Способ изготовления полупроводникового прибора
полупроводники, полевой транзистор, КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления затвора полевого транзистора с пониженными токами утечек. Изобретение обеспечивает снижение значений токов утечек, улучшение параметров структур, повышение технологичности, качества и увеличение процента выхода годных.
Способ изготовления полупроводникового прибора, включающий подложку, процессы формирования областей истока, стока, затвора и оксида кремния, отличающийся тем, что поверх слоя оксида кремния формируют окись алюминия из паровой фазы толщиной 50-80 нм при температуре 850°С со скоростью осаждения 12 нм/мин с последующей термообработкой при температуре 500°С в течение 5 часов в атмосфере водорода.
Хасанов А.И.
Зав. кафедрой
Кандидат физико-математических наук
Саидов З. А.
Ректор
29.19.31
Полупроводники
01.00.00
Natural Sciences
Гасан
Мустафаев
Абакарович
Соавтор
АСЛАМБЕК
ХАСАНОВ
ИДРИСОВИЧ
АВТОР
Арсалан
Мустафаев
Гасанович
Соавтор
Руслан
Кутуев
Азаевич
соавтор
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет"
1032001202903
Организация
Министерство регионального развития Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения