Гетероэпитаксиальный пленочный образец lacoo3 для исследований в области спинтроники и наноэлектроники
Тонкие плёнки оксиды мемристоры фазовые переходы элементы памяти спиновые переходы прозрачные проводящие покрытия
Настоящая полезная модель относится к средствам анализа спиновых состояний ионов кобальта, а именно к пленочным образцам LaCoO3 для исследований. Технический результат, на получение которого направлена полезная модель, является создание образца гетероэпитаксиальной пленки LaCoO3 с обеспечением послойной повторяемости структуры, что дает возможность проведения исследований точной природы ферромагнитного состояния, спиновых переходов и их поведения в зависимости от различных условий внешнего воздействия на пленку. Технический результат достигается в образце, содержащем подложку, выполненную из сложного оксида RMO3, имеющую террасную структуру с однородным химическим составом поверхностного слоя МO2, а также, расположенную на подложке, слоистую структуру из пар чередующихся слоев LaO и CoO2 с общей толщиной двойного слоя около 3,82Å. 1 НП, 1 ЗП.
Гетероэпитаксиальные тонкие пленки сегнетоэлектриков, в частности LaCoO3 имеют набор свойств, идеально подходящий для производства на их основе энергоэффективных логических компонентов и элементов памяти, превосходящих по своим параметрам КМОП, как и для создания на основе данных оксидов устройств для квантовых вычислений, что в свою очередь открывает путь к созданию базы электронных элементов, способных имитировать синаптические функции человеческого мозга, что необходимо для аппаратной реализации нейронных сетей. Помимо самих сложных оксидов существуют металлические оксиды, которые также проявляют в тонкопленочном состоянии уникальные свойства и интересны своей возможностью интеграции в многокомпонентные системы, так на основе подобных структур возможно изготовление недорогих электросхем, гибких дисплеев на основе органических светодиодах и солнечных элементов на пластиковых подложках. Также можно отметить, что LCO способен увеличивать газочувствительные характеристики металлооксидных полупроводниковых датчиков
Петр
Швец
Валерьевич
заведующий лабораторией сложных оксидов
Кандидат физико-математических наук
Отсутствует
N-6979-2016
6507316110
611847
0000-0003-2840-6865
РОССИЯ
Александр
Федоров
Александрович
Ректор
РОССИЯ
29.19.16
Физика тонких пленок. Поверхности и границы раздела
29.19.22
Физика наноструктур. Низкоразмерные структуры. Мезоскопические структуры
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Ксения
Максимова
Юрьевна
творческий вклад
РОССИЯ
Александр
Гойхман
Юрьевич
творческий вклад.
РОССИЯ
Анатолий
Козлов
Александрович
творческий вклад
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФГАОУ ВО "БФУ им. И. Канта"
федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта"
1023901002949
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения