СПОСОБ IN-SITU СИНХРОТРОННЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ МНОГОСЛОЙНЫХ ПОКРЫТИЙ В ПРОЦЕССЕ ТЕРМИЧЕСКОГО ВОЗДЕЙСТВИЯ
ПАРАМЕТР КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ РЕШЕТКИ ТЕРМИЧЕСКОЕ ВОЗДЕЙСТВИЕ МНОГОСЛОЙНЫЕ ПОКРЫТИЯ СИНХРОТРОННОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ РЕНТГЕНОСТРУКТУРНЫЙ АНАЛИЗ
Изобретение относится к области исследования материалов с помощью рентгеноструктурного анализа, а именно к методам анализа с использованием синхротронного излучения. Заявляемый способ in-situ синхротронных исследований многослойных покрытий в процессе термического воздействия, включает следующие  этапы: – установку образца, имеющего на поверхности многослойное покрытие на нагреваемый держатель в воздушной атмосфере;– экспонирование упомянутого образца путем воздействия монохроматического синхротронного излучения в рентгеновском диапазоне, методом асимметричной съемки, в диапазоне углов 2Θ, выбранном в зависимости от материала многослойного покрытия – нагрев упомянутого образца с заданной скоростью повышения температуры, обеспечивающей время экспозиции достаточное для поэтапного построения рентгенограммы образца с многослойным покрытием с использованием синхротронного излучения в диапазоне температур нагрева, обусловленным реальными условиями технологии нанесения покрытий и одновременная регистрация и запись рентгенограмм с шагом, обеспечивающим достаточную точность идентификации фазовых переходов и структурных изменений, происходящих при нагреве покрытия в упомянутом диапазоне температур; – аппроксимацию полученных профилей рентгенограмм с определением таких характеристик рефлексов присутствующих фаз как межплоскостные расстояния рефлексов (d) и ширина рефлексов на полувысоте (FWHM)) и идентификации всех фаз многослойного покрытия в пределах рентгенограмм, выбранных из всего массива полученных рентгенограмм после визуальной оценки температуры начала фазовых превращений; – вычисление параметра кристаллической решетки (а) для любой фазы кубической сингонии, присутствующей в многослойном покрытии и коэффициента температурного расширения (ЛКТР) для каждой фазы температуры воздействия, при которой находится образец с многослойным покрытием на каждом этапе диапазона температур нагрева;–построение зависимости величины параметра кристаллической решетки (а) для каждой фазы многослойного покрытия от температуры воздействия, при которой находится образец с многослойным покрытием на каждом этапе диапазона температур нагрева, зависимости изменения параметра кристаллической решетки (Δa) и графическое определение из последней коэффициента температурного расширения (ЛКТР); – построение зависимости ширина рефлексов на полувысоте (FWHM) присутствующих фаз покрытия от температуры воздействия.
беспечение возможности определения изменений в процессе нагрева характеристик многослойных покрытий, таких как изменение параметра кристаллической решетки каждой из компонент покрытия по отдельности, возможности определения коэффициента теплового расширения компонент покрытия и качественного определения микронапряжений, а также возможности на основе проведенного анализа формирования рекомендаций к дальнейшему применению технологии нанесения многослойных покрытий с заданными характеристиками.
Николай
Ратахин
Александрович
главный научный сотрудник
Доктор физико-математических наук
Академик
М-5241-2015
6602191236
-
0000-0002-3820-8777
РОССИЯ
Илья
Романченко
Викторович
директор
РОССИЯ
29.19.25
Взаимодействие проникающего излучения с твердыми телами
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.19.19
Методы исследования кристаллической структуры и динамики решетки
29.27.51
Применение плазмы
01.03.UF
PHYSICS, FLUIDS & PLASMAS
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
02.05.QG
MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS
Андрей
Филиппов
Владимирович
РОССИЯ
Андрей
Воронцов
Владимирович
РОССИЯ
Евгений
Москвичев
Николаевич
РОССИЯ
Евгений
Княжев
Олегович
РОССИЯ
Николай
Шамарин
Николаевич
РОССИЯ
Юлия
Денисова
Александровна
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ИСЭ СО РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук
1027000871666
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения