Способ выращивания кристалла из испаряющегося раствор-расплава
Выращивание кристаллов, испаряющийся раствор-расплав, контроль степени пересыщения
Изобретение относится к способу выращивания кристаллов из испаряющихся (летучих) растворов-расплавов. Рост кристалла ведут при обеспечении контроля степени пересыщения раствор-расплава путем повышения температуры раствор-расплава со скоростью нагревания на 0.2-2°С/час от начальной температуры кристаллизации. Изменение скорости повышения температуры позволяет эффективно управлять пересыщением и, следовательно, скоростью кристаллизации, что обеспечивает получение из испаряющихся раствор-расплавов кристаллов, пригодных для практического применения.
изготовление и поставка кристаллов заданного качества
Кох А.Е.
зав.лабораторией
Доктор геолого-минералогических наук
Смирнов С.З.
зам.директора, д.г.-м.н.
38.39.17
Синтез и превращение минералов и горных пород
01.05.RE
MINERALOGY
Константин
Кох
Александрович
Обоснование задачи и заявляемых признаков, обсуждение результатов
Артем
Кузнецов
Борисович
Экспериментальная верификация предложенного подхода
Екатерина
Симонова
Александровна
Экспериментальная верификация предложенного подхода
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
Институт геологии и минералогии СО РАН; ИГМ СО РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева Сибирского отделения Российской академии наук
1065473055713
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения