Устройство для измерения слабых магнитных полей
магнитный туннельный переход Фазовая автоподстройка частоты Магнитометр
Изобретение относится к устройствам формирования и обработки СВЧ радиосигналов, и предназначено для измерения слабых магнитных полей.  Устройство содержит структуру на базе магнитного туннельного перехода (МТП), а также систему фазовой автоподстройки частоты (ФАПЧ). Технический результат – увеличение чувствительности магнитометров без использования криогенных технологий, повышение стабильности питания, энергоэффективность, увеличение скорости анализа магнитометра. Для этого в схеме магнитометра в качестве чувствительных элементов используется МТП структуры 4, 5 состоящие из расположенных друг на друге в виде столбца последовательно закрепленных трех основных слоев: первого ферромагнитного слоя, диэлектрической прослойки и второго ферромагнитного слоя, а также в схему магнитометра включена система ФАПЧ, балансирующая мост Уитстона. 
Первый ферромагнитный слой МТП структуры (10) свободно перемагничивается по направлению приложенного внешнего магнитного поля. Диэлектрическая прослойка (11) для создания эффекта туннелирования. Второй ферромагнитный слой МТП структуры (12) имеет фиксированное направление намагниченности для поляризации тока по спину.  
Система ФАПЧ используется для определения рассогласования между частотой генерации МТП структуры и частотой переменных резистивных элементов. Для этого на фазовый детектор (ФД) подается две частоты, одна из которых частота генерации МТП структуры, а вторая результат подстройки ветви моста Уитстона с резистивными преобразователями цифрового сигнала в аналоговый (ЦАП) через кольцо ФАП.        
1 н.п., 2 з.п. 4 ил. 
С рефератом публ. фиг. 1.
измерение слабых магнитных полей и сигналов
Давид
Габриелян
Ашотович
Ассистент
Отсутствует
Отсутствует
-
-
РОССИЯ
Давид
Габриелян
Ашотович
Ассистент
РОССИЯ
59.14.21
Проектирование и конструирование электронных измерительных приборов
50.09.37
Датчики и преобразователи
47.41.99
Прочие радиоэлектронные схемы
47.13.07
Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
02.06.IG
ENGINEERING, BIOMEDICAL
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Давид
Габриелян
Ашотович
Автор и исполнитель всех работ по РИД
РОССИЯ
ФОНД СОДЕЙСТВИЯ ИННОВАЦИЯМ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
Давид
Габриелян
Ашотович
Физическое лицо
РОССИЯ