Полупроводниковый детектор с внутренним усилением
ДЕТЕКТОР С ВНУТРЕННИМ УСИЛЕНИЕМ, GAAS, МОС-ГИДРИДНАЯ ЭПИТАКСИЯ
Сущность полезной модели заключается в том, что в качестве детектора предлагается использовать биполярный транзистор с высокоомным коллектором в качестве рабочей области (в которой происходит генерация и разделение электронно-дырочных пар электрическим полем), с тем отличием, что в эмиттер транзистора между p и n областями вводится слой собственного полупроводника. По сути, эмиттер представляет собой p-i-n диод с тонким i-слоем. Введение данного слоя позволяет снизить емкость эмиттера и, тем самым, увеличить потенциал, открывающий эмиттер, который создается на базе зарядом дырок, пришедших из коллектора. Предлагаемое решение дает возможность получать высокий коэффициент усиления не уменьшая площадь эмиттера.
Полезная модель относится к полупроводниковым детекторам излучений. Область применения – эксперименты ядерной и ускорительной физики, в том числе регистрация нейтронного излучения при использовании совместно с конвертером
Диденко С.И.
Заведующий кафедрой
Кандидат физико-математических наук
Филонов М. Р.
Проректор по науке и инновациям
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
01.03.UB
PHYSICS, APPLIED
Алексей
Черных
Владимирович
разработка технологии изготовления детектора
Сергей
Черных
Владимирович
разработка конструкции детектора
Сергей
Диденко
Иванович
разработка топологии детектора
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
МИСиС, НИТУ "МИСиС"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
1027739439749
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения