Интегральный микромеханический гироскоп
гироскоп микроэлектромеханические системы
Интегральный микромеханический гироскоп, содержащий полупроводниковую подложку с расположенными на ней двумя неподвижными электродами емкостных преобразователей перемещений, выполненными из полупроводникового материала, двумя подвижными электродами емкостных преобразователей перемещений, выполненными из полупроводникового материала, два неподвижных электрода электростатических приводов с гребенчатыми структурами с одной стороны, выполненных из полупроводникового материала и расположенных непосредственно на полупроводниковой подложке, четыре опоры, выполненные из полупроводникового материала и расположенные непосредственно на полупроводниковой подложке, два подвижных электрода электростатического привода, выполненные в виде гребенчатых структур с двух противоположных сторон из полупроводникового материала и расположенного с зазором относительно подложки с возможностью электростатического взаимодействия с двумя неподвижными электродами электростатических приводов в плоскости их пластин через боковые зазоры и взаимопроникающие друг в друга гребенками электродов, соединенного с опорами с помощью восьми торсионных элементов, выполненных из полупроводникового материала и расположенных с зазором относительно подложки, инерционную массу, выполненную из полупроводникового материала и расположенную с зазором относительно подложки, торсионные элементы, выполненные из полупроводникового материала и расположенных с зазором относительно подложки отличающийся тем, что изменено положение и соединение восьми дополнительных торсионных элементов, выполненные из полупроводникового материала и расположенных с зазором относительно подложки по краям инерционной массы, четыре дополнительных неподвижных электрода электростатического привода, выполненные из полупроводникового материала, расположенные непосредственно на подложке и изолированные друг от друга вытравленным каналом, дополнительные металлические контактные площадки, расположенные на опорах и неподвижных электродах, четыре дополнительных гребенчатых элемента на подвижных электродах электростатического привода, выполненные из полупроводникового материала и расположенные с зазором относительно подложки, и образующие с четырьмя дополнительными неподвижными электродами емкостных приводов, дополнительный слой полупроводникового материала,  выполненный из оксида кремния.
Измерительная техника и микросистемная техника, а точнее к интегральным измерительным элементам величин угловой скорости и ускорения.
Игорь
Лысенко
Евгеньевич
Директор ПИШ ЮФУ
Доктор технических наук
Профессор
-
-
РОССИЯ
Анатолий
Метелица
Викторович
Проректор по  научной и исследовательской деятельности
РОССИЯ
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Сергей
Синютин
Алексеевич
РОССИЯ
Ольга
Ежова
Александровна
РОССИЯ
Данил
Науменко
Валерьевич
РОССИЯ
Игорь
Лысенко
Евгеньевич
РОССИЯ
РФФИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"
1037739411489
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Российский фонд фундаментальных исследований"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЮЖНЫЙ ФЕДЕРАЛЬНЫЙ УНИВЕРСИТЕТ"
1026103165241
ИННА
ШЕВЧЕНКО
КОНСТАНТИНОВНА
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения