Способ вакуумно-плазменного осаждения тонкой пленки из оксинитрида фосфора лития
Тонкие пленки LiPON азотная плазма разряд низкого давления самонакаливаемый полый катод
Изобретение относится к способу получения тонкой пленки из оксинитрида фосфора лития (LiPON) с высокой скоростью на электропроводящих подложках. Способ включает нагрев, испарение ортофосфата лития (Li3PO4), осаждение паров на поверхность подложек в азотной плазме разряда. Нагрев тигля осуществляют во вспомогательном разряде с прямонакальным термоэмиссионным катодом, плазма которого отделена экраном от паров Li3PO4. Скорость испарения Li3PO4 регулируют изменением мощности разряда. Концентрацию азотной плазмы регулируют независимо изменением тока основного разряда между самонакаливаемым полым катодом, через который напускают азот, и кольцевым анодом, установленными соосно с тиглем, причем анод располагают в области между тиглем и держателем образцов. Формирование LiPON на поверхности подложек достигают тем, что при заданной скорости испарения Li3PO4 устанавливают величину тока основного разряда и давления азота, при которых обеспечивается требуемая плотность азотной плазмы у поверхности растущей пленки. Осаждение пленки LiPON со скоростью ~0,25 мкм/ч, имеющей ионную проводимость ~2*10-6 (Ом*см)-1, достигают при скорости испарения Li3PO4 ~8*10-6 г/(см2*с), токах основного разряда 15-20 А, давлении азота (0,8-1,5)*10-2 Торр и плавающем потенциале подложек.
Изобретение относится к области нанесения тонких пленок в вакууме и может быть использовано при разработке элементов микроэлектроники и источников энергии на основе твердотельных литий-ионных проводников.
Александр
Каменецких
Сергеевич
с.н.с.
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
T-8725-2017
6508054213
0000-0001-6176-1493
РОССИЯ
Станислав
Чайковский
Анатольевич
Директор
РОССИЯ
29.27.51
Применение плазмы
29.27.43
Газовый разряд
01.03.UF
PHYSICS, FLUIDS & PLASMAS
Николай
Гаврилов
Васильевич
разработка способа в целом
РОССИЯ
Александр
Каменецких
Сергеевич
разработка способа в целом
РОССИЯ
Пётр
Третников
Васильевич
разработка способа в целом
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ИЭФ УРО РАН
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОФИЗИКИ УРАЛЬСКОГО ОТДЕЛЕНИЯ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
1026604936929
СТАНИСЛАВ
ЧАЙКОВСКИЙ
АНАТОЛЬЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения