Маска для ионного легирования в пластины карбида кремния алюминием
карбидокремниевая технология, металлополимерный корпус, биполярный транзистор, полевой транзистор, диод Шоттки
Полезная модель относится к области электронной техники, а более конкретно - к конструкции масок для планарной технологии изготовления полупроводниковых приборов на основе карбида кремния с использованием процессов ионного легирования алюминия.Техническим результатом данной полезной модели является исключения влияния маски на свойства легированного алюминием карбида кремния.Технический результат достигается тем, что в отличие от известной маски, предлагаемая маска для ионного легирования в пластины карбида кремния алюминием, состоящая из маскирующего слоя неорганического материала на поверхности карбида кремния и сформированных в этом слое участков для легирования алюминием, маскирующий слой выполнен из слоя алюминия на слое двуокиси кремния толщиной 0,03-0,08 мкм, примыкающего к карбиду кремния.
Микроэлектроника. Техническим результатом данной полезной модели является исключения влияния маски на свойства легированного алюминием карбида кремния.
Демидов А.А.
гнс
Доктор физико-математических наук
Федонин О. Н.
Ректор
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Николай
Брюхно
Александрович
0,5
Сергей
Рыбалка
Борисович
0,5
ЗАО "Группа Кремний Эл"
Закрытое акционерное общество "Группа Кремний Эл"
1023202741781
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Непубличные акционерные общества
ФГБОУ ВО "БГТУ"
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Брянский государственный технический университет"
1023201058627
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения