Программа оценки физических частотных пределов работы Me/n-n+-GaAs диода Шоттки с тонкой базой
кусочно-непрерывные потенциальные барьеры эффективная масса метод матрицы переноса параметры прохождения временные характеристики барьер Шоттки система уравнений Шрёдингера Пуассона непрерывности статические ВАХ
Программа предназначена для проведения квантовомеханического расчёта параметров баллистического переноса электронов через БШ с целью оценки физических ограничений на частотный предел работы КМП. Входными данными являются набор граничных условий с учетом внешнего электрического поля, а также значения фундаментальных параметров материалов. Результатом выполнения программы являются массивы табличных значений волновых функций, вольт-амперных и временных характеристик. Может быть применена в изыскательских и научно-исследовательских целях.
Программа может использоваться в научно-исследовательских и промышленных организациях для решения задач в области баллистического транспорта электрических зарядов в твердотельных системах, туннельных эффектов, быстропротекающих процессов, а также для проектирования современных твердотельных СВЧ-, КВЧ- и ТГц-приборов основанных на баллистическом переносе электрически заряженных частиц в том числе и таких, конструкции которых содержат контакты металл-полупроводник с барьером Шоттки. Использование Программы позволяет существенно повысить точность проектирования, что обеспечивает с меньшими затратами достижение требуемых тактико-технических характеристик разрабатываемых твердотельных приборов и устройств на их основе.
Валерий
Вертегел
Викторович
директор Инжинирингового центра изделий микро- и наноэлектроники
Кандидат технических наук
Доцент
U-9447-2019
8228028900
550003
https://www.sevsu.ru/uni/personalii/28274/
0000-0002-1625-7420
РОССИЯ
Максим
Евстигнеев
Павлович
проректор по научной деятельности
РОССИЯ
47.33.37
Приборы функциональной микроэлектроники
47.33.29
Дискретные полупроводниковые приборы
47.33.31
Интегральные микросхемы
47.33.33
Оптоэлектронные приборы
47.14.09
Проектирование и конструирование приборов и устройств квантовой электроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Николай
Торхов
Анатольевич
РОССИЯ
ФГАОУ ВО "СЕВАСТОПОЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "СЕВАСТОПОЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
1149204039181
ВЛАДИМИР
НЕЧАЕВ
ДМИТРИЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения
ФГАОУ ВО "СЕВАСТОПОЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "СЕВАСТОПОЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
1149204039181
ВЛАДИМИР
НЕЧАЕВ
ДМИТРИЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения