Светодиодная гетероструктура с квантовыми ямами комбинированного профиля
СВЕТОДИОДНАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА, КВАНТОВЫЕ ЯМЫ, НИТРИД ГАЛЛИЯ, СВЕТОДИОД, РЕКОМБИНАЦИЯ
Изобретение относится к полупроводниковым источникам света на основе гетероструктур типа InGaN/GaN, главным образом, к светодиодным источникам. Техническим результатом изобретения является увеличение интенсивности излучения, генерируемого светодиодной гетероструктурой. Технический результат достигается тем, что в светодиодной гетероструктуре с квантовыми ямами комбинированного профиля, содержащей подложку из сапфира, с нанесенными не ней последовательно буферным слоем, выполненным из нелегированного GaN, n-эмиттерным слоем, выполненным в виде слоя GaN, легированного кремнием, и р-эмиттерный слой GaN, легированный магнием, активная область, расположенная между n-эмиттерным и р-эмиттерным слоями, состоит из нескольких квантовых ям с комбинированным профилем, полученным наложением двух и более квантовых ям прямоугольного профиля, геометрические центры которых совмещены и находятся на осевой линии квантовой ямы комбинированного профиля.
РИД получен и будет использоваться в ПНИЭР по теме "Разработка прототипов передовых технологических решений роботизированного интеллектуального производства электронной компонентной базы и энергоэффективных световых устройств" ( Уникальный идентификатор работ (проекта) RFMEFI57717X0266), выполняемых в рамках федеральной целевой программы «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно-технологического комплекса России на 2014 - 2020 годы», утвержденными постановлением Правительства Российской Федерации от 3 октября 2015 г. № 1060.
Туев В.И.
заведующий кафедрой радиоэлектронных технологий и экологического мониторинга
Шелупанов А. А.
ректор
45.51.29
Источники света
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Валерий
Давыдов
Николаевич
Реферат, описание, формула изобретения
Олег
Задорожный
Федорович
Реферат, описание, формула изобретения
Михаил
Давыдов
Валерьевич
Реферат, описание, формула изобретения
Василий
Солдаткин
Сергеевич
Реферат, описание, формула изобретения
Василий
Туев
Иванович
Реферат, описание, формула изобретения
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ТУСУР
Федеральное государственное  бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники"
1027000867068
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения