Способ изготовления мемристора с наноконцентраторами электрического поля
МЕМРИСТОР, РЕЗИСТИВНАЯ ПАМЯТЬ, НАНОЧАСТИЦА, СТАБИЛИЗИРОВАННЫЙ ДИОКСИД ЦИРКОНИЯ
Изобретение относится к технологии изготовления мемристоров с диэлектрической структурой, расположенной между его двумя электродами, обладающей резистивной памятью, работа которой которая стабилизирована в результате введения в указанную диэлектрическую структуру наноконцентраторов электрического поля, и может быть использовано при изготовлении мемристоров с указанной диэлектрической структурой, содержащей обеспечивающий филаментарный механизм переключения слой диоксида циркония. Технический результат от использования предлагаемого способа – повышение эффективности изготовления мемристора на основе диоксида циркония с введёнными в его активную диэлектрическую структуру наноконцентраторами электрического поля за счёт обеспечения оптимального сочетания повышенных технологичности изготовления указанного мемристора и стабилизации работы резистивной памяти мемристора.
Производство нового поколения устройств энергонезависимой памяти и элементной базы нетрадиционных нейросетевых вычислительных систем
Спаньоло Б.
Зав. лабораторией
Иванченко М.В.
Проректор по научной работе
47.03.05
Теоретические основы полупроводниковых приборов, микроэлектроники
47.09.48
Наноматериалы для электроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Сергей
Зубков
Юрьевич
измерение, обработка и анализ данных по составу слоев, полученных методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
Александр
Шарапов
Николаевич
оптимизация конструктивного варианта мемристивной структуры с учетом результатов измерения электрофизических параметров
Алексей
Белов
Иванович
измерение электрофизических параметров мемристивных структур
Алексей
Михайлов
Николаевич
разработка и анализ результативности отдельных технологических решений в части функционального назначения слоев
Иван
Антонов
Николаевич
разработка и реализация технологических решений по осаждению тонких пленок в составе мемристивной структуры
Артем
Сушков
Александрович
получение экспериментальных данных по составу и структуре слоев методом просвечивающей электронной микроскопии
Дмитрий
Королев
Сергеевич
анализ и обработка электрофизических параметров мемристивных структур
Олег
Горшков
Николаевич
разработка конструктивного варианта мемристивной структуры
Давид
Тетельбаум
Исаакович
разработка конструктивного варианта мемристивной структуры
Дмитрий
Павлов
Алексеевич
анализ и обработка экспериментальных данных по составу слоев, полученных методом просвечивающей электронной микроскопии
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского».
1025203733510
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения