Технологический процесс формирования транзисторных гетероструктур (Ga, Al)N методом металлорганической газофазной эпитаксии (МОГФЭ) на виртуальных подложках (темплейтах) кубического карбида кремния на кремнии (3C-SiC/Si)
нитрид галлия нитрид алюминия карбид кремния кубический карбид кремния GaN AlN AlGaN 3C-SiC
В процессе реализации НИОКР выполнены следующие работы:
- разработка и оптимизация технологического процесса формирования начального слоя состава (Al, Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии;
- изготовление экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур с начальным слоем состава (Al, Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии;
- проведение испытаний экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур с начальным слоем состава (Al, Ga)N;
- разработка и оптимизация технологического процесса формирования эпитаксиального слоя GaN с использованием композиции буферных слоев состава (Al, Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии;
- изготовление экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур GaN с использованием композиции буферных слоев состава (Al, Ga)N на подложке кубического карбида кремния на кремнии;
- проведение испытаний экспериментальных образцов гетероэпитаксиальных структур с композицией буферных слоев состава (Al, Ga)N;
- проведена заключительная оптимизация базовой технологии формирования гетероэпитаксиальных структур GaN на подложке кубического карбида кремния на кремнии;
- проведена разработка комплектов конструкторской и технологической документации с присвоением литеры "О";
- изготовление партии опытных образцов гетероэпитаксиальных структур GaN на подложке кубического карбида кремния на кремнии;
- проведение испытаний образцов опытной партии гетероэпитаксиальных структур.
Секрет производства относится к полупроводниковой технике, более конкретно, к области формирования гетероэпитаксиальных слоев III-N соединений, таких как AlN, GaN, AlGaN и др., на монокристаллических подложках кремния с покрытием (слоем) монокристаллического карбида кремния кубического политипа (3C).
Сергей
Федотов
Дмитриевич
Научный руководитель проекта
Кандидат технических наук
Отсутствует
AAT-2654-2020
-
6960-4277
https://www.researchgate.net/profile/Sergey-Fedotov-2
РОССИЯ
Андрей
Бабаев
Вадимович
Генеральный директор
РОССИЯ
47.09.29
Полупроводниковые материалы
02.04.II
ENGINEERING, CHEMICAL
Андрей
Бабаев
Вадимович
РОССИЯ
Сергей
Федотов
Дмитриевич
РОССИЯ
ФОНД СОДЕЙСТВИЯ ИННОВАЦИЯМ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ООО "ОНСИ"
ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ОНСИ"
1187746907688
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Общества с ограниченной ответственностью