Алмазный фотовольтаический приемник ультрафиолетового диапазона
алмазный фотовольтаический приемник потенциальная яма фотоприемника приповерхностная утечка тока фотоприемник ультрафиолетового диапазона спектра полупроводниковая фотоэлектроника
Полезная модель относится к области полупроводниковой фотоэлектроники, а именно, к способам изготовления фотоприемников ультрафиолетового диапазона спектра фотовольтаического типа на основе сбора заряда в потенциальных ямах, который включает изготовление алмазной подложки в виде пластины с концентрацией азота не более 2·1019см-3, нанесение на нее металлических контактов, при этом одни контакты несут потенциал подложки и являются общими для внешней цепи, а под другими контактами создаются потенциальные ямы, накапливающие разделенные на барьере «металл-полупроводник» носители путем поддержания на этих контактах относительно подложки «плавающего» потенциала, при этом приповерхностный слой алмазной подложки под контактами, под которыми создаются потенциальные ямы, накапливающие разделенные на барьере «металл-полупроводник» носители, удаляется методом термохимической обработки в форме каталитической реакции растворения углерода алмаза с карбидообразующими металлами (Fe, Ni, Pt) в среде водорода при повышенных температурах, при этом толщина удаляемого приповерхностного алмазного слоя составляет от 1 до 3 мкм.
Полезная модель обеспечивает повышение фоточувствительности алмазного фотовольтаического приемника к обнаружению УФ-излучения, улучшение его быстродействия, снижение приповерхностных утечек тока и улучшение диэлектрических свойств между фоточувствительными элементами в алмазном фотовольтаическом приемнике, а также улучшает накопление в потенциальной яме фотоприемника сгенерированного излучением заряда.
Основными областями применения алмазного фотовольтаического приемника ультрафиолетового (УФ) диапазона являются экология, медицина, промышленное и научное приборостроение (спектрометрия, хроматография, астрофизические исследования), астронавигация, аппаратура оборонного назначения
47.09.29
Полупроводниковые материалы
47.33.29
Дискретные полупроводниковые приборы
47.33.37
Приборы функциональной микроэлектроники
Андрей
Алтухов
Александрович
"Кандидат технических наук"
"Отсутствует"
"ABC-4468-2020"
"6701707351"
"258668"
"0000-0002-3106-0001"
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
РТУ МИРЭА
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МИРЭА - РОССИЙСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ"
1037739552740
СТАНИСЛАВ
КУДЖ
АЛЕКСЕЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения