Топология кристалла чувствительного элемента термоэлектрического датчика теплового потока
термоэлектрики полупроводники кремниевая технология
Область применения кристалла термоэлектрического датчика в системах «умный дом». Функцией интегральной микросхемы с регистрируемой топологией является преобразование тепла в электричество. Топология ИМС разработана по КМОП технологии с проектными нормами 2.5 мкм. Площадь единичного кристалла составляет 4214×300 мкм2. Кристалл состоит из кремниевой подложки, диэлектрической плёнки, алюминиевой металлизации, термоэлектриков в виде полупроводников теллурида висмута n- и p- типа.
Область применения кристалла термоэлектрического датчика в системах «умный дом».
Владимир
Беспалов
Александрович
Ректор
Доктор технических наук
Профессор
P-6799-2015
57196985488
44925
-
РОССИЯ
Сергей
Гаврилов
Александрович
Проректор
РОССИЯ
47.13.07
Технология и оборудование для производства приборов и устройств наноэлектроники
02.10.NS
NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY
Николай
Дюжев
Алексеевич
РОССИЯ
Евгений
Гусев
Эдуардович
РОССИЯ
Владислав
Парамонов
Витальевич
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МИЭТ"; НИУ МИЭТ;МИЭТ
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "НАЦИОНАЛЬНЫЙ ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ "МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКИ"
1027739615584
ВЛАДИМИР
БЕСПАЛОВ
АЛЕКСАНДРОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения