Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии
жидкофазная эпитаксия полупроводниковая p-i-n структура соединения GaAs-AlGaAs
Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии путем предварительного отжига раствора-расплава исходной шихты и выращивания в едином технологическом цикле многослойной полупроводниковой структуры AlGaAs, сформированной из композиции последовательных эпитаксиальных слоев AlGaAs на подложке GaAs. В исходную шихту предварительно вводят алюминий в количестве (0,2 0,7) ат. %, а рабочий слаболегированный p0 i n0 слой формируют путём принудительного охлаждения ростовой системы со скоростью (0,2 2,0) ºС/мин от температуры (820-880) ºС до температуры (700-750) ºС. Полупроводниковая p-i-n структура позволяет повысить предельную рабочую температуру и получить мягкий характер переключения изготовленных из такой структуры диодов из проводящего в запертое состояние, что обеспечивает снижение амплитуды резких всплесков перенапряжения на выключающемся диоде и препятствует появлению высокочастотных электромагнитных помех.
Изобретение относится к силовой микроэлектронной технике, а более конкретно, к способам изготовления высоковольтных p-i-n структур из соединений A3B5 методом жидкофазной эпитаксии.
Вячеслав
Андреев
Михайлович
главный научный сотрудник
Доктор технических наук
Член-корреспондент РАН
C-1054-2014
7401665569
РОССИЯ
Сергей
Иванов
Викторович
Директор
РОССИЯ
44.41.35
Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Федор
Солдатенков
Юрьевич
Технология изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии. Техническое описание технологии.
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФТИ им. А.Ф. Иоффе
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
1037804006998
СЕРГЕЙ
ИВАНОВ
ВИКТОРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения