ПРОГРАММА МОДЕЛИРОВАНИЯ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР
Барьерные структуры полупроводники электрофизические характеристики
Программа предназначена для визуализации физических процессов в барьерных полупроводниковых структурах при различных значениях внешнего напряжения. Результатом работы программы является построение зонных диаграмм диода Шоттки и p-n перехода в зависимости от внешнего напряжения при заданных характеристиках полупроводника, зависимость вольт-фарадной характеристики диода Шоттки от концентрации легирующей примеси, зависимость вольт-амперной характеристики p-n перехода от температуры. Тип ЭВМ: IBM PC - совмест. ПК; ОС: Windows 7 и выше.
МОДЕЛИРОВАНИЕ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ БАРЬЕРНЫХ СТРУКТУР
47.09.29
Полупроводниковые материалы
Владислав
Мишустин
Геннадьевич
"Кандидат физико-математических наук"
"Доцент"
"A-7262-2014"
"7004319291"
"126724"
"-"
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФГБОУ ВО "РГРТУ", РГРТУ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет имени В.Ф. Уткина"
1026201104478
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения