Алмазный транзистор
алмаз транзистр электронная техника
Полезная модель относится к приборам электронной техники, а именно, к транзисторам на основе алмаза, включающего алмазный изолирующий кристалл, на который нанесен алмазный электропроводящий слой с контактами истока и стока, и диэлектрический слой, расположенный между контактами истока и стока с металлическим контактом затвора, нанесенным на диэлектрический слой, контакты истока и стока выполнены в виде многослойной структуры Ti/TiN/Ti/Au, при этом между алмазным электропроводящим слоем и диэлектрическим слоем, расположенным между истоком и стоком, сформирован приповерхностный слой алмаза, обогащенный бором методом полиэнергетической ионной имплантации.
Основными отраслями применения алмазного транзистора являются изделия электронной техники, электронная компонентная база, полупроводниковая СВЧ-техника.
Андрей
Алтухов
Александрович
Заведующий лабораторией
Кандидат технических наук
Отсутствует
-
6701707351
РОССИЯ
Александр
Рагуткин
Викторович
Проректор
РОССИЯ
47.33.29
Дискретные полупроводниковые приборы
47.09.29
Полупроводниковые материалы
47.45.99
Прочие элементы СВЧ-техники
47.33.37
Приборы функциональной микроэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Андрей
Алтухов
Викторович
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
РТУ МИРЭА
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "МИРЭА - РОССИЙСКИЙ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ"
1037739552740
СТАНИСЛАВ
КУДЖ
АЛЕКСЕЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения