Способ увеличения адгезии фоторезиста в технологии нитрид галлия на кремнии
контролируемое травление диэлектрик фоторезист литография
Способ увеличения адгезии фоторезиста к слоям оксида (SiO2) и нитрида кремния (Si3N4) посредством контролируемого травления тонкого слоя материала в низкоэнергетической фторосодержащей плазме
разработка и производство микроэлектронных устройств
29.03.39
Лабораторная электроника
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
Юлия
Грищенко
Викторовна
"Отсутствует"
"Отсутствует"
"K-2741-2014"
РОССИЯ
Максим
Занавескин
Леонидович
"Кандидат физико-математических наук"
"Отсутствует"
"D-6170-2014"
"-"
"-"
"-"
РОССИЯ
Дмитрий
Мамичев
Александрович
"Кандидат физико-математических наук"
"Отсутствует"
РОССИЯ
Игорь
Черных
Анатольевич
"Кандидат физико-математических наук"
"Отсутствует"
"H-4458-2014"
"35781658000"
"-"
"-"
РОССИЯ
Правительство России
Правительство Российской Федерации
Организация
-
-
НИЦ "Курчатовский институт"
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
1027739576006
МАРАТ
КАМБОЛОВ
АРКАДЬЕВИЧ
Организация
Правительство Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения