Программа для снятия и анализа спектра адмиттанса в диодах Шоттки
дефекты в материалах спектроскопия глубоких уровней полупроводник
Программа предназначена для снятия и анализа спектров адмиттанса в диодах Шоттки. Спектры адмиттанса показывают глубокие центры в запрещённой зоне полупроводника и позволяют анализировать его переходные характеристики.
Программа измеряет величину адмиттанса при разных частотах и строит спектры: зависимость адмиттанса, делённого на частоту. от температуры. При наличии глубоких центров в полупроводнике на таком графике будут видны пики, которые показывают энергию и сечение захвата данных центров. Программа дополнена библиотеками для работы с устройствами, поддерживающими систему протоколов LXI.
Характеризация полупроводниковых материалов и структур
29.19.31
Полупроводники
Антон
Васильев
Андреевич
"Отсутствует"
"Отсутствует"
"AAN-4309-2020"
"57219084932 I"
"нет"
"0000-0002-4519-4852"
РОССИЯ
Александр
Поляков
Яковлевич
"Кандидат технических наук"
"Отсутствует"
"С-2667-2014"
"7201781040"
"6644-1942"
"https://misis.ru/science/community/scientists/international/3641/"
"0000-0001-6898-6126"
РОССИЯ
Иван
Щемеров
Васильевич
"Кандидат технических наук"
"Отсутствует"
"A-8094-2014"
"57189494220"
"5307-6480"
"https://misis.ru/science/community/scientists/1502/"
"0000-0001-9193-8106"
РОССИЯ
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
МИСиС, НИТУ "МИСиС"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
1027739439749
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения