Быстродействующий драйвер управления нормально-закрытыми GaN-транзисторами
GaN усилитель мощности GaAs усилитель мощности СВЧ усилители мощности GaN-транзистор драйвер управления
Быстродействующий драйвер управления нормально-закрытыми GaN-транзисторами (далее - драйвер) предназначен для формирования сигналов управления силовых нитрид-галлиевых транзисторов, входящих в состав импульсных модуляторов СВЧ-усилителей мощности. Драйвер предназначен для применения в качестве оконечного каскада схемы управления, обеспечивая необходимый уровень мощности сигналов управления и изоляцию низковольтной логики схемы управления от просачивающихся через паразитные емкости GaN-транзистора высоковольтных импульсов напряжения. Кристалл изготавливается на основе арсенид-галлиевого технологического процесса с двумя слоями металлизации, содержащими в своем составе высокочастотные гетероструктурные полевые транзисторы, МДМ-конденсаторы и тонкопленочные резисторы. Разработанный кристалл быстродействующего драйвера характеризуется следующими типовыми значениями параметров: диапазон входных напряжений (Uп): 4,5...15 В; максимальный импульсный выходной ток: 5 А; длительность фронта/спада: 10/10 нс; напряжение сигнала управления высокого уровня: не менее 2,5 В; напряжение сигнала управления низкого уровня: не более 0,8 В; напряжение выходного сигнала высокого уровня: не менее (0,8*Uп) В; напряжение выходного сигнала низкого уровня: не более (0,5) В. Работа создана в рамках Соглашения №9ГРРЭС 14/71688 о предоставлении гранта на проведение научно-исследовательских и опытно-конструкторских работ от 19.12.2021 г. с Федеральным государственным бюджетным учреждением «Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере» (Фонд содействия инновациям).
Быстродействующий драйвер предназначен для использования в системах связи, радиолокации, беспроводной передачи данных и других радиоэлектронных системах.
Евгений
Савченко
Матвеевич
Президент компании
Кандидат технических наук
Доцент
U-3357-2019
25227834300
541052
0000-0001-5843-4782
РОССИЯ
Андрей
Пронин
Анатольевич
Генеральный директор
РОССИЯ
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
47.33.31
Интегральные микросхемы
47.14.13
Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Евгений
Савченко
Матвеевич
РОССИЯ
Петр
Будяков
Сергеевич
РОССИЯ
Всеволод
Сиомко
Олегович
РОССИЯ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
СЕРГЕЙ
ПОЛЯКОВ
ГЕННАДЬЕВИЧ
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ООО "ИННОЦЕНТР ВАО"
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ЦЕНТР ИННОВАЦИОННЫХ РАЗРАБОТОК ВАО"
1127746488902
ОЛЬГА
ЛУКЬЯНОВА
ИГОРЕВНА
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Общества с ограниченной ответственностью