Способ изготовления высокоточного транзистора с невплавными омическими контактами
нитрид галлия мощный высокочастотный транзистор омический контакт сверхтонкий AlN
Изобретение относится к мощным высокочастотным полевым транзисторам на основе нитрида галлия. Задачей настоящего изобретения является уменьшение контактного сопротивления омических контактов истока и стока.
	Предлагаемый способ заключается в следующем. На подложке с помощью эпитаксии выращивается буферный слой. На поверхности буферного слоя с помощью эпитаксии выращивается канальный слой. На поверхности канального слоя с помощью эпитаксии выращивается спейсерный слой AlN толщиной 1–2 нм. На поверхности спейсерного слоя эпитаксиально выращивается контактный слой высоколегированного твердого раствора AlxGa1-xN, где 0,15 ≤ x ≤ 0,4. После этого в области канала по маске проводится травление контактного слоя AlxGa1-xN до спейсерного слоя AlN. На открытой части спейсерного слоя в области канала проводится локальное эпитаксиальное эпитаксиальное наращивание барьерного слоя AlN. На оставшиеся части высоколегированного контактного слоя AlxGa1-xN напыляются омические контакты стока и истока. На барьерном слое AlN изготавливается металлический контакт затвора.
Настоящее изобретение относится к мощным высокочастотным полевым транзисторам на основе нитрида галлия, которые являются идеальной элементной базой для изготовления высокочастотных усилителей и переключателей мощности. Такие транзисторы найдут широкое применение в телекоммуникациях, военно-оборонной промышленности, 5G–технологиях и др.
Владимир
Беспалов
Александрович
Г. н. с.
Доктор технических наук
Профессор
P-6799-2015
57196985488
44925
РОССИЯ
Сергей
Гаврилов
Александрович
Проректор
РОССИЯ
47.13.10
Технология и оборудование для производства изделий электронной техники СВЧ-диапазона
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
47.33.29
Дискретные полупроводниковые приборы
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Алексей
Зайцев
Александрович
РОССИЯ
Владимир
Егоркин
Ильич
РОССИЯ
Максим
Журавлёв
Николаевич
РОССИЯ
Владимир
Беспалов
Александрович
РОССИЯ
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИЭТ"; НИУ МИЭТ;МИЭТ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
1027739615584
ВЛАДИМИР
БЕСПАЛОВ
АЛЕКСАНДРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИЭТ"; НИУ МИЭТ;МИЭТ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
1027739615584
ВЛАДИМИР
БЕСПАЛОВ
АЛЕКСАНДРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения