Гибридный фотодетектор среднего ИК диапазона на основе ближнепольной связи локализованных фононных-поляритонов с электронной подсистемой полупроводниковых GaAs/AlGaAs квантовых ям
детекторы средний ИК диапазон фононные-поляритоны квантовые ямы
Настоящее изобретение относится к оптоэлектронным устройствам и может быть использована для изготовления фотоприемников типа фотодиод на основе резонансной ближнепольной связью локализованных фононных поляритонов с электронной подсистемой полупроводниковых квантовых ям. Принципиальная идея полезной модели состоит в том, что добавление микрочастиц карбида кремния на поверхность полупроводниковой структуры приводит к увеличению коэффициента поглощения и фоточувствительности, что является кардинально важным для улучшения параметров фотоприемника. На фиг. 2 показаны спектры фотопроводимости полупроводниковой структуры с квантовыми ямами с нанесенными на поверхность микрочастицами карбида кремния и той же структуры без частиц в спектральном диапазоне 8.1 – 9.1 мкм. Техническим результатом является повышение чувствительности фотоприемника в средней ИК области спектра.
Детекторы теплового излучения нагретых тел
Дмитрий
Литвинов
Александрович
Физическое лицо
Отсутствует
Младший научный сотрудник
Y-4445-2019
57226373178
РОССИЯ
Дмитрий
Литвинов
Александрович
Физическое лицо
РОССИЯ
47.33.33
Оптоэлектронные приборы
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Дмитрий
Литвинов
Александрович
Автор
РОССИЯ
ФОНД СОДЕЙСТВИЯ ИННОВАЦИЯМ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
СЕРГЕЙ
ПОЛЯКОВ
ГЕННАДЬЕВИЧ
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
Дмитрий
Литвинов
Александрович
Физическое лицо
РОССИЯ