Мощный GaN усилитель СВЧ диапазона
СВЧ МИС, НИТРИД ГАЛЛИЯ, МОЩНЫЙ УСИЛИТЕЛЬ, СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Микросхема предназначается для усиления СВЧ сигнала большой мощности в диапазоне частот 90-95 ГГц. Используются три каскада усиления. Усилитель допускает индивидуальную настройку рабочей точки по затвору и стоку в каждом каскаде. Для изготовления микросхемы используется нитрид-галлиевая гетероструктура. Технологический маршрут состоит из стандартных операций, применяемых для изготовления нитрид-галлиевых интегральных схем.
Системы спутниковой связи, системы наземной радиосвязи, системы РЛС
Егоркин В. И.
В.н.с.
Кандидат технических наук
Гаврилов С. А.
Проректор
47.33.29
Дискретные полупроводниковые приборы
02.02.IQ
ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC
Владимир
Егоркин
Ильич
Разработка состава топологических слоёв с учётом технологического маршрута, разработка конструктивного исполнения топологии кристалла
Алексей
Неженцев
Викторович
Разработка состава топологических слоёв с учётом технологического маршрута, разработка технологического маршрута изготовления микросхемы
Максим
Журавлёв
Николаевич
Разработка и контроль правил проектирования топологии с учётом особенностей технологического маршрута
Николай
Гуминов
Владимирович
Разработка топологического чертежа кристалла
Минобрнауки России
Министерство образования и науки Российской Федерации
1047796287440
Организация
Министерство образования и науки Российской Федерации
Федеральные государственные казенные учреждения
МИЭТ;  Национальный исследовательский университет "МИЭТ"; НИУ МИЭТ
Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники"
1027739615584
Организация
Министерство науки и высшего образования Российской Федерации
Федеральные государственные бюджетные учреждения