Гетероэпитаксиальная структура с алмазным теплоотводом для полупроводниковых приборов и способ ее изготовления
Алмаз Алмазный теплоотвод Гетероструктура Поликристаллический алмаз GaN
Гетероэпитаксиальная структура с алмазным теплоотводом для полупроводниковых приборов и способ ее изготовления относятся к области полупроводниковой техники и могут быть использованы при изготовлении сверхвысокочастотных приборов и приборов силовой электроники в качестве активных структур.
Способ получения гетероэпитаксиальной структуры с алмазным теплоотводом для изготовления полупроводниковых приборов основан на выращивании на базовой многослойной подложке поликристаллического алмаза и эпитаксиальной структуры полупроводникового прибора на основе широкозонных III-нитридов, в котором после выращивания поликристаллического алмаза часть слоев базовой подложки удаляют до базового слоя.
Изобретение относится к области полупроводниковой техники и может быть использовано в качестве активных структур при изготовлении сверхвысокочастотных приборов и приборов силовой электроники таких как, например, гетеропереходные полевые транзисторы (НЕМТ), биполярные транзисторы (BJT), гетеробиполярные транзисторы (НВТ), p-i-n диоды, диоды с барьером Шотки, выпрямители и многие другие.
Вадим
Седов
Станиславович
старший научный сотрудник
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
S-2320-2016
54387527700
0000-0001-9802-1106
РОССИЯ
Андрей
Синогейкин
Гелиевич
Генеральный директор
РОССИЯ
47.45.99
Прочие элементы СВЧ-техники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Александр
Алтахов
Сергеевич
Синтез пластин поликристаллического алмаза. Определение оптимальных режимов роста для достижения необходимых параметров.
РОССИЯ
Вадим
Седов
Станиславович
Синтез поликристаллического алмаза
РОССИЯ
Александр
Андреев
Александрович
Изготовление образцов гетероэпитаксиальных структур, измерения электрических и тепловых 
свойств
РОССИЯ
Игорь
Черных
Анатольевич
Изготовление образцов гетероэпитаксиальных структур, измерения электрических и тепловых свойств
РОССИЯ
Иван
Майборода
Олегович
Эпитаксиальный рост слоев нитридных полупроводников.
РОССИЯ
Максим
Занавескин
Леонидович
Изготовление образцов гетероэпитаксиальных структур, измерения электрических и тепловых свойств
РОССИЯ
ФОНД СОДЕЙСТВИЯ ИННОВАЦИЯМ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ООО "ВАНДЕР ТЕХНОЛОДЖИС"
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ВАНДЕР ТЕХНОЛОДЖИС"
1127746711355
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Общества с ограниченной ответственностью