Способ изготовления омического контакта с низким удельным сопротивлением к пассивированной нитрид-галлиевой гетероструктуре на кремниевой подложке
нитрид галлия, омический контакт, силовая электроника
Задача настоящего изобретения – создание омического контакта с низким удельным сопротивлением и гладкой морфологией к пассивированной GaN/AlGaN гетероструктуре на кремниевой подложке. После помещения образцов в рабочую камеру и достижения рабочего давления осуществляется обработка пассивированной поверхности приборной гетероструктуры источником ионов аргона для удаления загрязнений, возникших в межоперационный период. Далее на пассивирующий диэлектрик последовательно осаждаются методом электронно-лучевого испарения слои Si/Ti/Al/Ni/Au с толщинами 10-20/20/100/40/60 нм, соответственно. Затем производится термическая обработка контакта в атмосфере гелия при температуре 850 °C в течение 30 с.
Изготовление нитрид-галлиевых силовых транзисторов, изготовление нитрид-галлиевых интегральных схем
Беспалов В. А.
Г. н. с.
Доктор технических наук
Гаврилов С. А.
Проректор
47.13.11
Технология и оборудование для производства полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Алексей
Неженцев
Викторович
Отработка технологии осаждения материалов для изготовления омического контакта
Валерий
Земляков
Евгеньевич
Разработка технологического маршрута изготовления омического контакта
Владимир
Егоркин
Ильич
Разработка общей концепции изобретения
Лариса
Якимова
Валентиновна
Отработка режимов высокотемпературного отжига омического контакта
Максим
Журавлёв
Николаевич
Подбор послойного состава металлизации в соответствии с имеющимися технологическими возможностями изготовления
Владимир
Беспалов
Александрович
Разработка технологического подхода для понижения удельного сопротивления омического контакта к нитриду галлия
Алексей
Переверзев
Леонидович
Разработка технологического подхода для выравнивания морфологии омического контакта к нитриду галлия
АО "ЗНТЦ"
Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр"
1107746582052
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Непубличные акционерные общества
МИЭТ;  Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; НИУ МИЭТ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
1027739615584
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения