Способ изготовления межприборной изоляции мощных нитридгаллиевых транзисторов
нитрид галлия межприборная изоляция силовая электроника
Настоящее изобретение относится к технологии изготовления мощных интегральных схем. Задача настоящего изобретения – уменьшение токов утечки нитридгаллиевых HEMT транзисторов и интегральных схем на их основе до единиц наноампер при напряжениях до 600 В. Предлагаемый способ заключается в следующем: расположенный на подложке буферный слой GaN легируется углеродом; по границам транзистора формируются изолирующие области с помощью имплантации ионов азота; перед проведением операции ионной имплантации наносится пассивирующий слой нитрида кремния.
Изготовление нитрид-галлиевых силовых транзисторов, изготовление нитрид-галлиевых интегральных схем
Владимир
Беспалов
Александрович
Г. н. с.
Доктор технических наук
Профессор
P-6799-2015
57196985488
44925
-
РОССИЯ
Сергей
Гаврилов
Александрович
Проректор
РОССИЯ
47.13.11
Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Максим
Журавлёв
Николаевич
Подбор дозы и энергии имплантируемых ионов азота
РОССИЯ
Валерий
Земляков
Евгеньевич
Разработка технологического маршрута изготовления межприборной изоляции в соответствии с имеющимися технологическими возможностями
РОССИЯ
Лариса
Якимова
Валентиновна
Изготовление опытных образцов
РОССИЯ
Владимир
Беспалов
Александрович
Разработка технологического подхода для понижения токов утечки и увеличения пробивных напряжений мощных нитридгаллиевых транзисторов
РОССИЯ
Владимир
Егоркин
Ильич
Разработка общей концепции изобретения
РОССИЯ
Алексей
Зайцев
Александрович
Проведение измерения токов утечки и пробивных напряжений тестовых образцов
РОССИЯ
АО "ЗНТЦ"
Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр"
1107746582052
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Непубличные акционерные общества
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИЭТ"; НИУ МИЭТ;МИЭТ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
1027739615584
ВЛАДИМИР
БЕСПАЛОВ
АЛЕКСАНДРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения