Способ изготовления Т-образного гальванического затвора в высокочастотном полевом транзисторе
Наноструктура, молекулярно-лучевая эпитаксия, ионная имплантация, CdHgTe, Si, Ge, Sn, квантовая яма (КЯ), квантовая точка (КТ), МДП-структура, фотоприёмное устройство, дисперсионные взаимодействия, поверхностные плазмоны, электрофизические параметры, метод
Заявленный способ включает в себя выделение активной области транзистора, создание омических контактов стока и истока, нанесение на поверхность контактного слоя полупроводника тонкого маскирующего покрытия, формирование литографическими методами в маскирующем покрытии субмикронной щели, нанесение тонкого проводящего слоя, формирование поверх него однослойной с отрицательным наклоном стенок или многослойной резистивной маски, удаление проводящего слоя в окнах резистивной маски, травление контактного слоя, формирование тонкопленочных металлических T-образных, или Г-образных затворов методами вакуумного напыления и взрывной литографии, удаление остатков тонких проводящих слоев и маскирующего покрытия, пассивацию поверхности слоем диэлектрика, гальваническое утолщение контактов стока и истока через вскрытые в пассивирующем слое диэлектрика окна. После удаления проводящего слоя в окнах резистивной маски проводят дополнительный процесс дубления резиста.
Изобретение относится к электронной технике и предназначено для создания дискретных приборов и сверхвысокочастотных интегральных схем с использованием мощных нитрид-галлиевых полевых транзисторов.
Войцеховский А.В.
Зав. лабораторией
Доктор физико-математических наук
Ворожцов А.Б.
Проректор по научной и инновационной деятельности
47.33.33
Оптоэлектронные приборы
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
47.09.48
Наноматериалы для электроники
02.10.00
Nano-technology
01.03.UI
PHYSICS, MULTIDISCIPLINARY
Павел
Брудный
Александрович
15 %
Николай
Торхов
Анатольевич
70 %
Валентин
Брудный
Натанович
15 %
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
Томский государственный университет, ТГУ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет"
1027000853978
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения