Устройство конденсаторной изоляции
передатчик данных приемник данных Гальваническая изоляция
Изобретение относится к полупроводниковой промышленности, в частности к интегральным микросхемам, и может быть использовано в системах приема, обработки и передачи цифровых и аналоговых данных, в которых необходима гальваническая изоляция приемника и передатчика данных.
Устройство конденсаторной изоляции содержит (фиг.10) первую и вторую области интегральных микросхем 12 и 21, включающие функциональные схемы 122, 212, схемы управления конденсаторной изоляцией 121, 211, расположенные в подложках интегральных микросхем, изолирующие конденсаторы 1a, 1b, 2a, 2b,  выполненные с использованием проводящих слоев этих микросхем, при этом изолирующий конденсаторы, содержат первую обкладку, расположенную на первом проводящем слое, соединенном со схемами управления конденсаторной изоляцией, а также вторую обкладку, расположенную на втором проводящем слое и подключены к выходам 1, 2, 3, 4, при этом,  с помощью устройства коммутации 5, первый выход электрически соединен с третьим выходом, второй выход соединен с четвертым выходом, а каждый изолирующий конденсатор содержат область 301, расположенную в подложках микросхем, под нижними обкладками конденсаторов.
Технический результат заключается в уменьшении емкости нижней обкладки изолирующего конденсатора за счет применения изолирующей области в подложке микросхемы, расположенной под нижней обкладкой изолирующего конденсатора, что позволяет использовать первый уровень разводки в качестве нижней обкладки изолирующего конденсатора без существенного снижения амплитуды дифференциального сигнала на входе приемника.
Изобретение относится к устройствам полупроводниковой промышленности, в частности к интегральным микросхемам. Может быть использовано для защиты выводов высоковольтных интегральных микросхем, выполненных по технологическим нормам 180 нам и менее с требованиями высокого уровня стойкости к электростатического разряда (ЭСР). 
ЭСР-устройств , состоящее из двух карманов N-well, разделенных P-well карманом. В каждом N-well кармане формируется стандартный диод с диффузиями n+- и p+-типа, которые подключены металлическими дорожками к одному выводу. Напряжение срабатывания определяется напряжением пробоя p-n - перехода (N-well - P-well), падением на открытом диоде (N-well - P-well) и падением напряжения на сопротивлении карманов. За счет симметричности структуры напряжение срабатывания при положительной и отрицательной полярности ЭСР одинаково. Для изоляции структуры предлагается использовать скрытый n-слой, подключаемый через высоковольтный глубокий N-well (DNW- Deep NWELL). Для того чтобы избежать смыкание слоев N-well и DNW предлагается использовать между ними глубокий Deep P-well карман.
Технический результат предлагаемого изобретения:
- расширение диапазона рабочих напряжений и возможности регулирования напряжения срабатывания Vt1 при положительной и отрицательной полярности ЭСР;
- повышение стойкости к ЭСР;
- уменьшение количества технологических слоев для формирования структуры.
Для защиты выводов высоковольтных интегральных микросхем, выполненных по технологическим нормам 180 нам и менее с требованиями высокого уровня стойкости к электростатического разряда (ЭСР).
Иван
Решетников
Александрович
Ведущий руководитель проектов отдела по проектному управлению
Отсутствует
Отсутствует
-
-
РОССИЯ
Алексей
Новоселов
Юрьевич
генеральный директор
РОССИЯ
47.14.07
Проектирование и конструирование полупроводниковых приборов и приборов микроэлектроники
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Андрей
Тучин
Витальевич
РОССИЯ
Александр
Макаров
Борисович
РОССИЯ
МИНПРОМТОРГ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО ПРОМЫШЛЕННОСТИ И ТОРГОВЛИ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1047796323123
ДЕНИС
МАНТУРОВ
ВАЛЕНТИНОВИЧ
Организация
Министерство промышленности и торговли Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
АО "ПКК Миландр"
Акционерное общество "ПКК Миландр"
1027739083921
Организация
Организации, учрежденные юридическими лицами или гражданами, или юридическими лицами и гражданами совместно
Акционерные общества