Способ формирования токопроводящего элемента электрической цепи на диэлектрической подложке методом одностадийного лазерно-индуцированного прямого переноса серебряной пленки
лазерное спекание токопроводящий элемент лазерно-индуцированный прямой перенос серебряные пленки одностадийный процесс
Изобретение относится к физике и микроэлектронике и может быть использовано для формирования токопроводящих микро- и макроэлементов электрических цепей на диэлектрических подложках, что является актуальным при изготовлении солнечных батарей, сенсоров, формирования электрических контактов в электронных и оптоэлектронных устройствах. Для формирования токопроводящего элемента электрической цепи на диэлектрической подложке осуществляют перенос частиц серебра, образующих упомянутый элемент цепи, с донорной подложки, прозрачной для лазерного излучения, на поверхность которой нанесен слой серебра, на упомянутую диэлектрическую акцепторную подложку, в результате сканирования упомянутого слоя серебра пучком лазерного излучения и последующее спекание упомянутых частиц серебра. Перенос упомянутых частиц серебра и их последующее спекание осуществляют в одну стадию, по меньшей мере, двумя последовательными лазерными импульсами в результате сканирования серебряной пленки пучком лазерного излучения с длиной волны 1064 нм, длительностью импульса 120 нс, частотой следования импульсов 20 кГц, при фокусировке пучка лазерного излучения объективом с фокусным расстоянием 160 мм, энергии в импульсе 0,4 мДж, скорости сканирования 1000 мм/с и расстоянии между упомянутыми донорной и акцепторной подложками 25 мкм. Изобретение обеспечивает возможность формирования на диэлектрических подложках токопроводящих элементов электрических цепей с высокой удельной проводимостью при одновременном упрощении технологического процесса их формирования и сокращения его продолжительности.
Микроэлектроника
Сергей
Кудряшов
Иванович
И.о. заведующего лабораторией
Доктор физико-математических наук
Доцент
E-2830-2014
8365424200
РОССИЯ
Николай
Колачевский
Николаевич
Директор
РОССИЯ
29.33.47
Воздействие лазерного излучения на вещество
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Сергей
Кудряшов
Иванович
РОССИЯ
Светлана
Шелыгина
Николаевна
РОССИЯ
Алена
Настулявичус
Александровна
РОССИЯ
Никита
Смирнов
Александрович
РОССИЯ
Дмитрий
Заярный
Альбертович
РОССИЯ
Ирина
Сараева
Николаевна
РОССИЯ
Петр
Пахольчук
Павлович
РОССИЯ
Евгения
Ултургашева
Валерьевна
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ НАУКИ ФИЗИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ИМ. П.Н. ЛЕБЕДЕВА РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК
1027739617960
НИКОЛАЙ
КОЛАЧЕВСКИЙ
НИКОЛАЕВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения