Способ изготовления детекторов терагерцового диапазона
наноразмерные приборы химическое парофазное осаждение лазерная стимуляция металл-диэлектрик-металл МДМ-диод
Изобретение относится к оптическим технологиям получения структурных образований нано- и микрометровых размеров, в частности к лазерным методам
формирования на подложках наноструктур, к технологиям изготовления быстродействующих детекторов электромагнитных колебаний терагерцового диапазона.
Задачей, решаемой предлагаемым изобретением, является увеличение разрешающей способности способа лазерно-пиролитического нанесения анодного электрода туннельного МДМ диода.
Решение задачи достигается тем, что в способе изготовления детекторов терагерцового диапазона электромагнитных волн с туннельными МДМ диодами, включающем последовательное формирование на поверхности полупроводниковой пластины слоя металла катода, тонкого слоя туннельного изолятора, слоя вспомогательного изолятора с отверстиями, лазерно-пиролитическое нанесение металла анода и формирование микрополосковой линии, в соответствии с изобретением, слой вспомогательного изолятора напыляют в вакууме на слой туннельного изолятора с предварительно осаждённым на его поверхность слоем не соприкасающихся между собой наносфер, после чего получают отверстия удалением наносфер и затем формируют анодный электрод адресуемым лазерно-пиролитическим нанесением металла в атмосфере, содержащей пары летучего химического соединения металла, на участок вспомогательного изолятора с перекрытием краёв отверстия, продолжая нанесение до формирования
микрополосковой линии.
Техническим результатом изобретения является создание способа изготовления детекторов терагерцового диапазона электромагнитных волн.
Изобретение относится к оптическим технологиям получения структурных образований нано- и микрометровых размеров, в частности к лазерным методам формирования на подложках наноструктур, к технологиям изготовления быстродействующих детекторов электромагнитных колебаний терагерцового диапазона.
Екатерина
Шапран
Грантополучатель
Отсутствует
Отсутствует
-
-
РОССИЯ
Екатерина
Шапран
Васильевна
Грантополучатель
РОССИЯ
47.13.35
Лазерные технологии в электронном производстве
47.03.10
Теоретические основы электронной техники СВЧ
47.03.05
Теоретические основы полупроводниковых приборов, микроэлектроники
29.35.47
Твердотельные приборы СВЧ-диапазона
29.19.31
Полупроводники
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
02.02.EU
COMMUNICATION
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
01.03.SY
OPTICS
Екатерина
Шапран
Васильевна
Все авторы внесли в работу равноценный вклад.
РОССИЯ
Дмитрий
Чесноков
Владимирович
Все авторы внесли в работу равноценный вклад.
РОССИЯ
Нурлан
Усубалиев
Абдыназарович
Все авторы внесли в работу равноценный вклад.
РОССИЯ
ФОНД СОДЕЙСТВИЯ ИННОВАЦИЯМ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ "ФОНД СОДЕЙСТВИЯ РАЗВИТИЮ МАЛЫХ ФОРМ ПРЕДПРИЯТИЙ В НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЙ СФЕРЕ"
1027739479734
Организация
Федеральное государственное бюджетное учреждение "Фонд содействия развитию малых форм предприятий в научно-технической сфере"
Федеральные государственные бюджетные учреждения
Екатерина
Шапран
Васильевна
Физическое лицо
РОССИЯ