Способ контроля кристалличности образца при ионном легировании
силовая электроника, карбид кремния, карбид-кремниевые транзисторы
Изобретение предназначено для непосредственного контроля в процессе ионного легирования уменьшения кристалличности образца, то есть контроль степени разрушения кристаллической решетки образца. Контроль степени разрушения кристаллической решетки образца осуществляется посредством конструкции регистрирующей системы, которая включает в себя источник пучка ионов, гониометрическую систему, нагреватель образца, вторично-электронный умножитель, поворотный механизм.
Сложнофункциональные силовые приборы на карбиде кремния.
Дюжев Н. А.
Директор ЦКП "МСТ и ЭКБ"
Кандидат физико-математических наук
Гаврилов С. А.
Проректор
47.09.29
Полупроводниковые материалы
47.33.29
Дискретные полупроводниковые приборы
47.13.11
Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Владимир
Черныш
Васильевич
проведение патентного поиска
Игорь
Зарубин
Михайлович
проведение патентного поиска
Антон
Назаров
Викторович
разработка концепции изобретения
Андрей
Шемухин
Александрович
разработка концепции изобретения
Екатерина
Воробьева
Андреевна
разработка концепции изобретения
Владимир
Егоркин
Ильич
разработка концепции изобретения
Александр
Евсеев
Павлович
проведение патентного поиска
Юрий
Балакшин
Викторович
проведение патентного поиска
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
МИЭТ;  Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; НИУ МИЭТ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
1027739615584
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения