Способ получения порошка карбида кремния
нейроморфные модули, многоуровневая мемристорная логика
) Изобретение относится к технологии получения монокристаллического карбида кремния (SiC) — широкозонного полупроводникового материала, используемого в силовой электронике и для создания на его основе интегральных микросхем. Технический результат изобретения заключается в повышении чистоты синтезируемого порошка карбида кремния нужного гранулометрического состава при снижении затрат на проведение способа. Технический результат достигается за счет отсутствия механохимических вспомогательных операций, приводящих к потере чистоты и к удорожанию способа.
в силовой электронике и для создания на его основе интегральных микросхем.
Наталья
Андреева
Владимировна
в.н.с. НОЦ "НТ"
Кандидат физико-математических наук
Доцент
-
-
РОССИЯ
ви
Тупик
Анатольевич
Проректор по научной работе
РОССИЯ
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
29.19.19
Методы исследования кристаллической структуры и динамики решетки
28.23.33
Аппаратная реализация интеллектуальных систем
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Андрей
Лебедев
Олегович
РОССИЯ
Наталья
Андреева
Владимировна
РОССИЯ
Наталья
Латникова
Михайловна
РОССИЯ
Дмитрий
Авров
Дмитриевич
РОССИЯ
Юрий
Быков
Олегович
РОССИЯ
Наталья
Шаренкова
Викторовна
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
1027806875381
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения