Гетероструктурный полевой транзистор на основе полупроводникового соединения нитрида галлия
радиомодуль 5G
Полезная модель относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения дискретных приборов и монолитно-интегральных схем на основе полупроводникового соединения нитрида галлия, в частности, к созданию омических и барьерных контактов для гетероструктурных полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов. В транзисторе омический контакт выполнен на основе трехслойной металлизации Ta/Al/Pd. Слой Ta толщиной 5–100 нм расположен на поверхности полупроводниковой пластины, на его поверхности расположен слой Al толщиной 50–1000 нм, на поверхности которого расположен слой Pd толщиной 5-100 нм. Т-образный затвор выполнен на основе трехслойной композиции, в которой последовательно расположены барьерообразующий слой Ni толщиной 10–200 нм, расположенный  на поверхности полупроводниковой пластины, проводящий слой на основе Al толщиной 10–1000 нм, защитный слой на основе Pd толщиной 10 – 200 нм.
Относится к технологии микроэлектроники, а именно к технологии получения дискретных приборов и монолитно-интегральных схем на основе полупроводникового соединения арсенида галлия, в частности, к созданию омических и барьерных контактов для гетероструктурных полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов. Может использоваться в устройствах при проектировании сетей 5G.
Кузьминов П.А.
Заместитель коммерческого директора
Парамонова В. Ю.
генеральный директор
49.13.13
Проектирование и конструирование устройств связи
02.02.YE
TELECOMMUNICATIONS
Евгений
Ерофеев
Викторович
Разработка гетероструктурного полевого транзистора на основе полупроводникового соединения арсенида галлия
АО "НПФ "Микран"
Акционерное общество "Научно-производственная фирма "Микран"
1087017011113
Организация
Другие хозяйствующие субъекты
Акционерные общества