Способ анизотропного плазменного травления кремниевых микроструктур в циклическом процессе нитридизация-травление
плазменная нитрилизация кремний плазменное окисление циклический процесс травления атомно-слоевое травление плазменное травление
Использование: Изобретение относится к технологии изготовления
интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств
микромеханики (МЭМС) на основе кремния.
Сущность изобретения: Способ анизотропного плазменного
травления кремния, характеризующийся тем, что в циклическом
двухшаговом процессе в качестве пассивирующей пленки, создаваемой на
поверхности кремниевой микроструктуры, используется слой SiN x ,
формирующийся на шаге пассивации реакцией нитридизации поверхности
кремния в плазме N 2 . В качестве плазмообразующего газа на последующем
шаге травления используется плазма SF 6 , что позволяет достигать высокой
скорости вертикального травления микроструктуры.
С целью увеличения плазмостойкости пассивирующей пленки для
достижения большей анизотропии процесса травления, в качестве
пассивирующей пленки может использоваться SiO x N y , создаваемая на шаге
пассивации в плазменной смеси O 2 /N 2 .
Технический результат: Способ обеспечивает анизотропное
травление кремния при температуре, близкой по значению к комнатной.
Преимуществами данного способа является отсутствие необходимости
глубокого охлаждения и термостабилизации пластины в технологической
камере при криогенных температурах, отсутствие загрязнений
микроструктуры фтор-полимерными пленками, что позволяет исключить
технологические операции очистки сформированных кремниевых
микроструктур от загрязнений полимерами. Отсутствие кислорода в плазме,
или его сниженная концентрация, существенно улучшают плазмостойкость
фоторезистивных масок травления, или любых маскирующих покрытий с
органическими компонентами, за счет чего повышается селективность
травления по отношению к маске и снижается уход критического размера.
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем, приборов силовой электроники и устройств микромеханики (МЭМС) на основе кремния.
Андрей
Мяконьких
Валерьевич
Старший научный сотрудник
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
B-1357-2016
57203712756
181327
0000-0002-9547-1619
РОССИЯ
Владимир
Лукичев
Федорович
Директор
РОССИЯ
47.13.11
Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Сергей
Аверкин
Николаевич
РОССИЯ
Андрей
Мяконьких
Валерьевич
РОССИЯ
Константин
Руденко
Васильевич
РОССИЯ
Виталий
Кузьменко
Олегович
РОССИЯ
Юрий
Семин
Федорович
РОССИЯ
Владимир
Лукичев
Федорович
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФТИАН им. К.А.Валиева РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А.Валиева Российской академии наук
1037739352155
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения