Способ определения петель гистерезиса аморфных ферромагнитных микропроводов на основе железа
Аморфные ферромагнитные микропровода сканирующий магнитометр локальные магнитные поля петля гистерезиса
Изобретение относится к измерительной технике, предназначено для регистрации магнитных полей рассеяния ферромагнитных материалов и веществ и может найти применение для изучения пространственных и временных зависимостей магнитной индукции магнитных материалов. Техническим результатом является создание способа, позволяющего определять с достаточной чувствительностью намагниченность насыщения, остаточную намагниченность и петли гистерезиса образцов микропроводов на основе железа длиной более 10 мм и с магнитным моментом < 1 Ам2. Технический результат достигается путем измерения с помощью сканирующего ГМИ магнитометра профилей распределения вертикальной компоненты магнитной индукции над осью исследуемого образца микропровода на фиксированной высоте при заданных значениях магнитного поля, ступенчато изменяемого с заданным шагом, и определения магнитного момента микропровода из измеренных данных путем, сравнения с модельными расчетными данными. Для этого микропровод фиксируют на координатном столике и прикладывают к нему максимальное внешнее магнитное поле, направленное вдоль оси микропровода, обеспечивают взаимное относительное перемещение между столиком с образцом и ГМИ магнитометром в плоскости Х-Y с шагами X, Y на фиксированной высоте от магнитометра, измеряют локальную магнитную компоненту полей рассеяния над поверхностью образца и получают поточечное магнитное изображение микропровода с двумя распределенными магнитными экстремумами над его противоположными концами, из которого выбирают первый профиль значений [В*z(х,у0), Hmax], соответствующий значениям вертикальной компоненты поля над осью микропровода, (где У0 - координата, соответствующая положениям экстремумов). Затем уменьшают величину внешнего магнитного поля на величину Н, проводят повторные измерения локальной магнитной компоненты полей рассеяния вдоль оси микропровода (при Y = Y0)  и получают второй профиль значений [В*z(х), Hmax - Н]. Данную процедуру измерений повторяют при всех значениях внешних магнитных полей в диапазоне ± Hmax. с шагом Н и получают в результате массив данных [В*z(х)i,, Hi], который используют для определения магнитного момента исследуемого образца микропровода [Мi, Hi] и построения петли гистерезиса.
индустрия наносистем
59.29.33
Приборы для измерения характеристик магнитных полей, магнитных свойств материалов
Сергей
Гудошников
Александрович
"Кандидат физико-математических наук"
"Отсутствует"
"B-1300-2014"
"7003661076"
"25000"
"0000-0002-8406-2166"
РОССИЯ
Владимир
Одинцов
Иванович
"Кандидат физико-математических наук"
"Отсутствует"
"—"
"36730461000"
"538"
"0000-0001-7612-6644"
РОССИЯ
Юрий
Гребенщиков
Борисович
"Отсутствует"
"Отсутствует"
"—"
"6507833174"
"—"
"—"
РОССИЯ
Георгий
Данилов
Егорович
"Отсутствует"
"Отсутствует"
"HFZ-8767-2022"
"57932068500"
"7699-0213"
"0000-0003-2196-2113"
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
НИТУ МИСИС
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИСИС"
1027739439749
АЛЕВТИНА
ЧЕРНИКОВА
АНАТОЛЬЕВНА
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения