Составной биполярный n-p-n транзистор для управления индуктивной нагрузкой со встроенным ограничителем базового тока
Составной биполярный n-p-n транзистор для управления индуктивной нагрузкой со встроенным ограничителем базового тока Составной биполярный n-p-n транзистор биполярный n-p-n транзистор транзистор для управления индуктивной нагрузкой со встроенным ограничителем базового тока
Интегральная микросхема предназначена для использования в устройствах общего назначения для управления индуктивной и активной нагрузкой средней мощности (до 3,0 Вт) при помощи устройств с выходным током до 20 мА и выходным напряжением от 3,3 до 12,0 В. Для управления индуктивной нагрузкой предусмотрен обратный диод, обеспечивающий защиту транзистора от перенапряжений при коммутации. Встроенный ограничитель базового тока представлен токоограничивающим резистором. Также в микросхеме присутствует резистор, обеспечивающий надёжное запирание транзистора при входном напряжении ниже 2,4 В. Интегральная микросхема выполнена по планарно-эпитаксиальной технологии и представляет собой составной биполярный n-р-n транзистор, состоящий из двух биполярных n-р-n транзисторов малой и средней мощности, совмещённый с выпрямительным р-n диодом, а также два резистора номиналом в 1 кОм и мощностью рассеяния в 0,25 Вт, размещённые на едином кристалле, при этом интегральная микросхема имеет три выводных контакта, что обеспечивает унификацию по схеме подключения с традиционными n-р-n транзисторами. Интегральная схема выполнена по полупроводниковой технологии. Основные технические характеристики: допустимое напряжение коллектор-эмиттер UCE - 50 ± 10 % В; допустимое напряжение база-эмиттер IBE - 15 ± 10 % В; длительно допустимый коллекторный ток IC - 160 мА; длительно допустимый входной ток Ib - 15 мА; максимальная рассеиваемая кристаллом мощность Рmax - 3 Вт; диапазон допустимых температур - от минус 40°С до + 100°С; напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IС = 160 мА,Iб = 15 мА) - ≤ 0,6 В; обратный ток коллектора (Ukб = 50 В, вывод эмиттера не подключен) - ≤ 1 мкА; пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера - 70 В; пробивное напряжение эмиттер-база при разомкнутой цепи коллектора - 70 В; пробивное напряжение коллектор-эмиттер (IС ≤ 0,5 мА) - 150 В; статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером - ≤ 200; граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером - ≥ 200 МГц.
для использования в устройствах общего назначения для управления индуктивной и активной нагрузкой средней мощности (до 3,0 Вт) при помощи устройств с выходным током до 20 мА и выходным напряжением от 3,3 до 12,0 В.
Борис
Компанеец
Сергеевич
Заведующий кафедрой
Кандидат технических наук
Доцент
-
-
-
РОССИЯ
Андрей
Марков
Михайлович
Ректор
РОССИЯ
45.53.99
Прочие виды электротехнического оборудования
02.02.AC
AUTOMATION & CONTROL SYSTEMS
Иван
Казымов
Максимович
30%
РОССИЯ
Борис
Компанеец
Сергеевич
40%
РОССИЯ
Дмитрий
Казымов
Максимович
30%
РОССИЯ
ФГБОУ ВО "АЛТАЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. И.И. ПОЛЗУНОВА", АЛТГТУ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "АЛТАЙСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ИМ. И.И. ПОЛЗУНОВА"
1022201517854
АНДРЕЙ
МАРКОВ
МИХАЙЛОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения
АлтГТУ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный технический университет им. И.И. Ползунова"
1022201517854
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения