Способ отжига полупроводниковых структур
подложка полупроводниковый слой увеличение процента выхода годных отжиг полупроводниковых структур полупроводники
Способ отжига полупроводниковых структур включает формирование полупроводникового слоя на полупроводниковой подложке с последующим отжигом. Согласно изобретению формируют слой полупроводника - кремния - толщиной 100 нм на подложке полупроводника - кремния - с помощью ВЧ ионного распыления, используя газовую смесь Ar-H2-AsH3 (80:19:1), при давлении 1,2 Па и температуре подложки 190°С с последующим отжигом с помощью рубинового лазера с модулированной добротностью, с длиной волны излучения 694,3 нм, длительностью импульсов 20 нс, плотностью энергии 0,6-1,5 Дж/см2. Изобретение обеспечивает снижение токов утечки в полупроводниковых структурах, обеспечивающее технологичность, улучшение параметров структур, повышение качества и увеличение процента выхода годных.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии отжига полупроводниковых структур.
29.19.31
Полупроводники
Асламбек
Хасанов
Идрисович
"Кандидат физико-математических наук"
"Доцент"
"A-2591-2017"
"57219184939"
"144763"
"https://www.chesu.ru/person?p=1387&h"
"0000-0002-1392-6991"
РОССИЯ
ФИПС
ФИПС
1067757741479
Организация
Федеральные министерства, федеральные службы и федеральные агентства, руководство деятельностью которых осуществляет Президент Российской Федерации, федеральные службы и федеральные агентства, подведомственные этим федеральным министерствам
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "ЧЕЧЕНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМЕНИ АХМАТА АБДУЛХАМИДОВИЧА КАДЫРОВА"
1032001202903
ЗАУРБЕК
САИДОВ
АСЛАНБЕКОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения