Способ изготовления тонкопленочных туннельных переходов методом раздельной литографии
МИМ переход Сверхпроводниковые структуры Тонкие пленки СИС переход СИН переход Туннельный переход
Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных сверхпроводниковых структур. Способ изготовления тонкопленочных туннельных переходов методом раздельной литографии включает формирование первой литографией первого слоя из алюминия, нанесение резиста под вторую литографию второго слоя металла, экспозицию в литографе, проявление резиста, формирование туннельного барьера и напыление второго слоя металла. Перед формированием туннельного барьера проводят удаление естественного окисла и очистку поверхности первого слоя из алюминия путем ионного или плазменного травления, а туннельный барьер формируют на подвергнутой указанному травлению поверхности. Технический результат - упрощение технологии изготовления, не требующей химического травления, и снижение требований на выбор материалов для слоев из нормального металла, а также формирование высококачественного туннельного барьера произвольной контролируемой прозрачности. 5 з.п. ф-лы, 8 ил.
Настоящее изобретение направлено на решение проблемы создания высококачественного туннельного перехода (структур СИС, СИН, НИС или МИМ) произвольной формы и площади методом прямой раздельной литографии.
Валерий
Кошелец
Павлович
г.н.с.
Доктор физико-математических наук
Профессор
A-6959-2012
7004791063
21223
http://cplire.ru/html/lab234/
0000-0002-1563-1257
РОССИЯ
Сергей
Никитов
Аполлонович
Директор
РОССИЯ
29.19.29
Сверхпроводники
01.03.UK
PHYSICS, CONDENSED MATTER
01.03.UB
PHYSICS, APPLIED
Михаил
Тарасов
Александрович
РОССИЯ
Александра
Гунбина
Анатольевна
РОССИЯ
Михаил
Фоминский
Юрьевич
РОССИЯ
Артем
Чекушкин
Михайлович
РОССИЯ
РНФ
Российский научный фонд
1137799022261
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Фонды
ИРЭ им. В.А.Котельникова РАН
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А.Котельникова Российской академии наук
1027700183708
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения