Резистивный испарительный блок для эпитаксиального выращивания в вакууме слоёв кремния, легированных эрбием
кремний, сублимация, легирование, эрбий, молекулярно-лучевая эпитаксия
Полезная модель относится к технологическому оборудованию вакуумных установок для эпитаксии слоёв кремния, легированного эрбием, с помощью атомарных пучков, формируемых в результате одновременной автономной сублимации в одной вакуумной камере кремния и эрбия, соответственно, с поверхности кремниевой пластины и поверхности эрбиевой фольги, расположенных рядом друг с другом и разогретых электрическим током, и может быть использована в резистивных испарительных блоках.
изготовление полупроводниковых структур
Шенгуров В.Г.
ведущий научный сотрудник
Иванченко М.В.
Проректор по научной работе
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
Владимир
Шенгуров
Геннадьевич
общее руководство, анализ и исследование структур
Сергей
Денисов
Александрович
выращивание структур и их исследование
Вадим
Чалков
Юрьевич
выращивание структур и их исследование
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского».
1025203733510
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения