Полевой n-канальный транзистор для корпуса SOT-23-3
корпус SOT n-канальный транзистор полевой транзистор
Интегральная микросхема полевого n-канального транзистора с рассеиваемой мощностью не более 1.5 Вт предназначена для применения в составе источников питания, модулей телекоммуникационного оборудования и средств связи общего назначения. Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии на   подложке n+типа с эпитаксиальным слоем   n-типа.
Для увеличения ширины площади поверхности канала микросхема сформирована из массива параллельно соединенных гексагональных  простейших полевых транзисторов (HEXFET структура), что  позволяет коммутировать  большие токи.
Для повышения надежности и уменьшения токов утечки по периметру сформировано  n+стоп-кольцо.
Электроника. Радиотехника.
Андрей
Демидов
Александрович
гнс
Доктор физико-математических наук
Доцент
B-8234-2012
7004500139
140403
0000-0002-8639-3575
РОССИЯ
Олег
Федонин
Николаевич
Ректор
РОССИЯ
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Николай
Брюхно
Александрович
0,25
РОССИЯ
Иван
Куфтов
Владимирович
0,25
РОССИЯ
Александр
Чайкин
Александрович
0,25
РОССИЯ
Андрей
Демидов
Александрович
0,25
РОССИЯ
ЗАО "Группа Кремний Эл"
Закрытое акционерное общество "Группа Кремний Эл"
1023202741781
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Непубличные акционерные общества
ФГБОУ ВО "БГТУ"
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Брянский государственный технический университет"
1023201058627
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения