Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
Составной транзистор на основе комплементарных полевых транзисторов с управляющим p-n переходом
Основная задача предполагаемого изобретения состоит в создании радиационно-стойкого и низкотемпературного составного транзистора на комплементарных полевых транзисторах с управляющим pn-переходом, эквивалентного по своим стокозатворным характеристикам КМОП транзистору и обеспечивающего экстремально высокое выходное сопротивление по цепи эквивалентного стока устройства
электронные устройства автоматики, вычислительной техники, систем связи и телекоммуникаций, предприятия и организации, занимающиеся разработкой и производством аналоговой электронной компонентной базы, в т.ч. предназначенной для адаптивной фильтрации и выделения заданного спектра сигналов в задачах АЦП преобразования.
Бутырлагин Н.В.
доцент
Кандидат технических наук
Месхи Б. Ч.
ректор
47.41.29
Фильтры
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Дмитрий
Клейменкин
Владимирович
25%
Алексей
Жук
Андреевич
20%
Алексей
Титов
Евгеньевич
20%
Николай
Прокопенко
Николаевич
35%
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
Донской государственный технический университет; ДГТУ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет"
1026103727847
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения