Способ получения монокристаллического SiC
монокристаллический сублимация карбид кремния вставка нейроморфные модули, многоуровневая мемристорная логика
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC — широко распространенного материала, используемого при изготовления интегральных микросхем. Технический результат заключается в улучшении качества слитков монокристаллического SiC при снижении затрат на проведение способа. Способ получения монокристаллического SiC включает сублимацию источника карбида кремния – порошка карбида кремния – на пластину затравочного монокристалла SiC диаметром D в ростовом тигле, в верхней части которого располагают графитовый формообразователь. В нижней части ростового тигля размещают цилиндрическую вставку из плотного графита с высоким значением теплопроводности радиусом R, в которой выполнены вертикальные отверстия, предназначенные для размещения в них порошка карбида кремния, при этом зазоры между отверстиями имеют размеры d2 такие, что d2 ≥ 0,1R, причем суммарная площадь сечения всех отверстий составляет не менее 40% от площади торца цилиндрической вставки, при этом расстояние H между верхней поверхностью цилиндрической вставки и пластиной затравочного монокристалла такое, что d1 < H < D.
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC — широко распространенного материала, используемого при изготовления интегральных микросхем
Наталья
Андреева
Владимировна
в.н.с. НОЦ "НТ"
Кандидат физико-математических наук
Доцент
-
-
РОССИЯ
Александр
Семенов
Анатольевич
Проректор по научной и инновационной деятельности
РОССИЯ
28.23.37
Нейронные сети
28.23.33
Аппаратная реализация интеллектуальных систем
29.19.19
Методы исследования кристаллической структуры и динамики решетки
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Дмитрий
Авров
Дмитриевич
разработка  изобретения
РОССИЯ
Наталья
Андреева
Владимировна
разработка  изобретения
РОССИЯ
Юрий
Быков
Олегович
разработка  изобретения
РОССИЯ
Наталья
Латникова
Михайловна
разработка  изобретения
РОССИЯ
Андрей
Лебедев
Олегович
разработка  изобретения
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
1027806875381
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения