Способ электроформовки при изготовлении элемента памяти
энергонезависимая память элемены памяти электроформовка
Изобретение относится к технологии изготовления элементов энергонезависимой электрически перепрограммируемой памяти, информация в которых кодируется величиной сопротивления. Способ электроформовки при изготовлении элемента памяти, включающий помещение структуры проводник - диэлектрик - проводник с открытой в газовую фазу поверхностью диэлектрика, расположенной между проводящими электродами, в вакуум и выдержку ее под напряжением в две стадии: на первой - при напряжении, приводящем к появлению скачкообразно меняющегося тока со средним уровнем порядка микроампер, на второй - в диапазоне напряжений от 4 до 6 В до появления токов на уровне, установленном схемой ограничения тока. При этом согласно изобретению сначала структуру отжигают в безмасляном вакууме при температуре более 60°С, затем осуществляют выдержку под напряжением в течение времени порядка секунды, при этом первую стадию выдержки выполняют в безмасляном вакууме в диапазоне от 9 В до напряжения, не приводящего к электрическому пробою, а вторую стадию выдержки выполняют в вакууме, содержащем пары органических соединений. Вторую стадию выдержки выполняют, например, в масляном вакууме. Изобретение обеспечивает увеличение эффективности электроформовки за счет снижения вероятности пробоя структуры при резком увеличении тока, т.е. проводимости структуры из-за удаления органических молекул при отжиге.
Используется при изготовлении элементов памяти
Александр
Рудый
Степанович
Научный руководитель Ярославского филиала ФТИАН им. К.А. Валиева РАН
Доктор физико-математических наук
Профессор
D-6530-2014
7003472819
22166
https://www.yf-ftian.ru/
0000-0003-4430-1991
РОССИЯ
Владимир
Лукичев
Федорович
Директор
РОССИЯ
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.33
Диэлектрики
47.13.07
Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
47.13.11
Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Сергей
Кудрявцев
Евгеньевич
РОССИЯ
Виктор
Мордвинцев
Матвеевич
РОССИЯ
Егор
Горлачев
Сергеевич
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФТИАН им. К.А.Валиева РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А.Валиева Российской академии наук
1037739352155
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения