Способ изготовления светоизлучающего диода на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs
светоизлучающий диод гетероструктура преобразование электроэнергии омический контакт
Способ изготовления светоизлучающего диода на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs включает формирование слоев гетероструктуры на подложке GaAs, нанесение первого омического контакта, нанесение прозрачного покрытия, нанесение слоя металлического отражателя, формирование подложки-носителя GaAs с тыльным и фронтальным омическими контактами, монтаж подложки-носителя и гетероструктуры AlGaAs/GaAs путем формирования соединения AuIn2, удаление подложки GaAs и формирование второго омического контакта.
Изобретение относится к электронной технике, в частности, к способу изготовления светоизлучающих диодов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования электрической энергии в световую.
Вячеслав
Андреев
Михайлович
главный научный сотрудник
Доктор технических наук
Член-корреспондент РАН
C-1054-2014
7401665569
РОССИЯ
Сергей
Иванов
Викторович
Директор
РОССИЯ
44.41.35
Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Дмитрий
Малевский
Андреевич
Технология изготовления светоизлучающего диода
РОССИЯ
Александра
Малевская
Вячеславовна
Технология изготовления гетероструктуры. Техническое описание
РОССИЯ
Павел
Покровский
Васильевич
Технология изготовления светоизлучающего диода
РОССИЯ
Федор
Солдатенков
Юрьевич
Технология изготовления омических контактов
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
1037804006998
СЕРГЕЙ
ИВАНОВ
ВИКТОРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения