Способ повышения быстродействия транзисторов и транзисторных интегральных схем
биполярный транзистор полевой транзистор транзисторные интегральные микросхемы статические и динамические характеристики быстродействие оптоэлектроника
Способ управления быстродействием транзисторов и транзисторных интегральных схем, включающий воздействие на полупроводниковые структуры транзисторов и транзисторных интегральных схем потока фотонов от светодиода или маломощного лазера, при этом транзисторы, транзисторные интегральные схемы, светодиод или маломощный лазер размещают в одном корпусе, отличающийся тем, что воздействие на полупроводниковые структуры транзисторов и транзисторных интегральных схем осуществляют непрерывным потоком фотонов от светодиода или маломощного лазера в процессе работы транзисторов и транзисторных интегральных схем.
Интегральная электроника, элементная база информационных и телекоммуникационных систем, радиационно-стойкие полупроводниковые приборы.
Серго
Рехвиашвили
Шотович
И. о. главного научного сотрудника
Доктор физико-математических наук
Отсутствует
N-4441-2017
6701418795
178347
http://www.mathnet.ru/php/person.phtml?option_lang=rus&personid=21696
0000-0003-1514-857X
РОССИЯ
Залимхан
Нагоев
Вячеславович
Генеральный директор
РОССИЯ
47.33.31
Интегральные микросхемы
47.33.29
Дискретные полупроводниковые приборы
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Серго
Рехвиашвили
Шотович
РОССИЯ
Виктор
Нарожнов
Валерьевич
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
КБНЦ РАН
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФЕДЕРАЛЬНЫЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР "КАБАРДИНО-БАЛКАРСКИЙ НАУЧНЫЙ ЦЕНТР РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК"
1020700760453
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения