МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА GAAS РНЕМТ ДВУХКАСКАДНОГО МШУ ДИАПАЗОНА ЧАСТОТ 1,5-2,5 ГГЦ
МОНОЛИТНАЯ ИНТЕГРАЛЬНАЯ СХЕМА рНЕМТ GaAs ТИМС МИС
Монолитная интегральная схема (МИС) выполнена на основе GaAs рНЕМТ технологии с длиной затвора 0,5 мкм. Функционально МИС является двухкаскадным МШУ, содержащим цепи согласования, коррекции, разделения и блокировки постоянной составляющей. Технические характеристики: диапазон частот 1,5 - 2,5 ГГц; коэффициент шума не более 1 дБ; коэффициент усиления не менее 26 дБ; выходная мощность при 1 дБ компрессии коэффициента усиления не менее 17 дБм; модули входного и выходного коэффициентов отражения не более минус 10 дБ. Ток потребления 220 мА при напряжении питания 3,3 В и минус 1 В. Размеры кристалла 2,1 × 1,6 мм2
Монолитная интегральная схема может быть использована при разработке двухкаскадного МШУ
Евгений
Ерофеев
Викторович
Заведующий лабораторией
Кандидат технических наук
Отсутствует
R-7025-2016
25929097700
746009
0000-0003-4143-6241
РОССИЯ
Ольга
Аркатова
Евгеньевна
Начальник ОМКиИС
РОССИЯ
47.14.13
Проектирование и конструирование изделий электронной техники СВЧ-диапазона
47.33.31
Интегральные микросхемы
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Юрий
Жидик
Сергеевич
РОССИЯ
Константин
Петрухин
Александрович
РОССИЯ
Максим
Филюшин
Алексеевич
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ТУСУР
Федеральное государственное  бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники"
1027000867068
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения