Способ изготовления полупроводниковой структуры многопереходного фотопреобразователя
Многопереходный фотопреобразователь Полупроводниковая подложка Газофазная эпитаксия из металлоорганических соединений Диод Область пространственного заряда Микрокристаллит
(57) Способ изготовления полупроводниковой структуры многопереходного фотопреобразователя включаюет последовательное формирование на полупроводниковой подложке методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений слоев n типа проводимости и p-типа проводимости, образующих не менее двух n-p или p-n диодов. Слои сопряженных  друг с другом диодов разделяют посредством введения в зону сопряжения компонентов микрочастиц из проводящего или полупроводникового материала, размеры которых превышают толщину области пространственного заряда в рассматриваемой зоне сопряжения, а ширина запрещённой зоны материала микрочатиц больше ширины запрещенной зоны материала нижележащих компонентов в направлении от источника света. При этом выращивание расположенного на слое микрочастиц слоя диода осуществляют субслоями толщиной (50-150) нм с прерыванием подачи металлоорганических соединений на (10-15) секунд при постоянной подаче водорода. Способ обеспечивает повышенную эффективность фотопреобразования изготовленной полупроводниковой структуры за счет улучшения качества слоев InP на микрокристаллитах GaP.
2 з.п.
Электронная техника
Виктор
Устинов
Михайлович
заведующий лабораторией
Доктор физико-математических наук
Член-корреспондент РАН
J-3545-2013
ID 56471325100
ID 27807
РОССИЯ
Сергей
Иванов
Викторович
Директор
РОССИЯ
47.33.33
Оптоэлектронные приборы
44.41.35
Установки прямого преобразования энергии светового излучения в электрическую
02.02.EU
COMMUNICATION
Вадим
Эполетов
Сергеевич
Поиск литературы, планирование экспериментов, проведение экспериментов по изготовлению полупроводниковой структуры многопереходного фотопреобразователя, анализ полученных результатов
РОССИЯ
Артём
Маричев
Евгеньевич
Поиск литературы, планирование экспериментов, проведение экспериментов по изготовлению полупроводниковой структуры многопереходного фотопреобразователя, анализ полученных результатов
РОССИЯ
Виктор
Устинов
Михайлович
Постановка задачи, анализ полученных результатов, руководство научной группой
РОССИЯ
Борис
Пушный
Васильевич
Руководство научной группой, планирование экспериментов, анализ полученных результатов.
РОССИЯ
Алексей
Власов
Сергеевич
Исследование полученных структур
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФТИ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. А.Ф. ИОФФЕ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
1037804006998
СЕРГЕЙ
ИВАНОВ
ВИКТОРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения