Интегральная схема полумостового силового каскада на основе эпитаксиальной гетероструктуры типа p-GaN/AlGaN/GaN
силовой GaN транзистор двумерный электронный газ наногетероструктура нитрид галлия
Интегральная схема полумостового силового каскада изготавливается по интегральной нитрид-галлиевой технологии с минимальным требуемым разрешением 0,1 мкм. Полумостовая схема реализуется с помощью двух силовых транзисторных ключей путём объединения истока одного ключа со стоком второго. Уровни металлизации соединены переходными микроотверстиями, заполненными металлами Ti, Al, TiN, Au или их сочетаниями, что облегчает планаризацию слоёв при производстве. Для надежного запирания силовых ключей их затворы окружают области истоков на поверхности гетероструктуры. В каждом из двух силовых транзисторных ключей совокупная ширина канала 465,5 мм реализуется на площади не более 4,4 × 4,4 мм за счёт эффективного расположения транзисторных ячеек. С целью противодействия эффекту «коллапса тока» в силовых ключах и увеличения напряжения пробоя полумостового силового каскада, конструкция снабжена системой экранирующих электродов соединённых с истоком в каждом из транзисторных ключей.
Основным назначением интегральной схемы полумостового силового каскада, является применение в составе приборов преобразования энергии с выходным током порядка десятков ампер. Интегральная схема полумостового силового каскада может применяться во вторичных источниках питания электронной аппаратуры, в зарядных устройствах аккумуляторов, в преобразователях частоты для питания электродвигателей, в том числе на электротранспорте, а также в преобразователях напряжения возобновляемых источников электроэнергии.
47.13.07
Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
Владимир
Неволин
Кириллович
"Доктор технических наук"
"Профессор"
"A-8412-2014"
"7005442043"
"https://miet.ru/people/"
"0000-0003-4348-0377"
РОССИЯ
Андрей
Лашков
Витальевич
"Кандидат технических наук"
"Отсутствует"
"O-5239-2017"
"56825741400"
"635556"
"0000-0001-6794-8523"
РОССИЯ
Константин
Царик
Анатольевич
"Кандидат технических наук"
"Отсутствует"
"А-8191-2014"
"36683587500"
"163542"
"0000-0002-8218-7774"
РОССИЯ
Екатерина
Козловская
Андреевна
"Отсутствует"
"Отсутствует"
"-"
"-"
"-"
"0000–0003-0235-3101"
РОССИЯ
Владимир
Петухов
Александрович
"Отсутствует"
"Отсутствует"
"B-1209-2014"
"56521079100"
"725684"
"0000-0002-5648-0192"
РОССИЯ
Диана
Курбанбаева
Мамаевна
"Отсутствует"
"Отсутствует"
"-"
"-"
"-"
"-"
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИЭТ"; НИУ МИЭТ;МИЭТ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
1027739615584
ВЛАДИМИР
БЕСПАЛОВ
АЛЕКСАНДРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения