Интегральная схема цифрового N-P-N биполярного транзистора на основе кремния
карбидокремниевая технология, металлополимерный корпус, биполярный транзистор, полевой транзистор, диод Шоттки
Интегральная схема цифрового N-P-N биполярного транзистора предназначена для применяется в радиоаппаратуре общего и специального назначения. Выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии. Микросхема представляет собой маломощный N-P-N транзистор с двумя резисторами: ограничительным резистором в цепи базы и резистором, шунтирующим переход база –эмиттер.  Интерфейс транзистора выполнен в виде двух контактных площадок в цепях базы и эмиттера. Работает микросхема следующим образом: при подаче на микросхему наименьшего цифрового сигнала 1, часть входного напряжения падает на резисторе в цепи базы, ток, шунтируемый резистором подключенным к переходу база –эмиттер, открывает транзистор, а при подаче на микросхему наибольшего цифрового сигнала 0, ток попадающий в базу транзистора не открывает транзистор. Резисторы выполнены из легированного поликремния. По периферии кристалла есть канальный ограничитель.
Микроэлектроника.
Демидов А.А.
гнс
Доктор физико-математических наук
Федонин О. Н.
Ректор
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Николай
Брюхно
Александрович
0,4
Мария
Кильчицкая
Владимировна
0,3
Евгений
Кульченков
Александрович
0,3
ЗАО "Группа Кремний Эл"
Закрытое акционерное общество "Группа Кремний Эл"
1023202741781
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Непубличные акционерные общества
ФГБОУ ВО "БГТУ"
федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Брянский государственный технический университет"
1023201058627
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения