Способ получения активной структуры элемента энергонезависимой резистивной памяти
резистивная память (RRAM) плазмохимическое осаждение из газовой фазы нанокластер кремния оксид кремния
Способ получения активной структуры элемента энергонезависимой резистивной памяти включает изготовление на подложке примыкающих друг к другу слоя, обеспечивающего формирование наноконтактов для реализации филаментарного механизма проводимости, и активного слоя, обеспечивающего филаментарный механизм проводимости. Изобретение обеспечивает снижение величины напряжения формовки вплоть до нулевого значения.
Изобретение относится к технике хранения информации, к вычислительной технике, в частности к элементам резистивной памяти, к элементам памяти электрически перепрограммируемых постоянных запоминающих устройств, сохраняющих информацию при отключенном питании, и может быть использовано при создании устройств памяти, например вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов, электронных карточек.
Анатолий
Двуреченский
Васильевич
Заведующий лабораторией
Доктор физико-математических наук
Член-корреспондент РАН
P-5612-2015
57189057475
2847-1840
РОССИЯ
Александр
Латышев
Васильевич
Директор
РОССИЯ
50.11.31
Полупроводниковые запоминающие устройства
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Андрей
Гисматулин
Андреевич
разработка
РОССИЯ
Владимир
Володин
Алексеевич
разработка
РОССИЯ
Геннадий
Камаев
Николаевич
разработка
РОССИЯ
Владимир
Гриценко
Алексеевич
разработка
РОССИЯ
ИФП СО РАН
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ФИЗИКИ ПОЛУПРОВОДНИКОВ ИМ. А.В. РЖАНОВА СИБИРСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
1025403651283
АЛЕКСАНДР
ЛАТЫШЕВ
ВАСИЛЬЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения