Способ создания устойчивых к окислению сверхтонких графеновых структур со спин-поляризованными носителями заряда
Спинтроника кремний графен спиновая поляризация носителей заряда европий
В изобретении приводится описание способа создания сверхтонких структур графена с атомами европия на поверхности кремния Si(001) посредством метода молекулярно-лучевой эпитаксии. Отличительной особенностью данных структур является устойчивость к деградации (окислению), что упрощает использование таковых в технологических процессах. Интеграция с магнитными атомами приводит к спиновой поляризации носителей заряда в графене, что позволяет использовать полученные структуры при создании ультракомпактных устройств спиновой электроники.
Микро- и наноэлектроника, спинтроника
Тимофей
Григорьев
Евгеньевич
Начальник лаборатории новых элементов наноэлектроники НБИКС-ПТ
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
-
-
-
-
РОССИЯ
Кирилл
Борисов
Евгеньевич
Главный ученый секретарь Центра
РОССИЯ
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.19.31
Полупроводники
29.19.39
Ферромагнетики
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Дмитрий
Аверьянов
Валерьевич
РОССИЯ
Иван
Соколов
Сергеевич
РОССИЯ
Андрей
Токмачев
Михайлович
РОССИЯ
Олег
Парфенов
Евгеньевич
РОССИЯ
Вячеслав
Сторчак
Григорьевич
РОССИЯ
Правительство России
Правительство Российской Федерации
Организация
-
-
НИЦ "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
1027739576006
МАРАТ
КАМБОЛОВ
АРКАДЬЕВИЧ
Организация
Правительство Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения