GaN микросхема блока усиления для силовых преобразовательных модулей
нитрид галлия, усилитель, силовая электроника
Микросхема предназначена для усиления электрической мощности в преобразовательных модулях силовой электроники. В микросхеме применяется сборка GaN транзисторов с пробивным напряжением 650 В. Для изготовления микросхемы используется GaN гетероструктура на кремниевой подложке. Технологический маршрут состоит из стандартных операций, применяемых для изготовления нитрид-галлиевых интегральных схем.
Усиление электрической мощности в схемах силовой электроники
Беспалов В. А.
Г. н. с.
Доктор технических наук
Гаврилов С. А.
Проректор
47.13.11
Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Николай
Гуминов
Владимирович
Разработка топологического чертежа кристалла, разработка конструктивного исполнения топологии кристалла
Максим
Журавлёв
Николаевич
Разработка и контроль правил проектирования топологии с учётом особенностей технологического маршрута
Владимир
Егоркин
Ильич
Разработка состава топологических слоёв с учётом технологического маршрута, разработка технологического маршрута изготовления микросхемы
АО "ЗНТЦ"
Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр"
1107746582052
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Непубличные акционерные общества
МИЭТ;  Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; НИУ МИЭТ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
1027739615584
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения