Способ формирования зародышевого слоя для транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе нитридных гетероструктур
НИТРИДНЫЕ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ, ЗАРОДЫШЕВЫЙ СЛОЙ, ТРАНЗИСТОР
Способ формирования зародышевого слоя для транзисторов с высокой подвижностью электронов на основе нитридных гетероструктур
Создание нитридных гетероструктур
Демин В.А.
Директор-координатор по направлению природоподобные технологии
Кандидат физико-математических наук
Форш П.А.
Главный ученый секретарь Центра
29.19.31
Полупроводники
47.09.29
Полупроводниковые материалы
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Максим
Занавескин
Леонидович
30%
Мария
Черных
Яхяевна
35%
Иван
Езубченко
Сергеевич
35%
Правительство России
Правительство Российской Федерации
Организация
-
-
НИЦ "Курчатовский институт"
федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
1027739576006
Организация
Правительство Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения