Способ получения порошка карбида кремния
карбид кремния
Изобретение относится к микроэлектронике и касается технологии получения монокристаллического SiC – широко распространенного материала, используемого для изготовления интегральных микросхем, в частности, синтеза порошка карбида кремния, используемого в качестве источника при выращивании монокристаллов карбида кремния. Технический результат изобретения заключается в увеличении выхода порошка SiC. В способе получения порошка карбида кремния смешивают диоксид кремния и углерод, полученную смесь размещают в вакуумной печи, заполняют печь инертным газом и подвергают смесь термообработке в атмосфере инертного газа. Далее отжигают избыточный углерод на воздухе. Исходные компоненты смешивают в соотношении SiO2:C = 1:(3,2–4,0) (мол.), а толщина слоя исходной смеси пропорциональна квадрату среднего диаметра зерна порошка углерода и не должна превышать 15 – 18 см для среднего диаметра зерна 120 мкм, при насыпной плотности 0,6 – 0,8 г/см3. Термообработку осуществляют в две стадии, в вакуумной печи, заполненной инертным газом: вначале в течение 4–5 часов при давлении инертного газа 0,02–0,03 МПа и температуре 1600–1700 оС, затем осуществляют повторный нагрев и выдержку при температуре 1900–2000 оС в течение 1–2 часов при том же давлении
для изготовления интегральных микросхем, в частности, синтеза порошка карбида кремния, используемого в качестве источника при выращивании монокристаллов карбида кремния
Наталья
Андреева
Владимировна
в.н.с. НОЦ "НТ"
Кандидат физико-математических наук
Доцент
-
-
-
РОССИЯ
Виктор
Тупик
Анатольевич
Проректор по научной работе
РОССИЯ
28.23.33
Аппаратная реализация интеллектуальных систем
28.23.37
Нейронные сети
29.19.19
Методы исследования кристаллической структуры и динамики решетки
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Наталья
Андреева
Владимировна
разработка способа
РОССИЯ
Юрий
Быков
Олегович
разработка способа
РОССИЯ
Наталья
Латникова
Михайловна
разработка способа
РОССИЯ
Андрей
Лебедев
Олегович
разработка способа
РОССИЯ
Наталья
Шаренкова
Викторовна
разработка способа
РОССИЯ
Дмитрий
Авров
Дмитриевич
разработка способа
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет “ЛЭТИ” им. В.И. Ульянова (Ленина)"
1027806875381
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения