Диод Шоттки на основе нитевидных нанокристаллов нитрида галлия
барьер Шоттки нитрид галлия нитевидные нанокристаллы кремний
Полезная модель относится к области нано- и микроструктурных технологий, а именно к конструкции диодов с барьером Шоттки, и может быть использована в полупроводниковой электронике, в том числе сверхвысокочастотной. Сущность заключается в создании диода Шоттки на основе отделенных от ростовой подложки нитевидных нанокристаллов нитрида галлия высокого кристаллического совершенства. Техническим результатом является диод Шоттки сверхвысокочастотного диапазона, процесс изготовления которого не предусматривает использования операций химического травления.
полупроводниковая электроника
47.09.29
Полупроводниковые материалы
47.14.13
Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
47.33.29
Дискретные полупроводниковые приборы
Константин
Шугуров
Юрьевич
"Кандидат физико-математических наук"
"Отсутствует"
РОССИЯ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
СЕРГЕЙ
ПОЛЯКОВ
ГЕННАДЬЕВИЧ
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
Константин
Шугуров
Юрьевич
Физическое лицо
РОССИЯ