Датчик электрического потенциала на основе низкоразмерных структур с полевым эффектом
электрический потенциал полевой эффект низкоразмерные структуры сенсоры транзисторные структуры датчики кристаллические структуры
Техническим результатом предлагаемой полезной модели являются увеличение чувствительности датчика и его разрешающей способности за счет формирования транзисторной структуры измерения электрического потенциала на полевом эффекте с использованием буферного слоя металла. 
Технический результат в полезной модели достигается следующим образом. 
Датчик электрического потенциала на полевом эффекте представляет собой кварцевую или стеклянную иглообразную трубку, содержащую два продольных канала и сужающуюся на одном из концов до диаметра от 10 до 500 нм, причем на сужающемся конце трубки, представляющем собой плоскую площадку, перпендикулярную к оси, размещен чувствительный элемент, выполненный с помощью нанесенных последовательно слоев полупроводника и диэлектрика, при этом к чувствительному элементу присоединены два измерительных электрода, выполненные из слоя углерода, нанесенного на внутренние стенки продольных каналов трубки и электрически изолированные друг от друга диэлектрической стенкой. На углеродные электроды перед слоем полупроводникового материала нанесен буферный металлический слой с кристаллической структурой.
Кроме того, буферный слой металла выполнен из пленки платины толщиной от 10 до 50 нм, слой полупроводникового материала выполнен из пленки германия толщиной от 10 нм до 100 нм, а защитный диэлектрический слой представляет собой сплошную кремний-углеродную пленку толщиной от 2 нм до 10 нм.
Полезная модель относится к приборам полупроводниковой промышленности – к датчикам (сенсорам) электрического потенциала, способным проводить измерения в объеме жидкостей, в том числе биологических, а также на поверхности конденсированных материалов.
Дмитрий
Киселев
Александрович
Заведующий лабораторией физики оксидных сегнетоэлектриков
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
A-4359-2014
16687092400
180280
https://www.researchgate.net/profile/Dmitry-Kiselev-3
0000-0003-1047-3007
РОССИЯ
Елена
Босова
Владимировна
Главный специалист ОПКиАНД по доверенности №10 от 08.11.2023 г.
РОССИЯ
29.19.31
Полупроводники
02.05.QH
MATERIALS SCIENCE, COMPOSITES
Роман
Тимошенко
Викторович
РОССИЯ
Юрий
Пархоменко
Николаевич
РОССИЯ
Александр
Темиров
Анатольевич
РОССИЯ
Андрей
Турутин
Владимирович
РОССИЯ
Илья
Кубасов
Викторович
РОССИЯ
Александр
Кислюк
Михайлович
РОССИЯ
Дмитрий
Киселев
Александрович
РОССИЯ
Михаил
Малинкович
Давидович
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
МИСиС, НИТУ "МИСиС"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
1027739439749
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения