическая решетка пластинки кремния n - типа проводимости
Технология способа состоит в следующем: на пластинах кремния n - типа проводимости с удельным сопротивлением 4,5 Ом*см, ориентации (100) формировали слой подзатворного оксида при температуре 1200°С в течение 14 мин. в потоке осушенного кислорода 1500 см3/мин. Хлор вводили в окисел, добавляя к кислороду азот 60 см3/мин, пропущенный через сосуд с трихлорэтиленом при температуре 34°С. Перед выгрузкой из реактора подложки отжигали в потоке азота при температуре 650°С, в течение 2 мин, а затем медленно, во избежание образования напряжений кристаллической решетки, удаляли из зоны максимального нагрева. Активные области полевого транзистора и контакты формировали по стандартной технологии. Атомы хлора связывают и нейтрализуют подвижные ионы в оксиде в близи поверхности кремния, что приводит к уменьшению плотности поверхностных состояний.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевых транзисторов с повышенной стабильностью параметров и пониженной дефектностью.
47.33.37
Приборы функциональной микроэлектроники
Наталья
Черкесова
Васильевна
"Кандидат физико-математических наук"
"Доцент"
РОССИЯ
Гасан
Мустафаев
Абакарович
"Доктор технических наук"
"Профессор"
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
КБГУ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова"
1020700739234
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения