Способ изготовления тонкопленочного транзистора
полупроводники, тонкопленочный транзистор, имплантация
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки. Технология способа состоит в следующем: гидрогенизированный аморфный кремний формировали обработкой кристаллического кремния потоком ионов кремния дозой 1*1016 см-2 с энергией 250 кэВ при температуре 40°С. Водород вводили имплантацией после аморфизации с энергией 20 кэВ и дозой 5*1015 см-2. Предложенный способ изготовления тонкопленочного транзистора позволяет повысить процент выхода годных приборов и улучшить их надежность. Также способ обеспечивает снижение токов утечек, улучшение параметров структур, повышение технологичности и качества.
Изобретение относится к области технологии производства полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления тонкопленочных транзисторов с низким значением тока утечки.
Хасанов А.И.
Зав. кафедрой
Кандидат физико-математических наук
Саидов З. А.
Ректор
29.19.31
Полупроводники
01.03.UH
PHYSICS, ATOMIC, MOLECULAR & CHEMICAL
Асламбек
Хасанов
Идрисович
Автор
Руслан
Кутуев
Азаевич
Соавтор
Гасан
Мустафаев
Абакарович
Соавтор
Арслан
Мустафаев
Гасанович
Соавтор
Зелимхан
Хазбулатов
Лечаевич
Соавтор
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФГБОУ ВО "Чеченский государственный университет"
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет"
1032001202903
Организация
Министерство регионального развития Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения