Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя на утоняемой германиевой подложке
полупроводниковая структура p-n переход утонение германиевой подложки фотоэлектрический преобразователь
Способ изготовления утоненного фотоэлектрического преобразователя включает формирование гетероструктуры GalnP/Ga(ln)As/Ge на германиевой подложке с фронтальным контактным слоем n-GaAs, омических контактов на поверхности контактного слоя n-GaAs, вскрытие оптических окон и напыление просветляющего покрытия, создание мезы с защитным покрытием, формирование тыльных омических контактов к германиевой подложке в мезе, нанесение защитного покрытия, наклеивание пластины защитным покрытием на диск-носитель, утонение германиевой подложки методом жидкостного химического травления, матирование утоненной германиевой подложки методом жидкостного химического травления, пассивацию утоненной германиевой подложки путем осаждения диэлектрического покрытия, осаждение светоотражающего покрытия из золота или серебра с защитным слоем золота, удаление защитного покрытия с одновременным откреплением пластины от диска-носителя и разделением пластины на чипы. Способ обеспечивает снижение удельной массы фотоэлектрического преобразователя за счет значительного утонения германиевой подложки с сохранением спектральной чувствительности германиевого p-n перехода в инфракрасном диапазоне спектра и его фототока и эффективности фотоэлектрического преобразователя в целом.
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности, к способу изготовления фотоэлектрических преобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности при производстве элементов и устройств для преобразования световой энергии в электрическую энергию.
Вячеслав
Андреев
Михайлович
зав. лабораторией
Доктор технических наук
Член-корреспондент РАН
C-1054-2014
7401665569
РОССИЯ
Сергей
Иванов
Викторович
Директор
РОССИЯ
44.41.35
Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Александра
Малевская
Вячеславовна
Техническое описание
РОССИЯ
Максим
Шварц
Зиновьевич
Общее руководство
РОССИЯ
Мария
Нахимович
Валерьевна
Измерение характеристик, описание конструкции
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
1037804006998
СЕРГЕЙ
ИВАНОВ
ВИКТОРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения