Программа моделирования зонной диаграммы в полупроводниковых структурах
Зонная диаграмма pn-переход барьер Шоттки гетеропереход
Программа предназначена для расчета и построения зонных диаграмм в полупроводниковых структурах: pn-переход, барьер Шоттки, гетеропереход.
Программа обеспечивает выполнение следующих функций:
- выбор контактирующих материалов и режима функционирования;
- расчет положения уровня Ферми и концентрации носителей заряда каждого материала;
- расчет распределения потенциала и зонной диаграммы;
- последовательный графический вывод результатов расчетов;
- сохранение результатов в памяти ЭВМ.
Используется для моделирования характеристик полупроводниковых барьерных структур
Сергей
Юрчук
Юрьевич
Доцент
Кандидат физико-математических наук
Доцент
В-1507-2014
6507750073
8414-8762
0000-0001-6435-3823
РОССИЯ
Елена
Босова
Владимировна
Главный специалист ОПКиАНД по доверенности №29-312 от 03.02.2021
РОССИЯ
47.09.29
Полупроводниковые материалы
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
Сергей
Юрчук
Юрьевичё
Вклад в работу: Разработка алгоритма, графического интерфейса, кода программы и отладка программы
РОССИЯ
Светлана
Кобелева
Петровна
Разработка теоретической модели построения зонных диаграмм
РОССИЯ
МИСиС, НИТУ "МИСиС"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС"
1027739439749
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения