Способ изменения длины волны фотолюминесценции пористого кремния
Пористый кремний ионное облучение дефектообразование
Изобретение относится к области функциональных наноматериалов и их применения в качестве светоизлучающих структур. Обоснована возможность использования пористого кремния, облученного пучками ионов, для получения светоизлучающих структур длиной волны фотолюминесценции, зависящей от параметров облучения. Основными недостатками известных способов являются необходимость растворения и вымывания побочных химических реактивов, используемых для получения пористого кремния, невозможность изменения длины волны фотолюминесценции полученного материала, необходимость увеличения глубины анодирования, а также невозможность контролировать сдвиг спектра излучения в пределах диапазона. Для исключения указанных недостатков в способах получения светоизлучающих структур на основе пористого кремния в данном способе предложено использовать наиболее удобные методики получения первичного пористого кремния, вносящие минимальное количество примесей. Для модифицирования люминесцентных свойств пористого кремния в процессе ионного облучения используются не вносящие химически активных примесей инертные газы. Технический результат заключается в обеспечении возможности регулируемого изменения значения максимума длины волны фотолюминесценции пористого кремния при помощи ионного облучения в результате изменения значения параметра DPA – числа смещений на атом. Заявленный технический результат достигается в результате использования способа изменения длины волны фотолюминесценции пористого кремния посредством модифицирования поверхности пористого кремния ионными пучками, включающий облучение плоской поверхности пористого кремниевого образца, размещенного в вакууме, энергетичными потоками ионов с плотностью потока 0.01-0.5 мкА/см2 с обеспечением параметров смещения на атом (DPA) от 0 до 1. Предложен универсальный подход, позволяющий сопоставлять параметры облучения со сдвигом длины волны в пористом кремнии, который происходит в результате изменения размера кристаллитов в процессе облучения.
Изобретение может быть использовано для изменения длины волны фотолюминесценции пленок пористого кремния, в том числе, для получения светоизлучающих структур путем модифицирования поверхности пористого кремния ионным пучком.
Виктор
Садовничий
Антонович
ректор
Доктор физико-математических наук
Академик
K-6414-2012
7801673584
https://istina.msu.ru/profile/SVA/
РОССИЯ
Сергей
Карлов
Сергеевич
и.о. декана химического факультета
РОССИЯ
29.19.21
Влияние облучения на свойства твердых тел
01.03.UB
PHYSICS, APPLIED
Андрей
Шемухин
Александрович
РОССИЯ
Екатерина
Воробьева
Андреевна
РОССИЯ
Антон
Назаров
Викторович
РОССИЯ
Юрий
Балакшин
Викторович
РОССИЯ
Александр
Евсеев
Павлович
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ М.В.ЛОМОНОСОВА, МГУ ИМЕНИ М.В.ЛОМОНОСОВА, МОСКОВСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИЛИ МГУ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МОСКОВСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ М.В.ЛОМОНОСОВА"
1037700258694
ВИКТОР
САДОВНИЧИЙ
АНТОНОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения