Интегральный монолитный СВЧ диод Шоттки с вискером и анодным воздушным выводом для использования в планарных технологиях «Меза-Меза»
планарный диод Шоттки вискер воздушный вывод меза-меза компактная модель спайс-модель
Интегральная микросхема предназначена для создания дискретных сверхвысокочастотных (СВЧ), крайне высокочастотных (КВЧ) и терагерцовых (ТГц) диодов, МИС модуляторов, смесителей, умножителей, переключателей, аттенюаторов, фазовращателей, детекторов и других МИС на ее основе. Общее количество топологических слоев 6. Технология изготовления: n-GaAs(InP) на GaAs подложке n+-типа проводимости с пассивацией диэлектрической пленкой SiO2 или SiNx , расположенными в одной плоскости и разделенных мезаизоляцией анодом - контакт Шоттки, анодной и катодной контактными площадками, выводом анодного контакта в виде воздушного моста с вискером; минимальный размер контакта Шоттки, размеры воздушного моста и вискера определяются техническими требованиями. Размеры полупроводникового кристалла без разделительной дорожки 197 x 66 мкм. Габаритные размеры 327 x 66 мкм. Размеры внешних выводов 65 x40 мкм. Основные характеристики кристалла: емкость Cd=0,11 pF, ёмкость перехода Cj=0,0006 pF, последовательное сопротивление Rs=3,5 Ом, показатель идеальности n=1,2; предельная частота fL=75000 ГГц, рабочая частота fpa6=3000 ГГц, модель из 22 эквивалентных элементов. Диапазон рабочих температур от минус 60 до 125°С. Устойчивость к механическим перегрузкам >10000g.
Проектирование и изготовление диодных МИС, устройства детектирования и преобразования сигнала в СВЧ, КВЧ и ТГц частотных диапазонах
Николай
Торхов
Анатольевич
ведущий научный сотрудник
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
U-1025-2017
6603582974
2420-9517
0000-0001-8902-6319
РОССИЯ
Максим
Евстигнеев
Павлович
проректор по научной деятельности
РОССИЯ
47.41.99
Прочие радиоэлектронные схемы
47.41.35
Модуляторы, демодуляторы и преобразователи частоты
47.14.17
Проектирование и конструирование радиоэлектронной аппаратуры
47.14.13
Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Николай
Торхов
Анатольевич
Автор идеи, разработка конструкции, эквивалентной схемы, написание РИД
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФГАОУ ВО "СЕВАСТОПОЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "СЕВАСТОПОЛЬСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
1149204039181
ВЛАДИМИР
НЕЧАЕВ
ДМИТРИЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения