Высокотемпературный металлооксидный тензорезистор
Тензорезистор металлооксидный, высокотемпературный плазменно-электролитическая обработка
Изобретение относится к области измерительной техники, а именно к высокотемпературным тензорезисторам, используемым в качестве чувствительных элементов в конструкции датчиков, применяемых для измерения величин знакопеременных механических напряжений и деформаций в деталях машин и механизмов, работающих в условиях воздействия нормальных, повышенных и высоких температур.  В основу заявленного изобретения был положен технический результат – создание конструкции тензорезистора, исключающей необходимость размещения промежуточных элементов, искажающих картину деформаций, между тензочувствительным элементом и поверхностью объекта испытаний, и обеспечивающей формирование тензочувствительных элементов на сложных поверхностях и поднутрениях за счет синтеза на поверхности объекта испытаний, методом плазменно-электролитической обработки, тензорезистивного слоя металлооксидной керамики, не образующего физической поверхности и границы раздела между поверхностью испытуемого образца и сформированными тензочувствительной и диэлектрической пленками, синтезированными в едином поликристаллическом слое металлооксидной керамики включающей интерметаллиды. Высокотемпературный тензорезистор, содержит тензочувствительную и диэлектрическую пленки, сформированные непосредственно на деформируемой металлической поверхности испытуемого объекта, и на противоположных краях верхней плоскости которой имеются две электрические контактные площадки, тензочувствительная и диэлектрическая пленки синтезированы в едином поликристаллическом слое металлооксидной керамики, включающей интерметаллиды, выполненном без образования физической поверхности и границы раздела на основе из вентильных металлов и их сплавов, образующих деформируемую металлическую поверхность испытуемого объекта. Поверхность испытуемого объекта модифицируется в электролитной плазме методом плазменно-электролитической обработки до образования металлооксидного керамического слоя, пленки которого выполняют тензочувствительную и диэлектрическую функции. На поверхности тензочувствительной пленке установлены две электрические контактные площадки для присоединения к ним проводов. 1ил.
Использование в тензометрии при высоких температурах. Высокотемпературные металлооксидные тензорезисторы могут быть собраны в мост Уинстона или другие типы измерительных систем, в т.ч. с помехоустойчивостью и термокомпенсацией при прямых измерениях, будучи сформированными непосредственно на объекте измерения, или сформированными на элементах, устанавливаемых на (в) объекты измерения (если диэлектрики или не вентильные металлы).
Сергей
Григорьев
Николаевич
заведующий кафедрой
Доктор технических наук
Профессор
J-2463-2012
35104817900
39006
РОССИЯ
Владимир
Серебренный
Валерьевич
И.о.ректора
РОССИЯ
90.27.32
Теплофизические и температурные измерения
02.03.IU
ENGINEERING, MECHANICAL
Сергей
Жуков
Владимирович
выдвижение и обоснование идеи изобретения, проведение исследований и экспериментов
РОССИЯ
Борис
Крит
Львович
разработка и формулирование технического решения
РОССИЯ
Андрей
Эпельфельд
Валериевич
выполнение патентного поиска и написание материалов
РОССИЯ
Игорь
Суминов
Вячеславович
выбор аналогов и прототипа, сопоставление результатов
РОССИЯ
Валерий
Людин
Борисович
разработка и формулирование технического решения
РОССИЯ
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
ФГБОУ ВО «МГТУ «СТАНКИН»
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Московский государственный технологический университет «СТАНКИН»
1037700246451
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения