Магниторезистивный элемент
терморезистивный элемент сверхпроводящие контакты
Магниторезистивный элемент, состоящий из магниточувствительного слоя сплава Ti2MnAl и контактных площадок из золота. Рабочий интервал температур устройства от 0,03 К до 1,0 К. Диапазон чувствительности к магнитному полю 0 – 0,3 Тл.
Изобретение относится к области производства изделий низкотемпературной электроники и может быть использовано в конструкциях датчиков и преобразователей магнитного поля.
Эдуард
Девятов
Валентинович
зам. директора
Доктор физико-математических наук
Доцент
J-3703-2013
66022449181
РОССИЯ
Александр
Левченко
Алексеевич
директор
РОССИЯ
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
Варнава
Есин
Денисович
исполнитель
РОССИЯ
Дмитрий
Борисенко
Николаевич
исполнитель
РОССИЯ
Николай
Колесников
Николаевич
исполнитель
РОССИЯ
Эдуард
Девятов
Валентинович
руководитель
РОССИЯ
ФАНО России
Федеральное агентство научных организаций
5137746009462
Организация
Правительство Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения
ИФТТ РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук
1025003915243
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения