Способ формирования мемристивных структур на основе
композитных оксидов с агломератами наночастиц
токопроводящий слой, электрод, отрицательные ионы кислорода энергетическая теория, мемристорные структуры, метаструктуры, лазерные импульсы, транспорт носителей заряда
Способ формирования мемристивных структур на основе композитных оксидов с агломератами наночастиц относится к способам формирования вертикального профиля и организации мемристивных элементов и режимов их работы для обеспечения наибольшей производительности, стабильности и повторяемости параметров обработки цифровых данных. 
Способ заключается в том, что формируется два электрода на основе одного или нескольких наноразмерных слоев оксидов металлов, их разделяют активной средой так, что между электродами по периферии области активной среды наносят изолирующий слой. Поверх изолирующего слоя формируют токопроводящий слой, при этом обеспечивают его связь с отрицательной шиной, что препятствует (утечке) отрицательных ионов кислорода через изолирующий слой, если вдруг в нем случится трещина или канал для утечки. Отличие от известных технических решений состоит в том, что между электродами по периферии области активной среды нанесен изолирующий слой, поверх которого сформирован токопроводящий слой, электрически связанный с отрицательной шиной, а поскольку носителями тока в активной среде являются отрицательные ионы кислорода, то подав на токопроводящий слой небольшой отрицательный потенциал создается внешнее электрическое поле, препятствующее прохождению (утечке) отрицательных ионов кислорода через изолирующий слой.
В результате получено оригинальное техническое решение, которое обеспечивает формирование мемристорных структур с высокой эффективностью воздействия на отрицательные ионы кислорода, которые являются переносчиками зарядов в данной структуре.
Для обеспечения наибольшей производительности, стабильности и повторяемости параметров обработки цифровых данных.
Вадим
Шахнов
Анатольевич
Заведующий кафедрой
Доктор технических наук
Профессор
J-3435-2012
6508288681
РОССИЯ
Юлия
Рыженко
Владимировна
Ведущий аналитик УНИД МГТУ
РОССИЯ
47.14.03
Проектирование и конструирование радиодеталей и компонентов
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Владимир
Жалнин
Петрович
16%
РОССИЯ
Андрей
Власов
Игоревич
16%
РОССИЯ
Константин
Муравьев
Александрович
16%
РОССИЯ
Олег
Косьянов
Вячеславич
16%
РОССИЯ
Вадим
Шахнов
Анатольевич
20%
РОССИЯ
Александр
Расюк
Александрович
16%
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
МГТУ им. Н.Э. Баумана
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего  образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (национальный исследовательский университет)"
1027739051779
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения