Способ получения монокристаллического SiC
многоуровневая мемристорная логика нейроморфные модули
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллов SiC – широко распространенного материала, используемого при изготовлении интегральных микросхем, в частности, методом высокотемпературного физического газового транспорта. В способе, предусматривающем размещение в ростовой камере, снабженной теплоизоляционным экраном с пирометрическим отверстием, ростового тигля с расположенными внутри него напротив друг друга источником из порошка карбида кремния и пластиной затравочного монокристалла карбида кремния SiC, создание в ростовом тигле поля рабочих температур с осевым градиентом в направлении от пластины затравочного монокристалла к источнику и осуществление испарения источника с последующей кристаллизацией карбида кремния на поверхности пластины затравочного монокристалла за счет воздействия нагрева камеры роста нагревателем и охлаждения пластины затравочного монокристалла через пирометрическое отверстие используют дополнительный теплоизоляционный экран, установленный непосредственно на внешней боковой стенке ростового тигля, а также обеспечивают регулируемое истечение кремнийсодержащих летучих соединений, образующихся при испарении источника, из ростового тигля в количестве от 20 до 50% от веса выращенного слитка в пересчете на карбид кремния путем изменения суммарного сечения отверстий и/или зазора через отверстия и/или зазоры, расположенные на уровне края фронта кристаллизации. Дополнительный экран формируют путем намотки листов огнеупорного материала. Способ позволяет улучшить качество получаемых монокристаллических слитков SiC, при увеличении выхода качественных слитков и снижении затрат на проведение способа за счет лучшей воспроизводимости процесса
микроэлектроника и технологии получения монокристаллов SiC
Наталья
Андреева
Владимировна
в.н.с. НОЦ "НТ"
Кандидат физико-математических наук
Доцент
-
-
-
РОССИЯ
Виктор
Тупик
Анатольевич
Проректор по научной работе
РОССИЯ
28.23.33
Аппаратная реализация интеллектуальных систем
28.23.37
Нейронные сети
29.19.19
Методы исследования кристаллической структуры и динамики решетки
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Юрий
Быков
Олегович
разработка способа
РОССИЯ
Андрей
Лебедев
Олегович
разработка способа
РОССИЯ
Александр
Марков
Владимирович
разработка способа
РОССИЯ
Наталья
Андреева
Владимировна
разработка способа
РОССИЯ
Виктор
Лучинин
Викторович
разработка способа
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
1027806875381
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения