Способ получения p-i-n структуры на основе соединений GaAs-GaAlAs методом жидкофазной эпитаксии.
Жидкофазная эпитаксия,  арсенид галлия, силовая электроника
Изобретение относится к способам изготовления полупроводниковых р-i-n структур из соединений А3B5 методами эпитаксии. Способ включает составление исходной шихты,  загрузку галлия, компонентов шихты и подложек GaAs в графитовое ростовое устройство, а затем в реактор. Нагрев содержимого реактора в обезвоженной атмосфере. Осуществление контакта подложки с полученным раствором-расплавом. Последующее принудительное охлаждение для выращивания эпитаксиального слоя GaAs, имеющего p-i-n структуру. Удаление подложки, покрытой слоем GaAs, имеющего p-i-n структур,  из-под расплава. В шихту добавляют,  по меньшей мере, оксид галлия Ga2O3 и монокристаллический кремний Si. Техническим результатом, на достижение которого направлено предлагаемое изобретение, является разработка способа получения p-i-n структуры арсенида галлия, позволяющего выращивать указанные структуры методом ЖФЭ с высокой воспроизводимостью основных электрофизических параметров и с высоким  выходом годного.
Одним из перспективных направлений развития элементно-компонентной базы силовой электроники  являются высоковольтные быстродействующие переключающие диоды на основе p-i-n-структур GaAs-GaAlAs, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ). Основными достоинствами p-i-n-диодов на основе системы GaAs-GaAlAs являются: высокая скорость переключения; рабочая температура до 250оС; высокая радиационная стойкость; минимальная емкость; низкий  заряд обратного восстановления; высокие частоты коммутации; повышенная динамическая устойчивость; слабая зависимость заряда восстановления, времени обратного восстановления и обратного тока восстановления от температуры.
Крюков Е. В.
Директор
Доктор наук
Крюков Е. В.
Директор
47.09.29
Полупроводниковые материалы
02.11.IK
ENGINEERING, MANUFACTURING
Даниил
Романов
Алексеевич
Исполнитель
Никита
Шумакин
Игоревич
соисполнитель
Леонид
Меерович
Александрович
соисполнитель
Евгений
Крюков
Витальевич
Руководитель проекта
Виталий
Крюков
Львович
Исполнитель
ФОНД СОДЕЙСТВИЯ ИННОВАЦИЯМ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ООО "ЭПИКОМ"
Общество с ограниченной ответственностью "ЭПИКОМ"
1164027053211
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Общества с ограниченной ответственностью