Топология массивов мемристивных устройств, интегрированных в тестовые структуры и функциональные блоки микросхемы энергонезависимой резистивной памяти
топология, мемристор, RRAm, энергонезависимая резистивная память
Топология предназначена для контроля параметров технологии изготовления функциональных блоков микросхемы энергонезависимой резистивной памяти КМОП КНИ с топологическими размерами 0,35 мкм и четырьмя уровнями металлизации для межсоединений на основе интеграции в слои металлизации мемристивных устройств (МУ) со структурой «металл-оксид-металл», демонстрирующих адаптивное изменение сопротивления под действием электрического поля или тока. Дополнительно топология может быть использована для исследования применения МУ в системах нейроморфных вычислений. Топология дает трехмерное расположение активных элементов приборного слоя, тестовых структур для контроля технологических параметров используемых слоев и контактов; контура отдельных МУ; массива МУ, объединенных в 16-битное слово; массивов МУ кросс-бар 8×8 для ячеек памяти 1M с неуправляемыми шинами и 1D1M с управляющими диодами; массива МУ кросс-бар для ячеек памяти высокой плотности 1Т1М с управляющими транзисторами в составе банка памяти.
Топология предназначена для контроля параметров технологии изготовления функциональных блоков микросхемы энергонезависимой резистивной памяти КМОП КНИ с топологическими размерами 0,35 мкм и четырьмя уровнями металлизации для межсоединений на основе интеграции в слои металлизации мемристивных устройств (МУ) со структурой «металл-оксид-металл», демонстрирующих адаптивное изменение сопротивления под действием электрического поля или тока. Дополнительно топология может быть использована для исследования применения МУ в системах нейроморфных вычислений.
Спаньоло Б.
Зав. лабораторией
Иванченко М.В.
Проректор по научной работе
47.03.05
Теоретические основы полупроводниковых приборов, микроэлектроники
47.09.48
Наноматериалы для электроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Александр
Шарапов
Николаевич
оптимизация конструктивных вариантов тестовых структур с учетом результатов измерения их электрофизических параметров
Юрий
Макарычев
Константинович
оптимизация конструктивных вариантов тестовых структур и топологических решений с учетом требований, предъявляемых к конструкторской документации
Евгений
Грязнов
Геннадьевич
разработка топологических решений в части оптимизации технологии осаждения тонкопленочной структуры
Алексей
Михайлов
Николаевич
разработка и оптимизация отдельных топологических решений в части функционального назначения тестовых структур
Дмитрий
Королев
Сергеевич
разработка и оптимизация топологических решений в части пространственно-геометрического расположения совокупности элементов и связей между ними
Иван
Антонов
Николаевич
разработка топологических решений в части оптимизации технологии осаждения тонкопленочной структуры
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ННГУ им. Н.И. Лобачевского
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования «Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского».
1025203733510
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения