СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ЯЧЕЙКИ ЭНЕРГОНЕЗАВИСИМОЙ ПАМЯТИ В ВИДЕ ReRAM УСТРОЙСТВА С ЭЛЕКТРОННОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ
ReRAM-память Микроэлектронное производство Энергонезависимая память
Изобретение относится к технологии изготовления ячеек энергонезависимой резистивной памяти ReRAM (Resistive Random Access Memory) на основе мемристора с электронной проводимостью. Нанометаллические мемристоры реализуются в аморфном кремнии, который имеет ширину запрещенной зоны ~ 2 эВ. Пленка нелегированного аморфного Si до толщины 25 нм проводит электронный ток в вертикальном стеке металл-кремний-металл. В случае легирования кремния атомами кислорода или азота образуется эффект улавливания/освобождения электронов с образованием эффекта мемристора. Способ изготовления ячейки мемристора включает следующие процессы:
•	Термическое окисление подложки;
•	Формирование стека тонких металлических и неметаллических плёнок в едином вакуумном цикле (без выхода на атмосферу), включающий:
o	дегазацию поверхности подложки в условиях высокого вакуума с нагревом до 130°С;
o	магнетронное напыление плёнки титана толщиной 10-15 нм в режиме постоянного тока для обеспечения адгезию плёнки Pt к поверхности термического SiO2; 
o	магнетронное напыление платины –металлизации нижнего электрода - толщиной 30-35 нм в режиме постоянного тока;
o	магнетронное напыление кремния толщиной 15-20 нм в режиме ВЧ-распыления с контролируемым содержанием кислорода, обеспечивающим его концентрацию в плёнке Si 5-20 ат.%. Режим напыления плёнки Si должен обеспечивать температуру подложки не выше 130°С;
o	магнетронное напыление металлизации верхнего электрода – молибдена толщиной 25-30 нм в режиме постоянного тока;
o	- магнетронное напыление плёнки Ti толщиной 10-15 нм в режиме постоянного тока, обеспечивающей адгезию к Mo защитной плёнки WTi;
o	- магнетронное напыление защитной плёнки WTi толщиной 100-150 нм в режиме постоянного тока, предотвращающей окисление плёнки верхнего электрода и диффузию атомов Al из металлической разводки в функциональный слой кремния;
•	Формирование плёнки низкотемпературного SiO2 для создания жёсткой маски над стеком мемристора;
•	Формирование верхнего электрода с использованием SiO2 в качестве жёсткой маски с последовательным травлением окисла, защитной плёнки WTi, молибдена и функционального слоя кремния с остановкой на нижнем платиновом электроде;
•	Формирование плёнки низкотемпературного межслойного SiO2;
•	Вскрытие контактных окон в межслойном окисле к верхнему и нижнему электродам;
•	Магнетронное напыление Al плёнки для формирования металлической разводки;
•	Формирование Al разводки.
ReRAM-ячейка — основа нового поколения устройств энергонезависимой резистивной памяти, принцип действия которых базируется на переключении между устойчивыми резистивными состояниями материала под действием внешнего напряжения/тока.
Алексей
Суманов
Валерьевич
Генеральный директор
Отсутствует
Отсутствует
-
-
-
РОССИЯ
Алексей
Суманов
Валерьевич
Генеральный директор
РОССИЯ
20.53.17
Средства хранения информации
02.02.ES
COMPUTER SCIENCE, HARDWARE & ARCHITECTURE
Олег
Яковлев
Юльевич
РОССИЯ
Юрий
Барышев
Петрович
РОССИЯ
Владимир
Миронов
Петрович
РОССИЯ
ФОНД СОДЕЙСТВИЯ ИННОВАЦИЯМ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ООО "ДЭМАР"
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ДЭМАР"
1207700368072
АЛЕКСЕЙ
СУМАНОВ
ВАЛЕРЬЕВИЧ
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Общества с ограниченной ответственностью