Кристалл для верификации электрофизических параметров элементов конструкции мощных GaN транзисторов на кремниевой подложке
силовой транзистор, нитрид галлия, верификация параметров
Микросхема предназначена для верификации электрофизических параметров конструкции мощного GaN транзистора для построения моделей и библиотек элементов в САПР. Контактные площадки позволяют проводить измерения на различных зондовых устройствах. Для изготовления микросхемы используется GaN гетероструктура на кремниевой подложке. Технологический маршрут состоит из стандартных операций, применяемых для изготовления нитрид-галлиевых интегральных схем.
Проектирование DC-DC преобразователей, проектирование схем питания на постоянном токе, проектирование схем управления электродвигателями.
Беспалов В. А.
Г. н. с.
Доктор технических наук
Гаврилов С. А.
Проректор
47.13.11
Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Николай
Гуминов
Владимирович
Разработка топологического чертежа кристалла, разработка конструктивного исполнения топологии кристалла
Максим
Журавлёв
Николаевич
Разработка и контроль правил проектирования топологии с учётом особенностей технологического маршрута
Владимир
Егоркин
Ильич
Разработка состава топологических слоёв с учётом технологического маршрута, разработка технологического маршрута изготовления микросхемы
АО "ЗНТЦ"
Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр"
1107746582052
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Непубличные акционерные общества
МИЭТ;  Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; НИУ МИЭТ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
1027739615584
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения