Способ получения микроструктур на поверхности полупроводника.
Германий плотность дислокаций УФ лазеры наносекундные импульсы полупроводники травление
Изобретение относится к области лазерной техники и может быть использовано в технологических целях для оценки плотности дислокаций при работе с монокристаллическим германием. Способ получения микроструктур на поверхности полупроводника согласно изобретению включает облучение поверхности полупроводника на лазерной длине волны, при этом для облучения каждой зоны используют серию лазерных импульсов с частотой следования лазерных импульсов, плотностью энергии лазерного пучка в облучаемой зоне и длительностью импульса, обеспечивающих изменение микроструктуры поверхности приповерхностного слоя полупроводника без его плавления. Изобретение обеспечивает повышение качества проявления регулярного микрорельефа поверхности монокристаллического германия и определения перепадов по высоте на поверхности микрорельефа.
лазерные технологии, измерительные приборы, оптика, фотоника
Владимир
Ямщиков
Александрович
директор филиала
Доктор технических наук
Член-корреспондент РАН
А-6028-2017
7004468856
40810
0000-0003-4158-6899
РОССИЯ
Юрий
Железнов
Анатольевич
директор
РОССИЯ
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
02.05.QG
MATERIALS SCIENCE, COATINGS & FILMS
Вячеслав
Железнов
Юрьевич
подготовка и проведение экспериментов по лазерному облучению полупроводников
РОССИЯ
Тарас
Малинский
Владимирович
разработка метода облучения заготовок, проведение экспериментов по лазерной обработке образцов
РОССИЯ
Владимир
Рогалин
Ефимович
обоснование метода лазерного структурирования, разработка схем экспериментов, анализ и объяснение полученных результатов
РОССИЯ
Сергей
Филин
Александрович
анализ полученных результатов, обсуждение идей для патентования, оформление заявки на патент
РОССИЯ
Владимир
Ямщиков
Александрович
общее руководство проектом, разработка способа лазерной обработки полупроводников, обсуждение идей для патентования
РОССИЯ
Сергей
Миколуцкий
Иванович
разработка метода облучения заготовок, расчет основных параметров лазерной обработки материалов
РОССИЯ
Юрий
Хомич
Владиславович
измерение параметров эксперименталных образцов, расчет коэффициента отражения материала
РОССИЯ
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ИЭЭ РАН
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОФИЗИКИ И ЭЛЕКТРОЭНЕРГЕТИКИ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
1037843099470
ЮРИЙ
ЖЕЛЕЗНОВ
АНАТОЛЬЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения