Planar Break Down
напряжение пробоя полупроводниковый переход планарная структура
Программа предназначена для определения напряжения пробоя планарных сферических и/или цилиндрических полупроводниковых переходов в зависимости от типа полупроводника (кремний, карбид кремния), концентрации примеси в базе перехода, глубины диффузии эмиттера перехода или толщины окисла под полевым электродом эмиттера в зависимости от конфигурации охранной системы. Программа позволяет при помощи изменения переменных величин принимать решение по выбору оптимальной конструкции и топологии для получения требуемых значений напряжения пробоя планарных переходов.
Область применения: микроэлектроника, а именно, производство планарных кремниевых и карбидокремниевых полупроводниковых приборов, а также микросхем
Микроэлектроника.
Андрей
Демидов
Александрович
гнс
Доктор физико-математических наук
Доцент
B-8234-2012
7004500139
140403
0000-0002-8639-3575
РОССИЯ
Олег
Федонин
Николаевич
Ректор
РОССИЯ
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Николай
Брюхно
Александрович
0,25
РОССИЯ
Максим
Степанов
Витальевич
0,25
РОССИЯ
Виталий
Фесов
Витальевич
0,25
РОССИЯ
Александр
Дракин
Юрьевич
0,25
РОССИЯ
ЗАО "Группа Кремний Эл"
Закрытое акционерное общество "Группа Кремний Эл"
1023202741781
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Непубличные акционерные общества
ФГБОУ ВО "БГТУ"
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Брянский государственный технический университет"
1023201058627
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения