Фотоэлектрический преобразователь
Фотоэлектрический преобразователь омический контакт
Фотоэлектрический преобразователь включает подложку, A3B5 гетероструктуру с контактным слоем GaAs р-типа проводимости, фронтальный омический контакт и тыльный омический контакт. Фронтальный омический контакт содержит последовательно расположенные первый слой сплава никеля и хрома (NiCr) с содержанием в сплаве хрома (15-50) мас. % толщиной (5-25) нм, слой Ag толщиной (500-5000) нм, второй слой сплава NiCr с содержанием в сплаве хрома (15-50) мас. % толщиной (50 100) нм и слой Au толщиной (30 100) нм. Фотоэлектрический преобразователь имеет увеличенную электрическую проводимость контактных шин за счет увеличения адгезии контактных слоев и снижения омических потерь путем уменьшения переходного контактного сопротивления.
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности, к фотоэлектрическим преобразователям, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую.
Вячеслав
Андреев
Михайлович
главный научный сотрудник
Доктор технических наук
Член-корреспондент РАН
C-1054-2014
7401665569
РОССИЯ
Сергей
Иванов
Викторович
Директор
РОССИЯ
44.41.35
Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Федор
Солдатенков
Юрьевич
Технология изготовления омических контактов.
РОССИЯ
Александра
Малевская
Вячеславовна
Технология изготовления фотоэлектрического преобразователя.
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
1037804006998
СЕРГЕЙ
ИВАНОВ
ВИКТОРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения