Элемент памяти на основе ассиметричных мемристорных наноструктур
наноструктура элемент памяти запоминающие устройства
Полезная модель относится к области электроники и вычислительной техники, конкретно к электрически перепрограммируемым запоминающим устройствам, и может быть использована при создании интегральных схем с наноразмерными элементами памяти. Элемент памяти на основе асимметричных мемристорных наноструктур состоит из изолирующей подложки, нижнего проводящего контакта, запоминающего слоя и верхнего проводящего контакта. При этом запоминающий слой выполнен в виде асимметричных мемристорных наноструктур, имеющих форму усеченного конуса. Технический результат заключается в увеличении быстродействия элемента памяти.
Полезная модель относится к области электроники и вычислительной техники, конкретно к электрически перепрограммируемым запоминающим устройствам, и может быть использована при создании интегральных схем с наноразмерными элементами памяти.
50.11.31
Полупроводниковые запоминающие устройства
Марина
Ильина
Владимировна
"Кандидат технических наук"
"Доцент"
РОССИЯ
Олег
Агеев
Алексеевич
"Доктор технических наук"
"Профессор"
РОССИЯ
Владимир
Смирнов
Александрович
"Кандидат технических наук"
"Отсутствует"
РОССИЯ
Роман
Томинов
Викторович
"Кандидат технических наук"
"Отсутствует"
"R-5161-2018"
"57193203495"
"972599"
"https://sfedu.ru/www/stat_pages22.show?p=UNI/s1/D&params=(p_per_id=%3E-9776)"
РОССИЯ
РФФИ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "РОССИЙСКИЙ ФОНД ФУНДАМЕНТАЛЬНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ"
1037739411489
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Российский фонд фундаментальных исследований"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
Южный федеральный университет,  ФГАОУ ВО "ЮФУ"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет"
1026103165241
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Общества с ограниченной ответственностью