Гетероструктура вертикально-излучающего лазера с гибридной схемой накачки
AlGaAs/AlGaAs оптическое излучение вертикально-излучающего лазер Гетероструктура
Полезная модель относится к электронике, а именно к оптоэлектронной технике. Сущность полезной модели состоит в том, что гетероструктура монолитного вертикально-излучающего лазера включает подложку из нелегированного GaAs, нижний распределенный брэгговский отражатель из пар нелегированных слоев AlGaAs/AlGaAs, волноводные слои на основе AlGaAs, активную область под оптическую накачку, волноводные слои на основе AlGaAs, контактный слой GaAs, легированный примесью n-типа, волноводные слои на основе AlGaAs, активную область под токовую накачку, волноводные слои на основе AlGaAs, контактный слой GaAs, легированный примесью p-типа, волноводные слои на основе AlGaAs, верхний распределенный брэгговский отражатель из пар слоев AlGaAs/AlGaAs, при этом в гетероструктуре монолитного вертикально-излучающего лазера спектрального диапазона 850–1310 нм слои активных областей сформированы на основе сверхрешетки, микрорезонатор имеет длину волны оптического излучения с учетом коэффициента преломления материала 2,5λ, причем в максимумах оптического поля расположены дополнительные слои активных областей, причем данные слои активных областей расположены вне контактных слоев, вторая пара верхнего распределенного брэгговского отражателя, ближайшая к активной области, содержит слой Al0.98Ga0.02As толщиной 25-35 нм для латерального прокисления, причем данный слой расположен в максимуме оптического поля. В случае вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 850–1060 нм материал слоев сверхрешетки GaAs/InGaAs. В случае вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1060–1310 нм материал слоев сверхрешетки In(Ga)As/GaAsN. Технический результат состоит в достижении существенного повышения предельной выходной оптической мощности лазера, в частности, в одночастотном режиме генерации. 3 п. пат. ф-лы, 1 илл.
Системы скоростной передачи информации
Александр
Коротков
Станиславович
Директор
Доктор технических наук
Профессор
E-4630-2014
7103063234
158570
https://et.spbstu.ru/direction/
0000-0001-8407-6528
РОССИЯ
Юрий
Клочков
Сергеевич
Проректор по научно-организационной деятельности
РОССИЯ
47.33.33
Оптоэлектронные приборы
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Андрей
Бабичев
Владимирович
РОССИЯ
Антон
Егоров
Юрьевич
РОССИЯ
Максим
Соболев
Сергеевич
РОССИЯ
МИНОБРНАУКИ РОССИИ
МИНИСТЕРСТВО НАУКИ И ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ РОССИЙСКОЙ ФЕДЕРАЦИИ
1187746579690
Петр
Мордовской
Григорьевич
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
ФГАОУ ВО СПБПУ,СПБПУ,ФГАОУ ВО "СПБПУ", САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ПЕТРА ВЕЛИКОГО
ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ АВТОНОМНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКИЙ ПОЛИТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ ПЕТРА ВЕЛИКОГО"
1027802505279
АНДРЕЙ
РУДСКОЙ
ИВАНОВИЧ
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные автономные учреждения