Способ изготовления полупроводникового прибора
полевой транзистор, подзатворный диоксид кремния, термический отжиг
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления полевого транзистора с пониженными токами утечки.
В способе изготовления полупроводникового прибора после формирования подзатворного диоксида кремния на кремниевой пластине р-типа проводимости с ориентацией (111) структуры подвергают имплантации однозарядными ионами кислорода с энергией 45-50 кэВ, дозой 3*1012-3*1013 см-2, с последующей термическим отжигом при температуре 650-700°С в течение 4-6 час, в атмосфере азота.
Хасанов А..И.
Ст. преп. кафедры
Кандидат физико-математических наук
Саидов З. А.
Ректор
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
01.01.UR
PHYSICS, MATHEMATICAL
Гасан
Мустафаев
Абакарович
Исполнитель
Арслан
Мустафаев
Гасанович
Исполнитель
Асламбек
Хасанов
Идрисович
Автор
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет"
1032001202903
Организация
Министерство регионального развития Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения