Арсенид-галлиевый операционный усилитель на p-n-p биполярных и полевых транзисторах с управляющим p-n переходом
Арсенид-галлиевый операционный усилитель усилитель на p-n-p биполярных и полевых транзисторах p-n переходом
Предполагаемое изобретение относится к области радиотехники и может использоваться в качестве базового функционального узла многих  устройств автоматики, вычислительной техники, систем связи и приборостроения, в т.ч. работающих при высоких температурах.
Технический результат: создание схемы ОУ, которая реализуется в рамках совмещенного GaAs технологического процесса, позволяющего создавать только p-n-p биполярные и nJFet полевые транзисторы, а также разработка схемы ОУ с малым уровнем систематической составляющей напряжения смещения нуля, что не реализуется в схеме ОУ-прототипа.
Арсенид-галлиевый операционный усилитель на p-n-p биполярных  и полевых транзисторах с управляющим p-n переходом содержит первый (1) и второй (2) входы, а также выход (3) устройства, первый (4) и второй (5) входные полевые транзисторы, объединенные истоки которых связаны с первой (6) шиной источника питания через первый (7) источник опорного тока, первый (8) и второй (9) биполярные транзисторы токового зеркала, эмиттеры которых подключены ко второй (10) шине источника питания, а базы объединены,  коллектор первого (8) биполярного транзистора токового зеркала соединен со стоком первого (4) входного полевого транзистора, коллектор второго (9) биполярного транзистора токового зеркала связан со стоком второго (5) входного полевого транзистора и подключен к базе первого (11) согласующего биполярного транзистора, эмиттер первого (11) согласующего биполярного транзистора связан со второй (10) шиной источника питания через согласующий двухполюсник (12), второй (13) согласующий биполярный транзистор, коллектор которого соединен с первой (6) шиной источника питания, а эмиттер соединен со второй (10) шиной источника питания через первый (14) токостабилизирующий двухполюсник и подключен к базе первого (15) выходного биполярного транзистора, коллектор которого соединен с выходом устройства (3), а эмиттер подключен ко второй (10) шине источника питания,  второй (16) токостабилизирующий двухполюсник. Объединенные базы первого (8) и второго (9) биполярных транзисторов токового зеркала соединены со стоком первого (4) входного полевого транзистора, коллектор второго (9) биполярного  транзистора токового зеркала подключен к базе второго (13) согласующего биполярного транзистора, согласующий двухполюсник (12) выполнен в виде эмиттерного p-n перехода на основе биполярного транзистора, коллектор первого (11)  согласующего биполярного транзистора связан с первой (6) шиной источника питания через второй (16) токостабилизирующий двухполюсник, а коллектор второго (13) согласующего  биполярного транзистора соединен с первой (6) шиной источника питания, первый (7) источник опорного тока выполнен в виде двух параллельно включенных и идентичных второго (17) и третьего (18) источников опорного тока, каждый из которых реализован на основе выходного полевого транзистора (19), затвор которого связан с истоком этого (19) выходного полевого транзистора через согласующий резистор (20), второй (17) и третий (18) источники опорного тока, а также второй (16) токостабилизирующий двухполюсник выполнены по идентичным схемам на основе выходных полевых транзисторов (19), затворы которых соединены с истоками этих выходных транзисторов через согласующие резисторы (20), причем коллектор первого (11) согласующего биполярного транзистора связан с базой второго (21) выходного биполярного транзистора, эмиттер которого соединен с выходом устройства (3), а коллектор согласован   с первой (6) шиной источника питания.
электронные устройства автоматики, вычислительной техники, систем связи и телекоммуникаций, предприятия и организации, занимающиеся созданием и производством высокотемпературной аналоговой электронной компонентной базы для радиотехнических устройств, в т.ч. на основе арсенид-галлиевых транзисторов
Анна
Бугакова
Витальевна
Доцент, младший научный сотрудник УНИ ДГТУ (после оформления будет старший научный сотрудник)
Кандидат технических наук
Отсутствует
E-6820-2014
56543776600
818017
0000-0001-9255-0015
РОССИЯ
Максим
Минкин
Сергеевич
Начальник Управления научных исследований
РОССИЯ
47.41.29
Фильтры
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Дмитрий
Кузнецов
Владимирович
РОССИЯ
Владислав
Чумаков
Евгеньевич
РОССИЯ
Николай
Прокопенко
Николаевич
РОССИЯ
Илья
Фролов
Владимирович
РОССИЯ
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ «ДОНСКОЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ»
1026103727847
БЕСИК
МЕСХИ
ЧОХОЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения