СПОСОБ СОЗДАНИЯ ЗАТВОРНОГО УЗЛА ДЛЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ НИТРИДА ГАЛЛИЯ СО СВЕРХТОНКИМ БАРЬЕРНЫМ СЛОЕМ
ЗАТВОРНЫЙ УЗЕЛ ГЕТЕРОСТРУКТУРА БАРЬЕРНЫЙ СЛОЙ НИТРИД ГАЛЛИЯ СВЧ ТРАНЗИСТОР
В ноу-хау предложен способ формирования затворного узла для гетероструктур на основе нитрида галлия со сверхтонким барьерным слоем
Разработка технологии изготовления СВЧ транзисторов, а также монолитных интегральных схем на их основе
Вячеслав
Демин
Александрович
Первый заместитель руководителя Комплекса по научной работе
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
-
-
-
-
РОССИЯ
Кирилл
Борисов
Евгеньевич
Главный ученый секретарь Центра
РОССИЯ
29.19.31
Полупроводники
29.35.47
Твердотельные приборы СВЧ-диапазона
47.09.29
Полупроводниковые материалы
47.13.10
Технология и оборудование для производства изделий электронной техники СВЧ-диапазона
47.33.29
Дискретные полупроводниковые приборы
01.03.UB
PHYSICS, APPLIED
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Игорь
Черных
Анатольевич
РОССИЯ
Дмитрий
Мамичев
Александрович
РОССИЯ
Павел
Перминов
Анатолевич
РОССИЯ
Правительство России
Правительство Российской Федерации
Организация
-
-
НИЦ "Курчатовский институт"
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ЦЕНТР "КУРЧАТОВСКИЙ ИНСТИТУТ"
1027739576006
МАРАТ
КАМБОЛОВ
АРКАДЬЕВИЧ
Организация
Правительство Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения