2D напечатанный композитный электропроводящий слой на подложке
печатные технологии высокая проводимость композит PEDOT:PSS Графен
Техническое решение относится к области электроники. Композитный электропроводящий слой на подложке содержит поли(3,4-этилендиокситиофен)-поли(стиролсульфонат) - PEDOT:PSS и графен. При этом слой на подложке выполнен 2D печатью с использованием для чернил суспензии графена и органического полимера PEDOT:PSS с обработкой последнего компонентом чернил – этиленгликолем. Обработка выполнена до достижения по отношению к содержанию графена содержания PEDOT:PSS, равного от 5‧10-4 до 5‧10-3  массовых %, при включении графена  в виде частиц с латеральными размерами от 100 до 400 нм или до достижения по отношению к содержанию графена содержания PEDOT:PSS, равного от 1‧10-3 до 5‧10-1  массовых %, при включении графена  в виде частиц с латеральными размерами от 40 до 80 нм. Технический результат выражается в увеличении на порядки проводимости электропроводящего слоя, повышении стабильности во времени проводимости и гибкости электропроводящего слоя. 3 п. ф-лы, 6 ил.
Техническое решение относится к области электроники, к электронным схемам, выполненным с помощью 2D-печати, в частности, к гибкой электронике, к растягиваемой электронике, к «умному» текстилю с электронными компонентами, к тонкопленочным электронным устройствам, и может быть использовано при создании широкого спектра электронных устройств.
Ирина
Антонова
Вениаминовна
В.н.с.
Доктор физико-математических наук
Доцент
О-2405-2013
7006609589
92744030
https://www.isp.nsc.ru/en/institute/institute-divisions/laboratory-of-three-dimensional-nanostructures/staff-members/irina-v-antonova
0000-0002-6835-2737
РОССИЯ
Александр
Латышев
Васильевич
Директор
РОССИЯ
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Ирина
Антонова
Вениаминовна
РОССИЯ
Артем
Иванов
Ильич
РОССИЯ
Регина
Соотс
Альфредовна
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ИФП СО РАН
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
1025403651283
АЛЕКСАНДР
ЛАТЫШЕВ
ВАСИЛЬЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения