Способ выращивания легированных бором полупроводниковых пленок алмаза
алмаз сублимация подложка электрическое поле
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения легированных бором пленок алмаза на подложках из кремния. Техническим результатом заявляемого способа является получение легированных бором полупроводниковых пленок алмаза на поверхности кремния. При нагреве мелкодисперсного алмазного порошка, смешанного с жидким изопропилборатом, в среде вакуума и в присутствии внешнего электрического поля на поверхности подложки кремния возникает пленка алмаза с приемлемым для использования в технологии микроэлектроники удельным электросопротивлением
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения легированных бором пленок алмаза на подложках из кремния.
Николай
Колесников
Николаевич
зам. директора
Доктор технических наук
Доцент
T-1911-2017
7005685582
РОССИЯ
Александр
Левченко
Алексеевич
директор
РОССИЯ
29.19.31
Полупроводники
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.15
Фазовые равновесия и фазовые переходы
29.19.11
Дефекты кристаллической структуры
29.19.04
Структура твердых тел
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
Сергей
Брантов
Константинович
исполнитель
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ИФТТ РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук
1025003915243
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения