Способ изготовления чувствительных элементов МЭМС-датчиков
КНИ-структура чувствительный элемент МЭМС-датчик травление кремния
Данное изобретение относится к способам изготовления чувствительных элементов МЭМС-датчиков, в частности, к способам изготовления, сочетающих объемное травление КНИ-структуры с микромеханической обработкой. 
Задача изобретения – разработать способ изготовления чувствительных элементов МЭМС-датчиков на КНИ-структуре, включающий нанесение защитных покрытий на лицевую сторону пластины, фотолитографию по защитному слою с лицевой стороны, глубокое высокопрецизионное травление кремния с лицевой стороны до изолирующего слоя диэлектрика с заданным профилем и шероховатостью, удаление остатков маскирующего покрытия с лицевой стороны, отличающийся тем что перед травлением изолирующего слоя диэлектрика, производится операция скрайбирования до изолирующего слоя диэлектрика с обратной стороны КНИ-структуры, что позволяет отказаться от выполнения ряда технологических операций: нанесения маскирующего покрытия, нанесение и сушку фоторезиста, совмещение и экспонирование, проявление фоторезиста, травление маскирующего покрытия, глубокое высокопрецизионное травление пластины носителя с обратной стороны КНИ-структуры до изолирующего слоя диэлектрика, удаление фоторезиста, удаление остатков маскирующего покрытия, заменив эти операции скрайбированием пластины носителя с обратной стороны КНИ-структуры до изолирующего слоя диэлектрика, сократив тем самым технологический маршрут изготовления чувствительных элементов МЭМС-датчиков.
Суть изобретения выражена в предложенном способе, который позволяет сократить и упростить технологический процесс изготовление чувствительных элементов МЭМС-датчиков на КНИ-структуре, за счет уменьшения количества технологических операций: нанесения маскирующего покрытия, нанесение и сушку фоторезиста, совмещение и экспонирование, проявление фоторезиста, травление маскирующего покрытия, глубокое высокопрецизионное травление пластины носителя с обратной стороны КНИ-структуры до изолирующего слоя диэлектрика, удаление фоторезиста, удаление остатков маскирующего покрытия, заменив эти операции скрайбированием пластины носителя с обратной стороны КНИ-структуры до изолирующего слоя диэлектрика, сократив тем самым технологический маршрут изготовления чувствительных элементов МЭМС-датчиков.
Для преодоления технологических барьеров в области разработки цифровых сенсорных платформ.
Сергей
Тимошенков
Петрович
Директор Института НМСТ
Доктор технических наук
Профессор
U-7471-2017
6701370245
1947-0541
0000-0001-5411-1804
РОССИЯ
Сергей
Гаврилов
Александрович
Проректор
РОССИЯ
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
47.13.11
Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Сергей
Тимошенков
Петрович
разработка технологического процесса изготовления чувствительных элементов МЭМС-датчиков на КНИ-структуре
РОССИЯ
Николай
Зарянкин
Михайлович
разработка технологического процесса изготовления чувствительных элементов МЭМС-датчиков на КНИ-структуре
РОССИЯ
Анатолий
Виноградов
Иванович
отработка этапов технологического процесса изготовления чувствительных элементов МЭМС-датчиков на КНИ-структуре
РОССИЯ
Елена
Кочурина
Сергеевна
разработка конструкций чувствительных элементов МЭМС-датчиков на КНИ-структуре
РОССИЯ
Илья
Дернов
Сергеевич
отработка этапов технологического процесса изготовления чувствительных элементов МЭМС-датчиков на КНИ-структуре
РОССИЯ
Виктор
Калугин
Владимирович
разработка технологического процесса изготовления чувствительных элементов МЭМС-датчиков на КНИ-структуре
РОССИЯ
Степан
Анчутин
Александрович
разработка конструкций чувствительных элементов МЭМС-датчиков на КНИ-структуре
РОССИЯ
Алексей
Тимошенков
Сергеевич
разработка конструкций чувствительных элементов МЭМС-датчиков на КНИ-структуре
РОССИЯ
ФОНД НТИ
ФОНД ПОДДЕРЖКИ ПРОЕКТОВ НАЦИОНАЛЬНОЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЙ ИНИЦИАТИВЫ
1167700062529
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
МИЭТ;  Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; НИУ МИЭТ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
1027739615584
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения